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SMM4F:意法半導(dǎo)體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導(dǎo)體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管,新系列產(chǎn)品在三個(gè)主要方面提高性能:在小空間內(nèi)提供先進(jìn)的保護(hù)功能、降低泄漏電流實(shí)現(xiàn)低損耗、結(jié)溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費(fèi)電子
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VFCD1505:Vishay新型高精度Z箔表面貼裝倒裝芯片分壓器
Vishay宣布推出新型VFCD1505表面貼裝倒裝芯片分壓器。當(dāng)溫度范圍在0°C 至 +60°C 以及-55°C 至+125°C時(shí),該分壓器分別具有±0.05ppm/°C和 ±0.2 ppm/°C 的超低絕對(duì) TCR、在額定功率時(shí) ±5ppm的出色PCR跟蹤(自身散熱產(chǎn)生的 ?R)及±0.005%的負(fù)載壽命穩(wěn)定度。
2008-05-14
VFCD1505 分壓器
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TR8系列:Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容,采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR(在100 kHz和47 μF條件下),而采用0603封裝的具有業(yè)內(nèi)最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan鉭芯片電容
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DG系列:Vishay八款高精度儀表應(yīng)用模擬多路復(fù)用器與開(kāi)關(guān)
日前,Vishay推出八款面向高精度儀表應(yīng)用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復(fù)用器與開(kāi)關(guān)。這些產(chǎn)品還是同類器件中首批除標(biāo)準(zhǔn) TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無(wú)引線微型 QFN 封裝的器件。
2008-05-12
DG604 DG4052A DG4051A DG4053A DG611A DG612A DG613 DG636 多路復(fù)用器與開(kāi)關(guān)
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DG系列:Vishay八款高精度儀表應(yīng)用模擬多路復(fù)用器與開(kāi)關(guān)
日前,Vishay推出八款面向高精度儀表應(yīng)用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復(fù)用器與開(kāi)關(guān)。這些產(chǎn)品還是同類器件中首批除標(biāo)準(zhǔn) TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無(wú)引線微型 QFN 封裝的器件。
2008-05-12
DG604 DG4052A DG4051A DG4053A DG611A DG612A DG613 DG636 多路復(fù)用器與開(kāi)關(guān)
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ACAS 0612 AT:Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列
日前,Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜芯片電阻陣列,該器件已通過(guò)AEC-Q200測(cè)試,并具有1000V額定電壓的ESD穩(wěn)定性。該器件經(jīng)優(yōu)化可滿足汽車行業(yè)對(duì)溫度和濕度的新要求,同時(shí)可為工業(yè)、電信及消費(fèi)電子提供較高的重復(fù)性和穩(wěn)定的性能。
2008-05-09
ACAS 0612 AT 薄膜芯片電阻陣列
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VLRE31/VLRK31系列:Vishay新型高亮度SMD LED
為滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)AlInGaP技術(shù)的需求,日前,Vishay宣布推出兩種新系列的、采用倒立鷗翼式封裝的黃色和紅色SMD LED,這兩種系列的SMD LED具有高發(fā)光強(qiáng)度和低功耗的特點(diǎn)。
2008-05-09
VLRE31 VLRK31 LED
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VAR:Vishay 新型超高精度、高分辯率 Z 箔音頻電阻
日前,Vishay宣布推出新型超高精度 Z 箔音頻電阻,該電阻采取特殊設(shè)計(jì),可增加信號(hào)清晰度。當(dāng)溫度范圍在 -55°C 至 +125°C 時(shí),該器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時(shí) 5ppm 的出色PCR(自身散熱產(chǎn)生的 ?R)、0.01% 的絕對(duì)容差且電流噪聲小于 -40dB。
2008-05-07
VAR Z 箔音頻電阻
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VAR:Vishay 新型超高精度、高分辯率 Z 箔音頻電阻
日前,Vishay宣布推出新型超高精度 Z 箔音頻電阻,該電阻采取特殊設(shè)計(jì),可增加信號(hào)清晰度。當(dāng)溫度范圍在 -55°C 至 +125°C 時(shí),該器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時(shí) 5ppm 的出色PCR(自身散熱產(chǎn)生的 ?R)、0.01% 的絕對(duì)容差且電流噪聲小于 -40dB。
2008-05-07
VAR Z 箔音頻電阻
- 協(xié)同創(chuàng)新,助汽車行業(yè)邁向電氣化、自動(dòng)化和互聯(lián)化的未來(lái)
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