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SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對(duì)Gate-Source電壓（VGS）帶來(lái)的影響時(shí),需要在包括SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路的寄生分量在內(nèi)的等效電路基礎(chǔ)上進(jìn)行考量。
2022-01-17
SiC MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路
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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2022-01-17
SiC MOSFET 橋式結(jié)構(gòu)
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思特威與加速科技正式簽署合作協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)高速圖像采集測(cè)試系統(tǒng)！
2022年1月17日，中國(guó)上海 — 技術(shù)先進(jìn)的CMOS圖像傳感器供應(yīng)商思特威（SmartSens）將與杭州加速科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“加速科技”）展開進(jìn)一步深入合作，共同開發(fā)用于超高分辨率和超高幀率圖像傳感器高速接口測(cè)試的高速圖像采集測(cè)試系統(tǒng)。該高速圖像采集測(cè)試系統(tǒng)預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)傳輸速率將達(dá)到3.5Gsps，有助...
2022-01-17
思特威 加速科技 圖像采集
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基于LM5036的半橋DC／DC電源非恒定電流限制
同時(shí)，LM5306在過(guò)流保護(hù)時(shí)可以進(jìn)入打嗝模式。其周期可由RES引腳上的外接電容進(jìn)行配置。除了傳統(tǒng)的過(guò)流打嗝模式，LM5036還支持倒灌電流的嗝模式保護(hù) 。當(dāng)?shù)构嚯娏鞣磸?fù)出現(xiàn)時(shí)，LM5036也可進(jìn)入打嗝模式。打嗝重啟電容器處設(shè)置15μA電流源。
2022-01-17
LM5036 半橋DC／DC電源 非恒定電流限制
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ScaleFlux為高性能數(shù)據(jù)庫(kù)提供超密集的計(jì)算存儲(chǔ)解決方案
作為大規(guī)模部署計(jì)算存儲(chǔ)的領(lǐng)導(dǎo)者，ScaleFlux于近日宣布其旗艦CSD 2000解決方案與Supermicro的FatTwin?（一種高密度4U多節(jié)點(diǎn)系統(tǒng)）相契合——提供了一個(gè)完全集成的高性能、經(jīng)濟(jì)高效的平臺(tái)，非常適合部署Redis on Flash (RoF)。
2022-01-17
ScaleFlux 數(shù)據(jù)庫(kù) 存儲(chǔ)方案
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電路板的電磁兼容問題如何處理？
隨著信息化社會(huì)的發(fā)展，各種電子產(chǎn)品經(jīng)常在一起工作，它們之間的干擾越來(lái)越嚴(yán)重，所以，電磁兼容問題也就成為一個(gè)電子系統(tǒng)能否正常工作的關(guān)鍵。
2022-01-17
電路板 電磁兼容
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為什么LED內(nèi)不集成限流電阻呢？
使用LED的過(guò)程中，需要在電路中設(shè)計(jì)有限流電路（可以是限流電阻，或者恒流電路）以保證LED流過(guò)的電流不要超過(guò)LED最大工作電流。使用限流電阻是在普通的LED應(yīng)用中的最常見方便的電路?，F(xiàn)在還存在著 一些更加復(fù)雜，集成有更多功能的LED芯片可以使用。本文討論了為什么早期單個(gè)LED內(nèi)部不直接集成限流電...
2022-01-17
LED 限流電阻
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