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電源設計器件布局和布線要點
在電源設計中,精心的布局和布線對于能否實現(xiàn)出色設計至關重要,要為尺寸、精度、效率留出足夠空間,以避免在生產(chǎn)中出現(xiàn)問題。我們可以利用多年的測試經(jīng)驗,以及布局工程師具備的專業(yè)知識,最終完成電路板生產(chǎn)。
2022-09-26
電源設計 布局
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如何設計最安全的CAN總線拓撲?
CAN總線的應用越來越廣泛,工程師在各種不同工況下,如何選擇最合適的網(wǎng)絡拓撲方式呢?本篇文章將介紹主流的幾種總線拓撲方式,以及如何解決CAN總線故障。
2022-09-23
CAN總線 拓撲
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在電機旋轉的世界里,如何探索出一種更優(yōu)雅的運動姿勢?
從中國大唐王朝盛行的胡旋舞,到今天全球共賞、傾倒世界幾個世紀的芭蕾舞,旋轉都是舞蹈美學與藝術的重要組成部分。舞者衣袂飄飄,旋轉中姿態(tài)萬千百媚竟生,提高了整個舞蹈的審美性、觀賞性。舞者的旋轉讓這個物理世界的基本運動狀態(tài)帶來藝術的升華?,F(xiàn)代科學對旋轉運動的研究,則為動力學和運動學...
2022-09-23
電機旋轉 ADI
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整流電容濾波負載實例
六期連載,整流電路AC/DC變換應用非常廣泛,其中二極管整流在電機驅動中是主流的方案,而且功率范圍很廣,所以了解二極管整流工程設計非常重要。
2022-09-23
整流 電容濾波 負載
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功率放大器模塊及其在5G設計中的作用
許多射頻設計人員都對 Franklin Douglass 的名言深有同感:“沒有斗爭就沒有進步?!痹跒?5G 進行設計時,尤其如此??萍加型淖儫o線通信,但也會帶來設計難題。利用功率放大器模塊 (PAM) 來化解。以下是你需要知道的一切。
2022-09-23
功率放大器 模塊 5G
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什么是dV/dt失效
如下圖(2)所示,dV/dt失效是由于MOSFET關斷時流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB,導致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE,使寄生雙極晶體管導通,引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常,dV/dt越大(越陡),VBE的電位差就越大,寄生雙極晶體管越容易導通,從而越容易發(fā)生失效...
2022-09-22
dV/dt失效 MOSFET
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什么是雪崩失效
當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時,就會發(fā)生擊穿。當施加高于BVDSS的高電場時,自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導致碰撞電離,從而產(chǎn)生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩式增加的現(xiàn)象稱為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間,與 MOSFET內(nèi)部二極管電流呈反方向流動的電流稱為“雪...
2022-09-22
MOSFET 失效機理 雪崩擊穿
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