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SiC MOSFET FIT率和柵極氧化物可靠性的關(guān)系
除了性能之外,可靠性和堅(jiān)固性是SiC MOSFET討論最多的話題。我們將堅(jiān)固性定義為器件承受特定的特殊壓力事件的能力,例如,短路能力或脈沖電流處理能力??煽啃灾钙骷谀繕?biāo)壽命內(nèi)額定工作條件下的穩(wěn)定性。與可靠性相關(guān)的現(xiàn)象包括某些電氣參數(shù)的漂移或毀壞性的故障。對(duì)于硬故障,通常以FIT率的形式進(jìn)行量化。FIT率說明了某一類型的設(shè)備在一定時(shí)期內(nèi)預(yù)期有多少次故障。目前,宇宙射線效應(yīng)主要制約著大功率硅器件的FIT率。
2022-07-13
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超寬壓鐵路電源方案的分析與對(duì)比
全球主流鐵路系統(tǒng)呈現(xiàn)多電壓供電,導(dǎo)致電源模塊無法歸一化實(shí)現(xiàn)掉電保持功能,增加了客戶應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)難度和管理成本。為兼容超寬全電壓輸入范圍和電容歸一化,金升陽利用自主IC的優(yōu)勢(shì)發(fā)明了一種主動(dòng)式掉電保持電路。本文通過分析市面上幾種常見鐵路電源方案的優(yōu)缺點(diǎn),對(duì)超寬壓鐵路電源方案進(jìn)行對(duì)比與總結(jié)。
2022-07-13
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仿真看世界之SiC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題
這篇微信文章,其實(shí)構(gòu)思已久。為了有所鋪墊,已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎(chǔ)篇。2022,讓我們?cè)俅瘟牧脑赟iC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題。
2022-07-12
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25kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第八部分完結(jié)篇):熱管理
在本系列的前幾篇文章中[1-7],我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。在這一章,我們來看看其中的熱管理部分是如何提高效率和可靠性,同時(shí)防止系統(tǒng)過早失效的。
2022-07-11
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貿(mào)澤榮獲Vishay頒發(fā)的三項(xiàng)年度分銷商大獎(jiǎng)
2022年7月8日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 非常榮幸地宣布同時(shí)獲得知名電子元件制造商Vishay Intertechnology, Inc.頒發(fā)的三項(xiàng)大獎(jiǎng)。這三個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)分別為2021年度美洲優(yōu)質(zhì)服務(wù)分銷商、2021年度美洲優(yōu)質(zhì)服務(wù)半導(dǎo)體分銷商和2021年度EMEA優(yōu)質(zhì)服務(wù)分銷商。
2022-07-08
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構(gòu)建高效通信連接,貿(mào)澤將攜手Molex舉辦汽車天線解決方案在線研討會(huì)
2022年7月7日 – 專注于引入新品推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新?的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)宣布將攜手Molex于7月12日14:00-15:00舉辦主題為“車輪上的數(shù)據(jù)中心-Molex天線解決方案”的直播研討會(huì)。屆時(shí),來自Molex的技術(shù)專家將為觀眾分享應(yīng)用于汽車上的不同類型的天線方案,幫助工程師面對(duì)不同場景時(shí),能夠快速設(shè)計(jì)出高效的汽車通信產(chǎn)品。
2022-07-07
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25kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第七部分):800V EV充電系統(tǒng)的輔助電源
在本系列的前幾篇文章中[1-6],我們介紹了基于安森美(onsemi)的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25kW EV快充系統(tǒng),包括這個(gè)可擴(kuò)展系統(tǒng)的整體架構(gòu)和規(guī)格,以及其中PFC和DC-DC變換部分的硬件設(shè)計(jì)和控制策略。我們基本已經(jīng)把電路設(shè)計(jì)部分講完了,除了輔助電源設(shè)計(jì)的相關(guān)內(nèi)容。
2022-07-07
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安森美的VE-TracTM SiC系列為電動(dòng)車主驅(qū)逆變提供高能效、高功率密度和成本優(yōu)勢(shì)
雙碳目標(biāo)正加速推進(jìn)汽車向電動(dòng)化發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動(dòng)車,新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨(dú)特優(yōu)勢(shì)將改變電動(dòng)車的未來,如在關(guān)鍵的主驅(qū)逆變器中采用SiC可滿足更高功率和更低的能效、更遠(yuǎn)續(xù)航、更小損耗和更低的重量,以及向800 V遷移的趨勢(shì)中更能發(fā)揮它的優(yōu)勢(shì),但面臨成本、封裝及技術(shù)成熟度等多方面挑戰(zhàn)。安森美(onsemi)提供領(lǐng)先的智能電源方案,在SiC領(lǐng)域有著深厚的歷史積淀,是世界上少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商之一,其創(chuàng)新的VE TracTM Direct SiC和VE-TracTM B2 SiC方案采用穩(wěn)定可靠的平面SiC技術(shù),結(jié)合燒結(jié)技術(shù)和壓鑄模封裝,幫助設(shè)計(jì)人員解決上述挑戰(zhàn),配合公司其他先進(jìn)的智能功率電源半導(dǎo)體,加快市場采用電動(dòng)車,助力未來的交通邁向可持續(xù)發(fā)展。
2022-07-07
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貿(mào)澤榮獲2021年度RECOM目錄分銷商獎(jiǎng)
2022年7月6日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 很高興地宣布榮獲RECOM Power Inc.頒發(fā)的2021年度目錄分銷商獎(jiǎng)。RECOM Power Inc.是一家專門生產(chǎn)AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器及開關(guān)穩(wěn)壓器的電源制造商。在頒獎(jiǎng)典禮上,RECOM表彰了貿(mào)澤在新產(chǎn)品引入和全球客戶增長方面的卓越表現(xiàn)。
2022-07-06
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分立式CoolSiC MOSFET的寄生導(dǎo)通行為研究
米勒電容引起的寄生導(dǎo)通常被認(rèn)為是碳化硅MOSFET的弱點(diǎn)。為了避免這種效應(yīng),硬開關(guān)逆變器通常采用負(fù)柵極電壓關(guān)斷。但是,這對(duì)于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎?
2022-07-06
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仿真看世界之SiC單管的開關(guān)特性
如下圖1是今年英飛凌新推出的一顆TO-247-3封裝的1200V/45m?的SiC MOSFET單管。假定該器件焊到PCB后,其管腳到器件內(nèi)部芯片柵極、漏極和源極的雜散參數(shù)如下圖所示,其中VD1_Q1、VG1_Q1和VS2_Q1表示器件Q1外部管腳測(cè)到的信號(hào),VD0_Q1、VG0_Q1和VS0_Q1表示器件Q1內(nèi)部芯片的信號(hào),芯片Q1內(nèi)包含寄生電阻Rgint=4?。
2022-07-06
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如何正確理解SiC MOSFET的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性
CoolSiC? MOSFET集高性能、堅(jiān)固性和易用性于一身。由于開關(guān)損耗低,它們的效率很高,因此可以實(shí)現(xiàn)高功率密度。但盡管如此,工程師需要了解器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能以及關(guān)鍵影響參數(shù),以實(shí)現(xiàn)他們的設(shè)計(jì)目標(biāo)。在下面的文章中,我們將為您提供更多關(guān)于這方面的見解。
2022-07-05
- 貿(mào)澤與Cinch聯(lián)手發(fā)布全新電子書深入探討惡劣環(huán)境中的連接應(yīng)用
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