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GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體，是因?yàn)槠洳牧吓c傳統(tǒng)的硅材料相比有諸多的優(yōu)點(diǎn)，如圖1所示。氮化鎵和碳化硅材料更大的禁帶寬度，更高的臨界場(chǎng)強(qiáng)使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體...
2022-03-27
GaN SiC 電氣工程師
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利用直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的電流調(diào)節(jié)功能
直流電機(jī)啟動(dòng)時(shí)可能需要大電流，這會(huì)給電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源帶來負(fù)擔(dān)。許多電機(jī)驅(qū)動(dòng) IC 中都集成了電流調(diào)節(jié)功能，本文將討論如何利用該功能，同時(shí)以MPS的產(chǎn)品為例來說明如何解決大電流問題。在很多情況下，設(shè)計(jì)人員可以利用電流調(diào)節(jié)功能選用更小的電機(jī)驅(qū)動(dòng) IC。
2022-03-27
直流電機(jī)驅(qū)動(dòng) 電流調(diào)節(jié)
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在DC/DC電源下方鋪銅是否有益？
對(duì)DC/DC 電源的電感底部是否應(yīng)該鋪銅這個(gè)問題，工程師們常常意見分歧。 一種觀點(diǎn)認(rèn)為，在電感下方鋪銅會(huì)在接地面上產(chǎn)生渦流；渦流會(huì)影響功率電感的電感量并增加系統(tǒng)損耗，而接地面噪聲會(huì)影響其他高速信號(hào)。 另一種觀點(diǎn)則認(rèn)為，完整的銅平面可以降低 EMI 并改善散熱。 本文將首先介紹電感的分類，然...
2022-03-26
DC/DC 電源 鋪銅
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如何使用DMA在低功耗可穿戴設(shè)備中加快外設(shè)監(jiān)測(cè)
本文介紹在嵌入式系統(tǒng)程序中使用直接內(nèi)存訪問(DMA)的用例、優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。本文描述了DMA如何與外設(shè)和內(nèi)存模塊交互，以提高CPU的運(yùn)行效率。還將為讀者介紹不同的DMA總線訪問架構(gòu)，及各自的優(yōu)點(diǎn)。
2022-03-26
DMA 可穿戴設(shè)備 外設(shè)監(jiān)測(cè)
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強(qiáng)魯棒性低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南
隨著新能源時(shí)代的到來，車載充電機(jī)（OBC）以及光伏逆變器（PV inverter）等新能源應(yīng)用帶來了數(shù)字控制開關(guān)電源的高速發(fā)展。
2022-03-26
強(qiáng)魯棒性 柵極驅(qū)動(dòng) 設(shè)計(jì)指南
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集成1700V SiC MOSFET車規(guī)高壓開關(guān)不僅是多個(gè)第一
多年來，Power Integrations（PI）不斷將許多用于消費(fèi)類電子AC-DC的產(chǎn)品推向市場(chǎng)，數(shù)量和占有率相當(dāng)可觀。現(xiàn)在，憑借長(zhǎng)期致力于高效功率應(yīng)用的能力，PI又將其AC-DC擴(kuò)展到汽車類應(yīng)用，特別是輕型電動(dòng)汽車高壓功率架構(gòu)，這對(duì)PI來說可是一個(gè)新的應(yīng)用領(lǐng)域。
2022-03-26
SiC MOSFET 車規(guī) 高壓開關(guān)
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安森美公布2021年代理商伙伴獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)?wù)?/span>
2022年3月23日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，公布其2021年代理商伙伴獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)?wù)?。該等?jiǎng)項(xiàng)旨在表彰各地區(qū)的杰出代理商，他們?cè)诓粩喟l(fā)展的半導(dǎo)體市場(chǎng)中引領(lǐng)分銷渠道銷售、擴(kuò)大市場(chǎng)份額、贏得設(shè)計(jì)入選、及在卓越流程的整體表現(xiàn)上都獲得高分。
2022-03-23
安森美 代理商伙伴獎(jiǎng)
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從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比
近年來，因?yàn)樾履茉雌嚒⒐夥皟?chǔ)能、各種電源應(yīng)用等下游市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)，碳化硅功率器件取得了長(zhǎng)足發(fā)展。更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅這樣的寬帶隙（WBG）器件也給應(yīng)用研發(fā)帶來了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，因而業(yè)界對(duì)...
2022-03-20
碳化硅 MOSFET 性能
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低能量水平下的電壓轉(zhuǎn)換
本文將介紹一類新的DC-DC轉(zhuǎn)換器，其中一個(gè)例子是LTC3336。它在待機(jī)模式下僅消耗約65 nA的電流，非常適合電池供電系統(tǒng)。
2022-03-20
電壓轉(zhuǎn)換 DC-DC轉(zhuǎn)換器 LTC3336
- 單個(gè)IC也能構(gòu)建緊湊、高效的雙極性穩(wěn)壓器
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