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保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞
功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標(biāo)志。然而，越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計(jì)的角度來看，單個MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而，在處理成千上萬個MOSFET時，極小的故障都可能帶來極大的影響。
2022-06-13
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保護(hù)USB Type-C連接器
今天的消費(fèi)者已經(jīng)很快地對采用 USB-C 或 USB-Type C 通信接口標(biāo)準(zhǔn)的移動設(shè)備變得依賴——從智能手機(jī)和平板電腦到可穿戴設(shè)備和筆記本電腦。因此，設(shè)計(jì)針對靜電放電 (ESD) 和過熱條件的強(qiáng)大保護(hù)從未像現(xiàn)在這樣重要。
2022-06-07
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國產(chǎn)超低電容0.05pF ESD在天線的應(yīng)用
5G天線有多少根?目前一部手機(jī)天線不少于11根，5G迫使手機(jī)端頻段日益增多，天線的數(shù)量也將隨之增加。手機(jī)天線端的ESD也被要求進(jìn)步中。
2022-05-17
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高速接口利用T-coil的帶寬提升解決方案
隨著集成電路尺寸的縮小，以及集成電路工作速率的不斷攀升，數(shù)據(jù)通信網(wǎng)絡(luò)、微處理器、存儲等產(chǎn)品的高速IO接口已經(jīng)達(dá)到幾十甚至上百GHz并對靜電防護(hù)（ESD）越來越嚴(yán)格。然而，較大的ESD防護(hù)網(wǎng)絡(luò)擁有高量級的電容，這對于接口帶寬非常不利。是否能通過一種有效的方案，在不減少ESD電容的情況下，有效提升高速接口的帶寬呢？
2022-04-14
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抓住JESD204B接口功能的關(guān)鍵問題
JESD204B是最近批準(zhǔn)的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，用于轉(zhuǎn)換器與數(shù)字處理器件之間的串行數(shù)據(jù)接口。它是第三代標(biāo)準(zhǔn)，解決了先前版本的一些缺陷。該接口的優(yōu)勢包括：數(shù)據(jù)接口路由所需電路板空間更少，建立與保持時序要求更低，以及轉(zhuǎn)換器和邏輯器件的封裝更小。多家供應(yīng)商的新型模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器采用此接口，例如ADI公司的 AD9250 。
2022-01-10
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做好準(zhǔn)備：關(guān)于 ESD 和 RF 設(shè)備您需要了解什么
靜電放電 (ESD) 現(xiàn)象從一開始就存在。我們第一次接觸 ESD 往往是在孩童時代，在干燥的冬日觸碰金屬門把手時，會有種觸電的感覺——這就是靜電放電。這種短暫的不適感通常對人類來說不是問題，但是即使是少量的 ESD 也有可能會損毀敏感電路。
2021-11-29
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移動設(shè)備的 ESD 設(shè)計(jì)戰(zhàn)略：您的 SEED 工具
我們在第 1 部分介紹了 ESD 的基本概念以及系統(tǒng)高效 ESD 設(shè)計(jì) (SEED)。本博客將為您介紹 SEED 工具箱中所有必要的部分。第 3 部分將介紹如何將 SEED 方法及建模和模擬一起用于優(yōu)化系統(tǒng)級手機(jī)設(shè)計(jì)。
2021-11-29
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用于優(yōu)化ESD RF前端設(shè)計(jì)的SEED方法（第3部分）
通常，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員使用反復(fù)試驗(yàn)的方法來添加 ESD 保護(hù)。那是否存在負(fù)面影響呢？僅使用組件級 ESD 規(guī)范不足以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。我們的目標(biāo)是預(yù)測最終手機(jī)設(shè)計(jì)的 ESD 性能，以創(chuàng)建一個提供 ESD 保護(hù)的萬無一失、一次性過關(guān)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
2021-11-26
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寬帶數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的JESD204B與串行LVDS接口考量
開發(fā)串行接口業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)JESD204A/JESD204B的目的在于解決以高效省錢的方式互連最新寬帶數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器與其他系統(tǒng)IC的 問題。其動機(jī)在于通過采用可調(diào)整高速串行接口，對接口進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化，降低數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器與其他器件（如現(xiàn)場可編程門陣列FPGA和系統(tǒng)級芯片SoC）之間的數(shù)字輸入/輸出數(shù)量。
2021-11-01
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為什么高速信號ESD設(shè)置要flow-through
目前的芯片工藝越來越精密，主IC都到納米級別了，具有極薄光刻技術(shù)和極易受到 ESD 影響的柵極氧化物的先進(jìn)技術(shù)，所以IC的防靜電能力主要是保護(hù)自身在生產(chǎn)運(yùn)輸和安裝過程中不受損壞。
2021-10-21
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前端放大器中使用ESD二極管作為電壓鉗的設(shè)計(jì)
在輸入不受系統(tǒng)控制而是連接到外部世界的許多應(yīng)用中，例如測試設(shè)備、儀器儀表和一些傳感設(shè)備，輸入電壓可能會超過前端放大器的ZD額定電壓。在這些應(yīng)用中，必須實(shí)施保護(hù)方案以保持設(shè)計(jì)的生存范圍和穩(wěn)健性。
2021-10-20
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USB3.0接口保護(hù)ESD應(yīng)用
通用串行總線(USB)規(guī)范的3.0版本提供了比USB2.0在性能上的飛躍。將數(shù)據(jù)速率提高了10倍。它還將傳輸線擴(kuò)展到3個差分對(與前2.0代中的1個相比)。USB于1996年推出1.0版。在低速度(LS)模式下1.5Mbit/sec，在全速度(FS)模式下12Mbit/秒。在2000年USB2.0進(jìn)入市場。新的高速(HS)模式可達(dá)480Mbit/sec。它仍然向下兼容低速和全速模式。
2021-09-09
- 協(xié)同創(chuàng)新，助汽車行業(yè)邁向電氣化、自動化和互聯(lián)化的未來
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