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智能家居

完美結(jié)合耐用性、頻率范圍與寬帶能力射頻功率晶體管

為了滿足市場對射頻功率器件增強耐用性和在廣泛的頻率范圍進行寬帶運行的需求，飛思卡爾半導體公司推出了兩款功能豐富的器件，旨在為采用LDMOS處理技術制造的射頻功率產(chǎn)品提供新級別的線性和耐用性。

2012-10-23

射頻飛思卡爾晶體管

2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET

恩智浦半導體推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨特的側(cè)焊盤提供光學焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。

2012-10-23

NXP MOSFET 智能手機

適用于空間緊湊的高速接口ESD保護產(chǎn)品

恩智浦電路保護產(chǎn)品組合同時具備超低電容和超低鉗位電壓特性，是保護eSATA、Thunderbolt、USB 3.0/2.0和Ethernet等高速信號線的理想之選，采用這些超緊湊型封裝后，特別適合智能手機、播放器、平板電腦和電子閱讀器等空間緊湊型應用。

2012-10-23

ESD NXP Thunderbolt USB 3.0

4款領先的電流并聯(lián)監(jiān)測器產(chǎn)品

德州儀器推出4款業(yè)界領先器件，進一步壯大電流并聯(lián)監(jiān)測器產(chǎn)品陣營，對各種終端設備進行了優(yōu)化，從智能手機、平板電腦、計算機與服務器到電源管理產(chǎn)品、電池充電器乃至工業(yè)、電信以及測量設備。

2012-10-23

TI 電流并聯(lián) 監(jiān)測器

4款領先的電流并聯(lián)監(jiān)測器產(chǎn)品

2012-10-23

TI 電流并聯(lián) 監(jiān)測器

TI推出降低散熱達30℃的新降壓升壓轉(zhuǎn)換器

最新 4G 手機具有更高的數(shù)據(jù)上載需求，要求對各種應用程序?qū)崿F(xiàn)“實時”開啟或關閉，這需要更高的射頻功率放大器輸出水平，使LTE即便在較低的電池電壓下也能工作。TI推出新降壓升壓轉(zhuǎn)換器，將流耗銳降50%并降低放大器散熱達30攝氏度。

2012-10-23

TI 降壓升壓轉(zhuǎn)換器 4G手機

泰科電子的表面貼裝2410SFV系列保險絲

泰科電子推出其2410SFV系列20款交流/直流（AC/DC）保險絲產(chǎn)品，在一系列多樣化的高電壓和高電流的設計中，可以提供次級電路保護、節(jié)省電路板的空間和減少設計成本等優(yōu)點。

2012-10-23

泰科電子 TE 表面貼裝 2410SFV 保險絲

TE發(fā)布多種SESD器件

TE發(fā)布一個系列8款全新的單/多通道硅靜電放電(SESD)保護器件，可提供市場上最低的電容、最高的ESD保護和最小尺寸封裝，可幫助免受由靜電放電、浪涌和電纜放電所引起的損壞。

2012-10-23

TE SESD 插入功耗

TE應對嚴酷環(huán)境而推出的“塑料盒”封裝器件

TE全新的LVB125器件，采用了一種獨特的“塑料盒”封裝，可為在裝配方式中使用了化合物灌封或密封化合物的產(chǎn)品提供可復位電路保護，可包括嚴酷環(huán)境應用中的電源、變壓器、工業(yè)控制器和發(fā)動機。

2012-10-23

TE 嚴酷環(huán)境塑料盒

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2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET

適用于空間緊湊的高速接口ESD保護產(chǎn)品

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