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VHP203：Vishay 新型密封式微型超高精度Z 箔電阻
為滿足高可靠性應(yīng)用中對性能的長期穩(wěn)定性的需求，Vishay推出新型密封式 VHP203微型超高精度 Z 箔電阻。這款新型器件在 0°C～+60°C范圍內(nèi)具有 ±0.05 ppm/°C 的低絕對 TCR、額定功率時 ±5 ppm 的出色功率系數(shù)、±0.001% 的容差，以及 ±0.002% (20 ppm) 的負(fù)載壽命穩(wěn)定性。
2008-06-27
VHP203 Z 箔電阻
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IHLP-2020BZ-01：Vishay 2020封裝IHLP超薄、高電流電感器
Vishay宣布推出采用 2020 封裝尺寸的新型 IHLP超薄、髙電流電感器。這款小型 IHLP-2020BZ-01具有 5.18mm×5.49mm 的占位面積、2.0mm 的超薄厚度、較高的最大頻率，以及 0.1μH～10μH 的標(biāo)準(zhǔn)電感值。
2008-06-27
IHLP-2020BZ-01 電感器 IHLP
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CSM2512S：Vishay新型表面貼裝Power Metal Strip電阻
Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面貼裝Power Metal Strip電阻，該電阻可在額定功率及+70oC的條件下保持長達2,000小時的±0.05%負(fù)載壽命穩(wěn)定性， 在–55oC至+125oC及25oC參考溫度條件下實現(xiàn)±15 PPM/oC的絕對TCR ，以及具有 ±0.1%的容差。
2008-06-27
CSM2512S Bulk Metal Power Metal Strip電阻
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CSM2512S：Vishay新型表面貼裝Power Metal Strip電阻
Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面貼裝Power Metal Strip電阻，該電阻可在額定功率及+70oC的條件下保持長達2,000小時的±0.05%負(fù)載壽命穩(wěn)定性， 在–55oC至+125oC及25oC參考溫度條件下實現(xiàn)±15 PPM/oC的絕對TCR ，以及具有 ±0.1%的容差。
2008-06-27
CSM2512S Bulk Metal Power Metal Strip電阻
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NS-34R：Epson Toyocom高性能的表面聲波(SAW)諧振器
Epson Toyocom將表面聲波（SAW）諧振器的設(shè)計技術(shù)和超精密制造技術(shù)相融合，開發(fā)出以基波對應(yīng)振蕩頻率為2.5GHz的高頻、同時達到±200×10-6的高度頻率穩(wěn)定度的表面聲波（SAW）諧振器NS-34R。計劃在2008年度內(nèi)實現(xiàn)商品化。
2008-06-25
NS-34R 表面聲波諧振器SAW
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NS-34R：Epson Toyocom高性能的表面聲波(SAW)諧振器
Epson Toyocom將表面聲波（SAW）諧振器的設(shè)計技術(shù)和超精密制造技術(shù)相融合，開發(fā)出以基波對應(yīng)振蕩頻率為2.5GHz的高頻、同時達到±200×10-6的高度頻率穩(wěn)定度的表面聲波（SAW）諧振器NS-34R。計劃在2008年度內(nèi)實現(xiàn)商品化。
2008-06-25
NS-34R 表面聲波諧振器SAW
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D2TO35：Vishay 新型35W厚膜功率電阻
Vishay宣布推出新型 35W 厚膜功率電阻，該器件采用易于安裝的小型 TO-263 封裝 (D2PAK)，并且具有廣泛的電阻值范圍。
2008-06-25
D2TO35 厚膜電阻
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D2TO35：Vishay 新型35W厚膜功率電阻
Vishay宣布推出新型 35W 厚膜功率電阻，該器件采用易于安裝的小型 TO-263 封裝 (D2PAK)，并且具有廣泛的電阻值范圍。
2008-06-25
D2TO35 厚膜電阻
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ESD7L5.0D/NUP4212：安森美RF設(shè)備和便攜應(yīng)用ESD保護產(chǎn)品
安森美半導(dǎo)體擴充高性能片外靜電放電(ESD)保護產(chǎn)品系列，推出兩款新器件——ESD7L5.0D和NUP4212。這些新產(chǎn)品以安森美半導(dǎo)體專有的集成ESD保護平臺設(shè) 計，提高了鉗位電壓性能，同時保持低電容和小裸片尺寸。
2008-06-23
ESD保護 ESD7L5.0 NUP4212 便攜應(yīng)用 RF天線
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