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為什么消費(fèi)類DRAM無法滿足工業(yè)應(yīng)用需求？
消費(fèi)類DRAM廣泛普及，而且往往物美價(jià)廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費(fèi)類DRAM 在工業(yè)應(yīng)用中的真正危險(xiǎn)和缺陷。在本文中，我們將探討消費(fèi)類DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風(fēng)險(xiǎn)。
2023-09-25
消費(fèi)類DRAM 工業(yè)應(yīng)用
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SiC優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及加速向脫碳方向發(fā)展
如今，大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個(gè)相對(duì)新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應(yīng)用于MOSFET和肖特基二極管等半導(dǎo)體技術(shù)。
2023-09-24
SiC 脫碳方向
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MOS管系列在服務(wù)器電源上的應(yīng)用
服務(wù)器電源是指使用在服務(wù)器上的電源（POWER），它和PC電源一樣，都是一種開關(guān)電源，指能夠?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為服務(wù)器所需直流電的電源。
2023-09-24
REASUNOS瑞森半導(dǎo)體 MOS管 服務(wù)器電源
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適用于熱插拔應(yīng)用的具有導(dǎo)通電阻的高效 MOSFET
熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會(huì)產(chǎn)生較大的負(fù)載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會(huì)引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。
2023-09-24
熱插拔應(yīng)用 導(dǎo)通電阻 MOSFET
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選擇正確的電源 IC
電源IC是電源設(shè)計(jì)中必不可少的部件。本教程將提供為給定應(yīng)用選擇適當(dāng) IC 的步驟。它區(qū)分了三種常見的由直流電壓供電的電源 IC：線性穩(wěn)壓器、開關(guān)穩(wěn)壓器和電荷泵。還提供了更的教程和主題的鏈接。
2023-09-24
電源 IC 線性穩(wěn)壓器 開關(guān)穩(wěn)壓器 電荷泵
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工作頻率為 300 kHz 的汽車 LED 驅(qū)動(dòng)器
本應(yīng)用筆記介紹了 MLX10803 降壓拓?fù)渲衅骄?LED 電流的依賴性來源。由于其設(shè)計(jì)工作在低于 150 kHz 的開關(guān)頻率，因此本文檔將介紹如何使用前饋補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)解決相關(guān)性。
2023-09-23
汽車 LED 驅(qū)動(dòng)器
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LED 和檢測(cè)器 IC 的熱阻測(cè)量
該封裝安裝在低電導(dǎo)率測(cè)試板上，根據(jù) JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)，該測(cè)試板的尺寸為 76.2 mm x 76.2 mm。包相對(duì)居中?？偣矞?zhǔn)備了兩個(gè)低電導(dǎo)率板用于測(cè)量。這些測(cè)試板由 FR-4 材料制成，銅跡線厚度符合低電導(dǎo)率板的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。所有板上都使用了經(jīng)過測(cè)試的“良好”設(shè)備。所有熱阻測(cè)量數(shù)據(jù)列于圖 2 中。
2023-09-23
LED 檢測(cè)器 IC 熱阻測(cè)量
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