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要上天的RISC-V到底落地了哪些應(yīng)用？躍昉攜合作伙伴秀出案例
中國(guó)，深圳——近日，美國(guó)國(guó)家航空航天局（NASA）宣布基于RISC-V架構(gòu)打造下一代高性能航天計(jì)算芯片的消息瞬間出圈，一時(shí)將RISC-V再次推向聚光燈下。事實(shí)上，在上天之前，基于自身低功耗、低成本、靈活可擴(kuò)展、安全可靠等優(yōu)勢(shì)的RISC-V就已在較多領(lǐng)域落地。前不久，RISC-V生態(tài)的積極共建者，高端工業(yè)物...
2022-09-14
RISC-V 躍昉 案例
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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度變頻器ACS180系列
變頻器是各行業(yè)中至關(guān)重要的節(jié)能設(shè)備，ABB傳動(dòng)一直致力于用先進(jìn)的產(chǎn)品和技術(shù)，創(chuàng)新的解決方案為客戶創(chuàng)造價(jià)值，提高生產(chǎn)效能水平，助力變頻器產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
2022-09-14
ABB IGBT7 變頻器
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電源應(yīng)用問(wèn)題之應(yīng)用環(huán)境分析
本文簡(jiǎn)述開(kāi)關(guān)電源常見(jiàn)的應(yīng)用環(huán)境，分析各種典型環(huán)境因素對(duì)電源產(chǎn)品的主要影響機(jī)理，推薦與應(yīng)用環(huán)境相匹配的金升陽(yáng)電源產(chǎn)品，提升電源在不同應(yīng)用環(huán)境中的可靠性。
2022-09-14
開(kāi)關(guān)電源 應(yīng)用環(huán)境 金升陽(yáng)
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開(kāi)啟大功率無(wú)線充電新時(shí)代
無(wú)線充電技術(shù)包括感應(yīng)、磁諧振、電容、射頻輻射、激光、聲波和其他新興技術(shù)。感應(yīng)耦合技術(shù)處于領(lǐng)先地位 [1]，因此，其相關(guān)標(biāo)準(zhǔn) Qi 在無(wú)線充電領(lǐng)域應(yīng)用最為廣泛。
2022-09-14
無(wú)線充電 WLC1115 發(fā)射器
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碳化硅MOS 四引腳封裝在應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)
瑞森半導(dǎo)體科技有限公司經(jīng)過(guò)多年研發(fā)，推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品，目前已得到市場(chǎng)和客戶認(rèn)可，廣泛應(yīng)用于高端服務(wù)器電源、太陽(yáng)能逆變、UPS電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、儲(chǔ)能、充電樁等領(lǐng)域。
2022-09-14
碳化硅 MOS TO-247封裝
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深入剖析高速SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)行為
本文探討了影響高速SiC MOSFET開(kāi)關(guān)特性的關(guān)鍵因素，包括器件特性、工作條件和外部電路；解釋了開(kāi)關(guān)損耗的主要影響因素，并確定了影響器件行為和使用的重要因素，這些因素可以顯著提升SiC MOSFET在功率電路中的開(kāi)關(guān)性能。
2022-09-13
SiC MOSFET 開(kāi)關(guān)
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巧用LC濾波器額，改善高速DAC電源相位噪聲！
對(duì)于高速DAC供電電源的選擇，LDO是久經(jīng)考驗(yàn)的穩(wěn)壓器，尤其適合用來(lái)實(shí)現(xiàn)優(yōu)質(zhì)噪聲性能。相關(guān)技術(shù)資訊，可參閱文章：選擇超低噪聲的LDO來(lái)改善相位噪聲 。
2022-09-13
LC濾波器 DAC 相位噪聲
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