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為什么去耦電容要靠近用電器件的電源管腳？
電源的完整性是為確認(rèn)電源來源及目的端的電壓和電流是否符合需求。電源完整性在現(xiàn)今的電子產(chǎn)品中相當(dāng)重要，涉及芯片層面、芯片封裝層面、電路板層面及系統(tǒng)層面。
2024-01-02
去耦電容 用電器件 電源管腳
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半導(dǎo)體創(chuàng)新如何塑造邊緣 AI 的未來
當(dāng)工程師們提到“邊緣”，并不是指一個遙遠(yuǎn)的抽象地點。我們的家里、辦公室里和工廠里就存在邊緣。邊緣是捕獲和計算數(shù)據(jù)所在的本地環(huán)境或設(shè)備，如機(jī)器人或智能家居設(shè)備。邊緣 AI 能在本地設(shè)備上實現(xiàn)實時智能和響應(yīng)，無需將數(shù)據(jù)發(fā)送到局域網(wǎng)以外的云。
2024-01-02
半導(dǎo)體 邊緣 AI
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E頻段無線射頻鏈路為5G網(wǎng)絡(luò)提供高容量回程解決方案-第一部分
隨著4G長期演進(jìn)(LTE)技術(shù)的成功推進(jìn)，全球開始大規(guī)模部署5G網(wǎng)絡(luò)。圖1展示了5G網(wǎng)絡(luò)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以幫助我們清晰地理解從接入到回程的無線電網(wǎng)絡(luò)。該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)描繪了四種場景，每種場景都通過單獨的連接回到核心網(wǎng)絡(luò)。
2024-01-02
E頻段 無線射頻鏈路 5G網(wǎng)絡(luò) 高容量回程
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超高壓MOS在變頻器上的應(yīng)用
典型的AC380V變頻器應(yīng)用框圖，主要包括輸入AC380V三相整流、三相逆變IGBT功率驅(qū)動、輔助電源等部分；其中輔助電源主要經(jīng)過DC高壓降壓后為IGBT驅(qū)動IC、主控mcu、通訊模塊芯片等供電。
2024-01-02
MOS 變頻器
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如何快速而經(jīng)濟(jì)高效地將藍(lán)牙 5．3 添加至邊緣物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計
激烈的競爭給物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備開發(fā)商帶來了壓力，他們必須迅速推出新的創(chuàng)新產(chǎn)品，同時還要降低成本，確保穩(wěn)定、低功耗、安全的通信。傳統(tǒng)的智能物聯(lián)網(wǎng)終端節(jié)點包括用于邊緣處理的微控制器單元 (MCU) 和用于連接的無線集成電路。如果設(shè)計團(tuán)隊缺乏開發(fā)有效解決方案必需的射頻 (RF) 技能，就會出現(xiàn)問題。
2023-12-29
藍(lán)牙 5．3 邊緣物聯(lián)網(wǎng)
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雙運放電流源的基本操作
合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求，而無需對處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。
2023-12-29
雙運放 電流源
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鎧俠發(fā)布 2TB microSDXC 存儲卡
2023年12月20日,中國上海 — 全球存儲器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠今天宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)2TB microSDXC存儲卡,這對于智能手機(jī)用戶、內(nèi)容創(chuàng)作者和移動游戲玩家來說是一項突破性的進(jìn)展。EXCERIA PLUS G2 2TB microSDXC存儲卡提供更強(qiáng)大的性能和更大的容量,讓用戶能夠記錄和存儲更多內(nèi)容。
2023-12-29
存儲卡
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