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飛兆最新MOSFET采用微間距WL-CSP封裝 占版面積僅0.64mm2
飛兆半導體開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench薄型WL-CSP MOSFET器件。這些器件采用最新的“微間距”薄型WL-CSP封裝工藝,最大限度地減小線路板空間和RDS(ON),并在微小外形尺寸封裝中實現(xiàn)出色的散熱特性,可幫助便攜設備開發(fā)人員應對空間和散熱的挑戰(zhàn)。
2012-05-15
WL-CSP PowerTrench MOSFET FDZ661PZ FDZ663P
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太陽能發(fā)電可靠性分析
人類發(fā)明太陽電池以后不久就應用在照明裝置上。近年來,由于人們的環(huán)境保護意識的提高,在我國太陽能光伏照明裝置得到了重視和推廣應用,但同時也出現(xiàn)許多質量問題。尤其是照度和可靠性等質量問題困擾著我國太陽能光伏照明裝置的發(fā)展。
2012-05-11
太陽能 可靠性
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IR新款600V三相變頻電機驅動IC更加小巧和堅固
國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)宣布推出車用600V IC AUIRS2334S,適合包括高壓壓縮機(HVAC)和風扇在內(nèi)的三相變頻電機驅動應用。與采用三個半橋式驅動器的解決方案相比,AUIRS2334S為車用三相變頻電機驅動應用提供的解決方案更為小巧和堅固。
2012-05-11
三相變頻電機 電機驅動 AUIRS2334S IR
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探討新型低紋波高壓直流電源的設計
高壓直流電源已越來越廣泛的應用于工業(yè)、醫(yī)學、核物理、檢測等領域。對于X 光機,粒子加速器,電子束焊機,電子束曝光機等一些應用場合,對電壓的水平要求比較高,它們均要求低紋波電壓。文章對幾種用于高壓直流電源的電路拓撲結構分別進行了介紹,并對它們進行了比較。
2012-05-11
低紋波 高壓 直流電源
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飛兆半導體再次出擊
FDPC8011S實現(xiàn)電源設計最高功率密度和最高效率隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能,電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側高雙功率芯片非對稱N溝道模塊 FDPC8011S,幫助設計人員應對這一系統(tǒng)挑戰(zhàn)。
2012-05-11
飛兆半導體 電源設計
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高壓負輸出充電泵提供低輸入和輸出紋波
加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2012 年 5 月 10 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出通用高壓充電泵 LTC3260 和 LTC3261。LTC3261 是高壓負輸出充電泵,可提供高達 100mA 的輸出電流。LTC3260 具有與 LTC3261 相同的充電泵,但還包括兩個正及負 LDO 穩(wěn)壓器,每個 LD...
2012-05-10
高壓 充電泵 LDO LTC3260
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實現(xiàn)兆瓦級太陽能與風力發(fā)電變流器小型化和高效化
搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊” 開始發(fā)售為實現(xiàn)低碳社會,有效利用可再生能源的太陽能發(fā)電和風力發(fā)電等兆瓦級大規(guī)模發(fā)電系統(tǒng)的建設正在不斷增加,對功率調(diào)節(jié)器等電力轉換設備的小型化和高效化要求也日益提高。想要實現(xiàn)發(fā)電系統(tǒng)進一步小型化、高效化,一定要了解搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊”。
2012-05-10
IGBT模塊 MPD系列IGBT模塊 三菱電機
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光伏發(fā)電核心技術問題全解析
光能發(fā)電是當今世界的尖端科技,將為全人類徹底解決“能源危機”“環(huán)境污染”和“可持續(xù)發(fā)展”等三大世界難題,將做出歷史性、跨世代的偉大貢獻,將為人類利用新能源、新技術方面進入一個嶄新的時代,在現(xiàn)實的發(fā)展中存在這若干的核心問題。
2012-05-09
光伏 發(fā)電
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太陽能控制器選擇的7大法則
從事太陽能行業(yè)多年,認識了朋友同行,了解到很多公司都是從傳統(tǒng)的市電路燈或者其他領域轉到太陽能行業(yè),一些朋友在施工過程中以及在使用過程中出現(xiàn)過很多問題,主要還是對太陽能路燈的配置組合以及相關輔件應用掌握的不夠。
2012-05-09
太陽能 控制器 法則
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