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如何輕松優(yōu)化 AC／DC 轉(zhuǎn)換器以滿足各種EMC要求
AC/DC 電源設(shè)計(jì)人員面臨著持續(xù)的競(jìng)爭(zhēng)壓力，在提高能效并滿足一系列全球電磁兼容性 (EMC) 要求的同時(shí)，還需要降低成本、減少設(shè)計(jì)時(shí)間和外形尺寸。轉(zhuǎn)換器還必須能夠在各種 AC（有時(shí)是 DC）輸入電壓下保持能效和性能，提供寬運(yùn)行溫度范圍，并通過(guò)輸出短路和過(guò)流保護(hù)確保設(shè)備和用戶安全。
2022-02-14
AC／DC 轉(zhuǎn)換器 EMC
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現(xiàn)代電子產(chǎn)品熱阻介紹
隨著設(shè)備變得更強(qiáng)大、尺寸更小巧緊湊，不同行業(yè)的工程師一直在電子產(chǎn)品的熱管理上努力不懈。雖然有許多創(chuàng)意的解決方案可以藉由風(fēng)扇、液體冷卻器、導(dǎo)熱管等高溫導(dǎo)熱器件將熱能帶走，但器件本身也有許多進(jìn)展，從根本上優(yōu)化熱性能。為了幫助您更好地了解如何優(yōu)化您的器件和熱管理系統(tǒng)，本文概述電子產(chǎn)...
2022-02-14
現(xiàn)代電子產(chǎn)品 熱阻
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醫(yī)療應(yīng)用的3D電源封裝DC/DC轉(zhuǎn)換器
具有醫(yī)療級(jí)隔離的DC/DC轉(zhuǎn)換器可與AC/DC電源或電池供電設(shè)備結(jié)合使用，不僅降低醫(yī)療應(yīng)用中的終端產(chǎn)品成本，還能滿足最高等級(jí)的安全標(biāo)準(zhǔn)。
2022-02-14
醫(yī)療應(yīng)用 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
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功率半導(dǎo)體電流額定值和熱設(shè)計(jì)
電流額定值相關(guān)的溫度可能與實(shí)際工作條件有關(guān)，也可能無(wú)關(guān)。如果有關(guān)，電流額定值可用于指示實(shí)際應(yīng)用中器件的電流能力。如果器件的額定值是在典型工作環(huán)境（如25oC）不會(huì)遇到的溫度時(shí)得出的值，它就無(wú)法提供應(yīng)用中實(shí)際器件能力的信息。該值只能用來(lái)比較相似器件在相同溫度時(shí)的電流額定值
2022-02-14
功率半導(dǎo)體 電流額定值 熱設(shè)計(jì)
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ROHM確立了可更大程度追求電源IC響應(yīng)性能的創(chuàng)新電源技術(shù)“QuiCurTM”
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一種新電源技術(shù)“QuiCurTM”，可改善包括DC/DC轉(zhuǎn)換器IC在內(nèi)的各種電源IC的負(fù)載響應(yīng)特性*1（以下稱為“響應(yīng)性能”，指后級(jí)電路工作時(shí)的響應(yīng)速度和電壓穩(wěn)定性）。
2022-02-14
ROHM確立了可更大程度追求電源IC響應(yīng)性能的創(chuàng)新電源技術(shù)“QuiCurTM”
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SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨(dú)使用外，還有串聯(lián)連接、并聯(lián)連接等多種使用方法。
2022-02-11
SiC MOSFET 橋式結(jié)構(gòu)中柵極 源極間電壓
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更高、更快伴生更強(qiáng)要求，迎接DDR5內(nèi)存驗(yàn)證和調(diào)試挑戰(zhàn)
世界正在經(jīng)歷一個(gè)前所未有的時(shí)代，數(shù)據(jù)呈爆發(fā)增長(zhǎng)之勢(shì)，隨著新技術(shù)在更廣泛的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)，這一趨勢(shì)預(yù)計(jì)將進(jìn)一步加快。典型的實(shí)例包括：5G形式的下一代無(wú)線通信，領(lǐng)域不斷擴(kuò)展的人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、加密貨幣、虛擬現(xiàn)實(shí)，甚至汽車(chē)等諸多領(lǐng)域。
2022-02-11
DDR5內(nèi)存
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