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瑞薩電子擴展“云實驗室”，重塑遠程設計
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子集團（TSE：6723）今日宣布，擴展倍受歡迎的“云實驗室”，以簡化配置和測試流程，加快產品上市速度。瑞薩借助先進GUI功能和全新設計參數(shù)增強其遠程實驗室，打造更具吸引力且更符合用戶使用習慣的用戶體驗，并為設計者帶來更高配置靈活性。
2021-09-07
瑞薩電子 云實驗室 遠程設計
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邊緣計算網(wǎng)關的接口保護設計
隨著物聯(lián)網(wǎng)的興起以及云服務的普及，一種新的計算范式–邊緣計算開始出現(xiàn)在我們視野中。邊緣計算主張在網(wǎng)絡的邊緣處理數(shù)據(jù)，從而減少系統(tǒng)反應時間，保護數(shù)據(jù)隱私及安全，延長電池使用壽命，節(jié)省網(wǎng)絡帶寬。目前應用分為工業(yè)和車載應用。
2021-09-07
邊緣計算 網(wǎng)關 接口保護
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在正確的比較中了解SiC FET導通電阻隨溫度產生的變化
比較SiC開關的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢，但是這一指標也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2021-09-07
SiC FET 導通電阻 溫度變化
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負壓脈沖高？教你3招制伏
隨著5G通信與新能源車的普及，人們對高效率電源的需求越來越多。而提升電源轉換效率的關鍵因素就在于開關電源中的功率部分。
2021-09-07
負壓脈 5G通信 電源效率
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開關電源中的局部放電
局部放電（partial discharge，簡稱PD）現(xiàn)象，通常主要指的是高壓電氣設備絕緣層在足夠強的電場作用下局部范圍內發(fā)生的放電，某個區(qū)域的電場強度一旦達到其介質擊穿場強時，該區(qū)域就會出現(xiàn)放電現(xiàn)象。這種放電以僅造成導體間的絕緣局部短（路橋）接而不形成導電通道為限。每一次局部放電對絕緣介質都...
2021-09-07
開關電源 局部放電
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板子上的MOSFET莫名炸機，多半是這個原因！
MOSFET、IGBT是開關電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測試，就是保障其安全工作的重要測試項目！
2021-09-07
MOSFET 炸機 開關電源
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高速SerDes均衡之FFE
高速接口SerDes為實現(xiàn)芯片間信號的有線傳輸，需要完成數(shù)字到模擬的轉化，經(jīng)過通道傳輸后，再將模擬信號轉回數(shù)字信號。并保證傳輸過程保持比較低的誤碼率。本期，結合信道的特性，我們來了解一下SerDes的發(fā)送端TX的均衡原理。
2021-09-07
高速接口 均衡原理
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