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【當(dāng)代材料電學(xué)測試】系列之一： 納米測試（下）
【當(dāng)代材料電學(xué)測試課堂】系列涉及當(dāng)代材料科學(xué)尖端的電運(yùn)輸及量子材料/超導(dǎo)材料測試、一維/碳納米管材料測試、二維材料及石墨烯測試及納米材料的應(yīng)用測試。今天跟您分享第一篇，【當(dāng)代材料電學(xué)測試課堂】系列之一：納米測試（下）。
2021-03-15
材料電學(xué)測試 納米測試
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【當(dāng)代材料電學(xué)測試課堂】系列之一： 納米測試（上）
材料性質(zhì)的研究是當(dāng)代材料科學(xué)的重要一環(huán)，所謂材料的性質(zhì)是指對材料功能特性和效用的定量度量和描述，即材料對電、磁、光、熱、機(jī)械載荷的反應(yīng)。源表SMU 在當(dāng)代材料科學(xué)研究中，起到舉足輕重的作用，選擇適合某類材料電性能測試的SMU，如何降低測試誤差，測試中應(yīng)當(dāng)注意什么，這些問題都需要重點關(guān)...
2021-03-15
材料電學(xué)測試 納米測試
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關(guān)于SiP與先進(jìn)封裝的異同點
SiP系統(tǒng)級封裝（System in Package)，先進(jìn)封裝HDAP（High Density Advanced Package)，兩者都是當(dāng)今芯片封裝技術(shù)的熱點，受到整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的高度關(guān)注。那么，二者有什么異同點呢？
2021-03-15
SiP 先進(jìn)封裝
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如何選取輸入電源Y電容？
隔離電源在初次級上加Y電容是為了給次級的共模電流提供一個回路到初級，減少共模電流對輸出的影響。有時候Y電容串接在大電解電容的正和或者是地之間，這都是可以的。有時候原副邊串兩個Y電容是為了提供更高的耐壓。
2021-03-15
電源 Y電容
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詳解PWM驅(qū)動MOS管H橋電路
H橋是一個典型的直流電機(jī)控制電路，因為它的電路形狀酷似字母H，故得名與“H橋”。4個三極管組成H的4條垂直腿，而電機(jī)就是H中的橫杠（注意：圖中只是簡略示意圖，而不是完整的電路圖，其中三極管的驅(qū)動電路沒有畫出來）。
2021-03-15
PWM驅(qū)動 MOS管 H橋電路
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10kHz MEMS加速度計，提供4mA至20mA輸出，適合狀態(tài)監(jiān)控應(yīng)用
狀態(tài)監(jiān)控(CbM)是一種預(yù)測性維護(hù)方式，其利用各種傳感器來評估設(shè)備隨時間的運(yùn)行狀態(tài)。收集的傳感器數(shù)據(jù)用于建立基線趨勢，從而幫助診斷甚至預(yù)測故障。與傳統(tǒng)的定期預(yù)防性維護(hù)模式相比，利用CbM可以在需要時進(jìn)行維護(hù)，時間和成本都能得到節(jié)省。
2021-03-15
MEMS加速度計 狀態(tài)監(jiān)控 應(yīng)用
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TL431反饋回路的分析和設(shè)計
TL431（如圖一）是最常用的三端可調(diào)電流基準(zhǔn)源之一，熱穩(wěn)定性能好，性價比高，被廣泛應(yīng)用于運(yùn)放電路，比較器電路，ADC基準(zhǔn)源，可調(diào)壓電源，開關(guān)電源等。在隔離開關(guān)電源電路中尤為常見，TL431常被用做運(yùn)放配合線性光耦來完成電壓環(huán)的補(bǔ)償。如圖二所示（圖中L是為了降低輸出電壓紋波加的小電感）。
2021-03-15
TL431 反饋回路 設(shè)計
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