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電路設(shè)計(jì)及EMC器件選擇
在新設(shè)計(jì)及開發(fā)項(xiàng)目的開始，正確選擇有源與無源器件及完善的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，將有利于以最低的成本獲得EMC認(rèn)證，減少產(chǎn)品因屏蔽和濾波所帶來的額外的成本、體積和重量。 這些技術(shù)也可以提高數(shù)字信號(hào)的完整性及模擬信號(hào)信噪比，可以減少重復(fù)使用硬件及軟件至少一次，這也將有助于新產(chǎn)品達(dá)到其功能技術(shù)...
2011-10-08
電路 EMC 電磁兼容 器件
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開關(guān)電源PCB 電磁兼容性的建模分析
開關(guān)型變換器噪聲的干擾路徑為干擾源和被干擾設(shè)備提供了耦合條件，對(duì)其共模干擾和差模干擾的研究尤為重要。本文主要分析了電路主要元器件的高頻模型以及共模和差模噪聲的電路模型，為開關(guān)電源PCB 的EMC 優(yōu)化設(shè)計(jì)提供有益的幫助。
2011-10-08
開關(guān)電源 PCB 電磁兼容 共模干擾 差模干擾
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電控汽車傳感器特性變化引起的故障分析
冷卻液溫度傳感器由對(duì)溫度變化非常敏感的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻構(gòu)成。該電阻具有外界溫度越高其電阻值越小的特性。根據(jù)這一特性，利用電阻值的變化檢測(cè)冷卻液的溫度，并將這一信號(hào)輸送給ECU，作為噴油量的重要修正信號(hào)。
2011-10-08
電控汽車 傳感器 故障分析 ECU VAG1552檢測(cè)儀
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支撐汽車四大主題的電子技術(shù)
隨著汽車向電子化發(fā)展，電子部件在汽車制造成本中的比例正迅速提高，很多看法認(rèn)為其比例將達(dá)到40％。汽車對(duì)電子技術(shù)的依賴程度越來越高，2007 年電子部件在汽車制造成本中所占比例如下，“花冠”級(jí)小型車為10～15％、“雷克薩斯”等高級(jí)車為20～30％、“普銳斯”等混合動(dòng)力車約為50％。各種車型平均來說達(dá)...
2011-10-08
汽車 電子技術(shù) 混合動(dòng)力車 車載軟件
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采用PLC 解決車輛分散驅(qū)動(dòng)的同步控制問題
當(dāng)車輛驅(qū)動(dòng)電機(jī)采用分散驅(qū)動(dòng)時(shí), 受電機(jī)轉(zhuǎn)速不同步的影響, 可導(dǎo)致車體運(yùn)行不協(xié)調(diào), 進(jìn)而使電機(jī)轉(zhuǎn)速偏離正常值, 嚴(yán)重時(shí)會(huì)造成設(shè)備損壞。因此,解決車輛驅(qū)動(dòng)電機(jī)在分散驅(qū)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的電機(jī)轉(zhuǎn)速不同步問題具有現(xiàn)實(shí)意義。
2011-10-08
PLC 車輛分散驅(qū)動(dòng) 同步控制 驅(qū)動(dòng)布置
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MEMS傳感器的優(yōu)化與動(dòng)態(tài)試驗(yàn)
現(xiàn)代液壓技術(shù)研究熱點(diǎn)由靜態(tài)特性向動(dòng)態(tài)特性轉(zhuǎn)變，以往的經(jīng)驗(yàn)證明，靜態(tài)特性很完善的系統(tǒng)，運(yùn)行后時(shí)常會(huì)發(fā)生振動(dòng)、噪音等問題，這主要是由于系統(tǒng)動(dòng)態(tài)特性研究不到造成的。出于種種目的，國內(nèi)外對(duì)管道動(dòng)特性進(jìn)行了許多研究，非定常流動(dòng)的油液，由于其外部表現(xiàn)和內(nèi)在機(jī)理的復(fù)雜性，直到現(xiàn)在仍有不少問...
2011-10-08
MEMS 傳感器 優(yōu)化 動(dòng)態(tài)試驗(yàn)
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開關(guān)電源的導(dǎo)通、截止與啟動(dòng)
開關(guān)電源中的開關(guān)管從導(dǎo)通到截止，嚴(yán)格來說是一個(gè)非常復(fù)雜的過程，但我們?cè)谶M(jìn)行工作原理分析的時(shí)候，一般都會(huì)先對(duì)一些非主要問題進(jìn)行簡單化。例如，當(dāng)電源開關(guān)管導(dǎo)通或截止的時(shí)候，我們就把它看成是一個(gè)理想的開關(guān)，其工作時(shí)只有兩種狀態(tài)，通或斷。但實(shí)際上開關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷都是一個(gè)很復(fù)雜的過程...
2011-10-07
開關(guān)電源 開關(guān)管 導(dǎo)通 截至
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同步降壓MOSFET 電阻比的正確選擇
在本文中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。
2011-10-07
MOSFET 電阻比 同步降壓MOSFET
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USB 2.0與USB 3.0功能特性對(duì)比分析
對(duì)于開發(fā)商而言，挑戰(zhàn)是如何充分利用USB 3.0的潛能。本文將探討使用USB 3.0硬件軟件設(shè)計(jì)問題，本文主要介紹的是手持產(chǎn)品。首先，我們將比較USB 2.0和USB 3.0的性能，以及過渡到USB 3.0模塊影響到的器件。
2011-10-07
USB 2.0 USB 3.0 USB
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