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Power Integrations完成收購CT-Concept Technologie AG
用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司近日宣布已完成對CT-Concept Technologie AG的收購,自5月1日起生效。
2012-05-09
高壓驅(qū)動 驅(qū)動電壓 IGBT 模塊
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羅姆開發(fā)出世界最小的“VML2”封裝快速恢復(fù)二極管!
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社近日面向智能手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)等追求小型、薄型化的各種電子設(shè)備,開發(fā)出世界最小※1的“VML2”封裝快速恢復(fù)二極管。
2012-05-09
快速恢復(fù) 二極管 智能手機(jī) 數(shù)碼相機(jī)
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開關(guān)電源降低功耗及提高其待機(jī)效率的方法
隨著能源效率的日益重要,人們對開關(guān)電源待機(jī)效率期望越來越高,客戶要求電源制造商的電源產(chǎn)品能滿足綠色能源標(biāo)準(zhǔn)。而大多數(shù)開關(guān)電源由額定負(fù)載轉(zhuǎn)入待機(jī)狀態(tài)時,電源效率急劇下降,待機(jī)效率不能滿足要求。這就給電源設(shè)計(jì)工程師們提出了新的挑戰(zhàn)。
2012-05-09
開關(guān)電源 功耗 待機(jī)效率
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4.5V下1.35mΩ Vishay新一代TrenchFET MOSFET導(dǎo)通電阻創(chuàng)紀(jì)錄
Vishay推出新一代TrenchFET Gen IV系列30V N溝道功率MOSFET器件,新器件實(shí)現(xiàn)了非常高密度的設(shè)計(jì),而沒有明顯增加?xùn)艠O電荷,在10V電壓下實(shí)現(xiàn)了1.0mΩ的極低導(dǎo)通電阻,4.5V下1.35mΩ的導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水準(zhǔn)。
2012-05-09
TrenchFET MOSFET SiRA00DP 導(dǎo)通電阻 Vishay
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PHEV大功率離線式電池充電器設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和解決對策
隨著汽車制造廠商對下一代電池管理和充電系統(tǒng)要求的確定,半導(dǎo)體公司正在推進(jìn)預(yù)期能夠滿足這些要求的產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)程。TI電源系統(tǒng)工程師John Rice將討論與插電式混合動力汽車(PHEV)中的大功率、離線式電池充電器開發(fā)相關(guān)的設(shè)計(jì)要求、架構(gòu)及挑戰(zhàn),并舉例說明為何要為這類應(yīng)用創(chuàng)建數(shù)字電源架構(gòu)。
2012-05-08
TI PHEV 電池管理 BMS 數(shù)字電源控制 HEV
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尋求電池與充電管理中的最佳平衡點(diǎn)
便攜式電子設(shè)備設(shè)計(jì)人員可以選擇各種各樣的化學(xué)技術(shù)、充電器拓?fù)湟约俺潆姽芾斫鉀Q方案。選擇一款最為合適的解決方案應(yīng)該是一項(xiàng)很簡單的工作,但是在大多數(shù)情況下這一過程頗為復(fù)雜。設(shè)計(jì)人員需要在性能、成本、外形尺寸以及其他關(guān)鍵要求方面找到一個最佳平衡點(diǎn)。本文將為廣大設(shè)計(jì)人員和系統(tǒng)工程師提...
2012-05-08
電池 充電管理
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500W微網(wǎng)逆變器系統(tǒng)設(shè)計(jì)
本文在充分分析近年來光伏發(fā)電領(lǐng)域重要研究成果的基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了一套三相光伏發(fā)電并網(wǎng)系統(tǒng),對系統(tǒng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、控制電路給出了詳細(xì)的設(shè)計(jì)要點(diǎn)。以DSP TMS320F2812 為控制核心,實(shí)現(xiàn)了電路保護(hù)、數(shù)據(jù)采集、參數(shù)設(shè)置等功能,為各種光伏并網(wǎng)控制算法提供了靈活可靠的硬件平臺。在軟件方面介紹了SPWM 的...
2012-05-07
太陽能 光伏并網(wǎng) 最大功率跟蹤(MPPT) DSP 孤島效應(yīng)
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如何用智能MOSFET提升醫(yī)療設(shè)計(jì)可靠性及性能?
所有關(guān)于醫(yī)療應(yīng)用的產(chǎn)品在要求高可靠性的同時,仍然需要提供終端用戶想要的新技術(shù)與功能。由于各醫(yī)療設(shè)備公司及其最終應(yīng)用間的競爭愈來愈激烈,功能急劇增加,但是并未考慮到另外一個可能帶來產(chǎn)品失敗的因素。所有這些因素都與電源有關(guān),而且重要的是我們需要採用最新的技術(shù)來使風(fēng)險(xiǎn)最小化。
2012-05-07
智能MOSFET 醫(yī)療設(shè)計(jì)
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應(yīng)對高能效挑戰(zhàn)的安森美半導(dǎo)體創(chuàng)新PFC方案
如今,電源設(shè)計(jì)人員面臨著諸多挑戰(zhàn),既要達(dá)到更高的能效目標(biāo),又要滿足加快產(chǎn)品上市的要求。就實(shí)現(xiàn)更高能效目標(biāo)而言,電源設(shè)計(jì)不僅要顧及滿載能效,而且需要評估10%、20%、50%及75%負(fù)載等條件下的能效。電源設(shè)計(jì)人員還要面對其它不少挑戰(zhàn)如新電源可能更易于滋生可聽噪聲、須增強(qiáng)可靠性及安全性及加...
2012-05-07
死區(qū)時間 跳周期模式 控制頻率
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