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MEMS傳感器的優(yōu)化與動(dòng)態(tài)試驗(yàn)
現(xiàn)代液壓技術(shù)研究熱點(diǎn)由靜態(tài)特性向動(dòng)態(tài)特性轉(zhuǎn)變，以往的經(jīng)驗(yàn)證明，靜態(tài)特性很完善的系統(tǒng)，運(yùn)行后時(shí)常會(huì)發(fā)生振動(dòng)、噪音等問題，這主要是由于系統(tǒng)動(dòng)態(tài)特性研究不到造成的。出于種種目的，國內(nèi)外對(duì)管道動(dòng)特性進(jìn)行了許多研究，非定常流動(dòng)的油液，由于其外部表現(xiàn)和內(nèi)在機(jī)理的復(fù)雜性，直到現(xiàn)在仍有不少問...
2011-10-08
MEMS 傳感器 優(yōu)化 動(dòng)態(tài)試驗(yàn)
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ZL9117M：Intersil推出最新17A數(shù)字電源模塊供更高電流
近日，Intersil公司推出其電源模塊家族的最新成員ZL9117M。ZL9117M是一款可提供17A輸出電流的全封閉式數(shù)字電源模塊。
2011-10-07
電源管理 ZL9117M 功率轉(zhuǎn)換 數(shù)字電源
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臺(tái)灣強(qiáng)化光電產(chǎn)業(yè)鏈完整性
我國臺(tái)灣光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展由于ICT及相關(guān)應(yīng)用的技術(shù)不斷創(chuàng)新，帶動(dòng)相關(guān)上游材料發(fā)展需求，面對(duì)下游產(chǎn)業(yè)快速成長，臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局特積極集成及規(guī)劃資源，未來在平面顯示器產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、印刷電路板產(chǎn)業(yè)、太陽能產(chǎn)業(yè)、LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶動(dòng)下，預(yù)估我國臺(tái)灣電子光電材料市場規(guī)模將從2008年新臺(tái)幣5,356...
2011-10-07
太陽能電池 晶硅電池 薄膜電池 光電產(chǎn)業(yè)
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未來十年中國光伏發(fā)電裝機(jī)量或猛增50倍
國家發(fā)改委能源研究所副所長李俊峰日前表示，中國太陽能光伏發(fā)電裝機(jī)量將在2020年達(dá)到50GW甚至100GW。這一數(shù)字與今年的2GW相比，將猛增25-50倍。
2011-10-07
光伏發(fā)電 裝機(jī)量 光伏企業(yè) 光伏產(chǎn)業(yè)
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開關(guān)電源的導(dǎo)通、截止與啟動(dòng)
開關(guān)電源中的開關(guān)管從導(dǎo)通到截止，嚴(yán)格來說是一個(gè)非常復(fù)雜的過程，但我們?cè)谶M(jìn)行工作原理分析的時(shí)候，一般都會(huì)先對(duì)一些非主要問題進(jìn)行簡單化。例如，當(dāng)電源開關(guān)管導(dǎo)通或截止的時(shí)候，我們就把它看成是一個(gè)理想的開關(guān)，其工作時(shí)只有兩種狀態(tài)，通或斷。但實(shí)際上開關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷都是一個(gè)很復(fù)雜的過程...
2011-10-07
開關(guān)電源 開關(guān)管 導(dǎo)通 截至
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同步降壓MOSFET 電阻比的正確選擇
在本文中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。
2011-10-07
MOSFET 電阻比 同步降壓MOSFET
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2011年1-8月電子信息產(chǎn)業(yè)固定資產(chǎn)投資情況
今年以來，在各地大力發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的帶動(dòng)下，電子信息產(chǎn)業(yè)固定資產(chǎn)投資保持高速增長，新開工項(xiàng)目明顯增多，基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域投資領(lǐng)先增長，行業(yè)結(jié)構(gòu)不斷調(diào)整。主要特點(diǎn)為：增速持續(xù)保持高位，投資規(guī)模超過去年11個(gè)月水平；光電器件、新能源電池等領(lǐng)域新開工項(xiàng)目明顯增多，帶動(dòng)全行業(yè)新開工項(xiàng)目...
2011-10-06
電子信息 電子信息產(chǎn)業(yè)
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NESG7030M04：瑞薩新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管提供高水平噪聲效能
瑞薩新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管NESG7030M04提供高水平噪聲效能高級(jí)半導(dǎo)體廠商瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、衛(wèi)星無線電及類似應(yīng)用。本裝置的制程采用全新開發(fā)的硅鍺：碳(SiGe:C)材...
2011-10-06
低噪聲 晶體管 瑞薩電子 ISM頻段
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TDK開發(fā)出可設(shè)置在IC芯片下方的超小型NTC熱敏電阻
近日消息，據(jù)外媒報(bào)道，根據(jù)PCB市調(diào)機(jī)構(gòu)Prisamark預(yù)估，PCB市場需求去年達(dá)1.47兆元，2015年需求可望再締造另一個(gè)兆元規(guī)模，達(dá)2.02兆，其中傳統(tǒng)板的需求比重將超過載板、HDI板，盡管市場規(guī)模動(dòng)輒以千億元單位計(jì)算，PCB廠多半選擇退出，無人擴(kuò)產(chǎn)反而成為新藍(lán)海。
2011-10-06
PCB 半導(dǎo)體 通訊 HDI板
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