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干貨

元器件靜電放電隱患貫穿元器件設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、檢驗(yàn)、交接、運(yùn)輸、使用全過程，通用的防護(hù)手段不可或缺，但為滿足新型號用元器件的發(fā)展對靜電防護(hù)技術(shù)的提升需求，需要建立系統(tǒng)性、工程性的靜電防護(hù)體系，遵循靜電防護(hù)與全面質(zhì)量管理相結(jié)合，靜電防護(hù)與關(guān)鍵工序質(zhì)量控制相結(jié)合，靜電防護(hù)堅(jiān)持領(lǐng)導(dǎo)、技術(shù)人員、基層員工三結(jié)合的原則，控制元器件靜電放電損傷質(zhì)量問題的產(chǎn)生，為保障型號元器件可靠性提供了有力的支撐。

不比不知道！系統(tǒng)層級靜電放電與芯片層級靜電放電的差異

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，大量集成電路被應(yīng)用到電子產(chǎn)品中，靜電放電也成為影響電子產(chǎn)品性能的關(guān)鍵因素。但是靜電放電針對不同的環(huán)境也有不同的差異。最為明顯的就是系統(tǒng)層級靜電放電和芯片層級靜電放電。詳細(xì)閱讀>>

問題盤點(diǎn)：智能手機(jī)EMI測試中ESD靜電放電

智能手機(jī)設(shè)計(jì)在經(jīng)歷電磁兼容測試時(shí)候總是會(huì)出現(xiàn)或多或少的ESD靜電放電抗擾問題，這些ESD問題都分布在哪里呢？主要是些什么樣的ESD靜電放電問題？有什么大的問題和后果？詳細(xì)閱讀>>

基于USB3.0靜電放電防護(hù)的解決方案

為實(shí)現(xiàn)十倍于USB2.0的傳輸速度，USB 3.0控制芯片必須使用更先進(jìn)的制程來設(shè)計(jì)與制造，這也造成控制芯片對ESD的耐受能力快速下降。USB 3.0會(huì)被大量用來傳輸影音數(shù)據(jù)，對數(shù)據(jù)傳輸容錯(cuò)率會(huì)有越嚴(yán)格的要求，必要使用額外的保護(hù)組件來防止ESD事件對數(shù)據(jù)傳輸?shù)母蓴_。詳細(xì)閱讀>>

ESD - 設(shè)計(jì)PCB時(shí)的抗靜電放電方法

在PCB板的設(shè)計(jì)當(dāng)中，可以通過分層、恰當(dāng)?shù)牟季植季€和安裝實(shí)現(xiàn)PCB的抗ESD設(shè)計(jì)。通過調(diào)整PCB布局布線，能夠很好地防范ESD.盡可能使用多層PCB，相對于雙面PCB而言，地平面和電源平面，以及排列緊密的信號線-地線間距能夠減小共模阻抗和感性耦合，使之達(dá)到雙面PCB的1/10到1/100.對于頂層和底層表面都有元器件、具有很短連接線。詳細(xì)閱讀>>

關(guān)于靜電放電保護(hù)的專業(yè)知識，不看可惜了！

靜電，通常都是人為產(chǎn)生的，如生產(chǎn)、組裝、測試、存放、搬運(yùn)等過程中都有可能使得靜電累積在人體、儀器或設(shè)備中，甚至元器件本身也會(huì)累積靜電，當(dāng)人們在不知情的情況下使這些帶電的物體接觸就會(huì)形成放電路徑，瞬間使得電子元件或系統(tǒng)遭到靜電放電的損壞(這就是為什么以前修電腦都必須要配戴靜電環(huán)托在工作桌上，防止人體的靜電損傷芯片)，如同云層中儲(chǔ)存的電荷瞬間擊穿云層產(chǎn)生劇烈的閃電，會(huì)把大地劈開一樣，而且通常都是在雨天來臨之際，因?yàn)榭諝鉂穸却笠仔纬蓪?dǎo)電通到。詳細(xì)閱讀>>

如何有效防護(hù)靜電放電？

在尺寸不斷縮小的微電子時(shí)代，如果靜電放電(ESD)瞬變未加抑制地在PCB走線上出現(xiàn)之前你不去主動(dòng)地阻止它們，那么ESD事件很可能毀了你的產(chǎn)品。詳細(xì)閱讀>>

基礎(chǔ)知識

電子產(chǎn)品的靜電放電保護(hù)（一）

為了提高產(chǎn)品的耐受性，影響整個(gè)電子業(yè)的四個(gè)長期趨勢，促使靜電放電(ESD)保護(hù)在目的性工程的總體實(shí)踐中日益重要。首先，與數(shù)年前相比，隨著用戶、信號I/O功能日益復(fù)雜和流行，產(chǎn)品上ESD的閃擊進(jìn)入點(diǎn)多了許多。尤其是對于信號I/O端口，以及小鍵盤、指示器、顯示器。詳細(xì)閱讀>>

電子產(chǎn)品的靜電放電保護(hù)（二）

實(shí)際上，所有ESD測試標(biāo)準(zhǔn)都涉及了沖擊源模型，例如人體、機(jī)器或充電器件。這些模型精確地解釋了測試源的導(dǎo)電特性。最新的測試標(biāo)準(zhǔn)如普遍應(yīng)用的IEC-61000-4-2，詳述了沖擊波形，進(jìn)一步將測試源簡化成測試源變量參數(shù)，為研究和評估各種高速瞬態(tài)緩解辦法提供了關(guān)鍵信息。詳細(xì)閱讀>>

元器件靜電放電損傷及防護(hù)

隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，特別是隨著集成電路特征尺寸的減小以及MOS集成電路的廣泛使用，新型集成電路普遍具有線間距短、線細(xì)、集成度高、運(yùn)算速度快、低功率和輸入阻抗高等特點(diǎn)，因而導(dǎo)致這類器件對靜電放電越來越敏感。詳細(xì)閱讀>>

ESD的設(shè)計(jì)學(xué)問太深了，這里只是拋磚引玉給大家科普一下了，基本上ESD的方案有如下幾種:電阻分壓、二極管、MOS、寄生BJT、SCR(PNPN structure)等幾種方法。而且ESD不僅和Design相關(guān)，更和FAB的process相關(guān)，而且學(xué)問太深了，這里我也不是很了解，無法給再大家深入了。當(dāng)然術(shù)業(yè)專攻學(xué)無止境，工作中只有不斷學(xué)習(xí)才會(huì)創(chuàng)收更高效益。