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誤啟動(dòng)的發(fā)生機(jī)制
上一篇文章中通過標(biāo)準(zhǔn)型且具有快恢復(fù)特性的SJ MOSFET的雙脈沖測試,介紹了“在橋式電路中,恢復(fù)特性可通過使用高速M(fèi)OSFET來降低損耗,但是在某些情況下,即使使用高速M(fèi)OSFET也無法降低導(dǎo)通損耗”。本文就其中一個(gè)原因即誤啟動(dòng)現(xiàn)象進(jìn)行說明。
2020-12-16
誤啟動(dòng) 發(fā)生機(jī)制 MOSFET
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從先進(jìn)器件到系統(tǒng)級方案 羅姆傾情助力工業(yè)電機(jī)設(shè)計(jì)
作為全球能源消耗的重點(diǎn)產(chǎn)品,各類電機(jī)消耗了全球一半以上的電力資源,足見電機(jī)應(yīng)用在整個(gè)社會(huì)運(yùn)轉(zhuǎn)中的重要作用,特別是在各種數(shù)字化產(chǎn)業(yè)升級趨勢的引領(lǐng)下,功能越來越強(qiáng)大的電機(jī)系統(tǒng)在工業(yè)應(yīng)用中發(fā)揮著越來越重要的作用。因此,如何實(shí)現(xiàn)更高效更節(jié)能的電機(jī)系統(tǒng)對整個(gè)工業(yè)系統(tǒng)的運(yùn)行效率和成本效益...
2020-12-16
羅姆 工業(yè)電機(jī) 設(shè)計(jì)
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微波功率放大器發(fā)展概述
微波功率放大器主要分為真空和固態(tài)兩種形式。基于真空器件的功率放大器,曾在軍事裝備的發(fā)展史上扮演過重要角色,而且由于其功率與效率的優(yōu)勢,現(xiàn)在仍廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、通信、電子對抗等領(lǐng)域。
2020-12-16
微波功率放大器
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磁滯損耗的理解
我們先前有講過電感的損耗,分為銅損和鐵損,銅損指直流導(dǎo)通電阻,一般不會(huì)大。而鐵損就是指磁芯損耗了,主要包括磁滯損耗和渦流損耗。而這兩者主要與磁芯的材質(zhì)種類有關(guān)。下面來看看磁珠是怎么利用磁滯損耗和渦流損耗來工作的。
2020-12-16
磁滯損耗 電感
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冰箱壓縮機(jī)設(shè)計(jì)使用數(shù)字信號控制器實(shí)現(xiàn)高能效等級
冰箱和其他廚房電器由于對能源的高需求,對離網(wǎng)能源系統(tǒng)提出了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。現(xiàn)在,改進(jìn)的冰箱壓縮機(jī)由無刷直流電動(dòng)機(jī)或永磁同步電動(dòng)機(jī)(PMSM)驅(qū)動(dòng),以滿足高能效等級。通過為無刷電機(jī)使用基于逆變器的變速驅(qū)動(dòng)器,可以實(shí)現(xiàn)這種高能效。
2020-12-16
冰箱壓縮機(jī) 數(shù)字信號控制器
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具有集成式驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。
2020-12-16
集成式驅(qū)動(dòng)器 自我保護(hù) GaN FET 工業(yè)電源 設(shè)計(jì)
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高性能標(biāo)準(zhǔn)CMOS傳感器應(yīng)用于3D視覺、感測和度量
3D成像技術(shù)早在數(shù)十年前已經(jīng)出現(xiàn),但是民用化產(chǎn)品卻只在2000年代才推出市場,那時(shí)主流電影企業(yè)發(fā)布利用高清攝影機(jī)拍攝的3D電影。從那時(shí)開始,這一應(yīng)用范圍里,不論在速度、精度和3D圖像分辨率都有飛躍進(jìn)展,并且獲得從消費(fèi)性市場到機(jī)器視覺工業(yè)的廣泛應(yīng)用。
2020-12-16
CMOS傳感器 應(yīng)用 3D視覺 感測和度量
- Vishay推出多款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管
- 優(yōu)恩半導(dǎo)體(UNSEMI)推出業(yè)內(nèi)首款多功能直流電源保護(hù)模塊
- 倍福推出用于測量電池和發(fā)電機(jī)等設(shè)備電壓的測量端子模塊
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- Position / Current Sensors - Triaxis Hall