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碳化硅功率晶體的設(shè)計(jì)發(fā)展及驅(qū)動(dòng)電壓限制
傳統(tǒng)上在高壓功率晶體的設(shè)計(jì)中,采用硅材料的功率晶體要達(dá)到低通態(tài)電阻,必須采用超級(jí)結(jié)技術(shù)(superjunction),利用電荷補(bǔ)償?shù)姆绞绞估诰樱‥pitaxial layer)內(nèi)的垂直電場(chǎng)分布均勻,有效減少磊晶層厚度及其造成的通態(tài)電阻。
2021-10-25
碳化硅功率晶體 驅(qū)動(dòng)電壓
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如何減少電容器聲音噪聲?
當(dāng)在音頻范圍內(nèi)的頻率下工作時(shí),某些表面貼裝電容器會(huì)表現(xiàn)出噪聲。最近的設(shè)計(jì)使用10μF,35V X5R 1206陶瓷電容器,該電容器會(huì)產(chǎn)生明顯的聲音噪聲。要使這樣的板靜音,可以使用Murata和Kemet等制造商的聲學(xué)靜音電容器。
2021-10-25
電容器 噪聲
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如何選擇倍壓整流電路電容?
倍壓整流電路的實(shí)質(zhì)是電荷泵。在一些需用高電壓、小電流的地方,常常使用倍壓整流電路。倍壓整流,可以把較低的交流電壓,用耐壓較低的整流二極管和電容器,“整”出一個(gè)較高的直流電壓。倍壓整流電路一般按輸出電壓是輸入電壓的多少倍,分為二倍壓、三倍壓與多倍壓整流電路。
2021-10-24
倍壓整流電路 電容
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帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓?fù)浜虵REDFET來提高效率
鑒于全球能源危機(jī),當(dāng)前電子設(shè)備的重點(diǎn)是實(shí)現(xiàn)高功率與低能耗的結(jié)合。因此,許多電子公司都在提高其眾多產(chǎn)品規(guī)格中的效率標(biāo)準(zhǔn)。然而,常規(guī)的硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器幾乎無法滿足這些要求。
2021-10-24
快速體二極管 MOSFET器件 LLC拓?fù)?nbsp; FREDFET
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納微半導(dǎo)體正式登陸納斯達(dá)克,以股票代碼NVTS上市交易
美國(guó)東部時(shí)間2021年10月20日,氮化鎵功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(“納微”)的股票,正式開始在納斯達(dá)克全球市場(chǎng)交易,股票代碼為“NVTS”。首席執(zhí)行官Gene Sheridan在公司領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)的陪伴下,在紐約納斯達(dá)克MarketSite敲響了開市鐘,慶祝公司股票首日上市交易。
2021-10-22
納微半導(dǎo)體正式登陸納斯達(dá)克 以股票代碼NVTS上市交易
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貿(mào)澤電子贊助2021年安森美電源在線研討會(huì)
2021年10月21日 – 專注于引入新品推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 很榮幸能成為2021年安森美電源在線研討會(huì)的贊助商。本次研討會(huì)將從10月29日至11月26日進(jìn)行電源在線直播,5場(chǎng)技術(shù)演講將從功率因數(shù)、建模、仿真、驗(yàn)證、LLC諧振、同步整流等不同方面深入探討如何優(yōu)化電...
2021-10-22
貿(mào)澤電子 安森美 電源
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ADALM2000實(shí)驗(yàn):浮動(dòng)(2端口)電流源/吸電流
本實(shí)驗(yàn)旨在研究如何利用ΔVBE概念來產(chǎn)生穩(wěn)定(對(duì)輸入電壓電平的變化較不敏感)的輸出電流。使用反饋來構(gòu)建在一定的電源電壓范圍內(nèi)產(chǎn)生恒定或調(diào)節(jié)輸出電流的電路。
2021-10-22
ADALM2000 浮動(dòng)電流源 模塊
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