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Energy Micro任命全球首位Simplicity（簡易工作室?）副總裁
節(jié)能微處理器公司Energy Micro 宣布任命?yvind Grotmol為Simplicity副總裁。這次任命旨在支持該公司的目標(biāo)，即：極大地降低MCU系統(tǒng)的復(fù)雜性并減少開發(fā)時(shí)間。?yvind將負(fù)責(zé)開發(fā)Energy Micro的軟件工具、代碼庫和開發(fā)工具包，包括最近宣布開發(fā)出來的簡易工作室?（Simplicity Studio?）和即將開發(fā)的節(jié)能無線電（Energy Friendly Radio-- EFR?）產(chǎn)品。
2010-12-06
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RF3932：RFMD開發(fā)出75W氮化鎵功率晶體管可用于ATU傳輸網(wǎng)絡(luò)
日前，高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者RF Micro Devices, Inc.宣布已通過并生產(chǎn)RF3932，這種無與倫比的75瓦特高效率氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管(UPT)比砷化鎵和硅工藝技術(shù)的性能更出色。
2010-12-02
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HMC641LP4E/HMC944LC4：Hittite推出單刀四擲開關(guān)用于測試測量設(shè)備
近日，全球知名的射頻微波MMIC廠商Hittite公司推出兩個(gè)SMT封裝的GaAs MMIC SP4T開關(guān)（單刀四擲），HMC641LP4E和HMC944LC4，從而為高達(dá)30GHz的工業(yè)傳感器、測試測量設(shè)備、微波通訊、電子對抗和空間應(yīng)用領(lǐng)域提供理想解決方案。
2010-11-29
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Vishay榮獲2010中國市場電子元器件領(lǐng)軍廠商獎(jiǎng)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司榮獲中電會(huì)展與信息傳播有限公司(CEEIC)頒發(fā)的“分立半導(dǎo)體類”2010中國市場電子元器件領(lǐng)軍廠商獎(jiǎng)(CMECMA)。
2010-11-26
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2011年全球平板裝置市場將增長183%
資策會(huì)產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所(MIC)預(yù)估，2010年全球平板裝置(Tablet Device)市場規(guī)模將達(dá)到1,228萬臺(tái)，2011年約為3,481萬臺(tái)，成長率為183%；預(yù)期至2012年將會(huì)突破5,000萬臺(tái)，成長率為45.7%。
2010-11-26
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Energy Micro公司任命Andrea Marchi為亞太區(qū)銷售副總
2010年11月24日節(jié)能微控制器公司Energy Micro日前宣布任命Andrea Marchi為亞太地區(qū)的銷售副總。他與Energy Micro中國區(qū)總經(jīng)理和銷售總監(jiān)Bryan Hung一起在該公司在香港新開的亞洲總部就職。
2010-11-25
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泰科推出微型Pico交換同軸連接器適用于自動(dòng)檢測
隨著移動(dòng)設(shè)備生產(chǎn)微型化趨勢的不斷發(fā)展，市場對與移動(dòng)終端高頻匹配的微型連接器的需求也在日益增長。為了滿足這一需求，泰科電子日前推出了一款微型 Pico交換同軸連接器。該產(chǎn)品尺寸為2X2X0.9毫米，可進(jìn)行精度為0.4毫米的自校準(zhǔn)。這是市場上最小的同軸連接器產(chǎn)品之一。
2010-11-24
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LED光源工作原理及亮度穩(wěn)定性
目前LED照明產(chǎn)品要達(dá)到高發(fā)光效率，進(jìn)而成為下一代主要光源，首要考慮的是電源模塊的設(shè)計(jì)，針對不同的燈具產(chǎn)品選擇正確的設(shè)計(jì)架構(gòu)。此外，電源控制IC也必須提高電源效率、功率因子、可靠性，以開發(fā)適合LED照明需求的產(chǎn)品。
2010-11-23
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FAN5400系列：飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出USB兼容鋰離子電池開關(guān)式充電器
在通過USB端口或 AC/DC適配器為單節(jié)或雙節(jié)鋰離子(Li-Ion)電池充電時(shí)，設(shè)計(jì)人員需要能夠提高充電速度并解決線性充電器相關(guān)的散熱問題的解決方案。為了滿足這一需求，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了具備USB-OTG功能的 FAN5400系列USB兼容鋰離子電池開關(guān)式充電器。
2010-11-22
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VCXO系列：安森美推出PureEdge硅壓控晶體振蕩器系列用于通信領(lǐng)域
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)進(jìn)一步擴(kuò)充其PureEdge硅壓控晶體振蕩器(VCXO)系列，推出6款新器件。
2010-11-22
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飛兆半導(dǎo)體改進(jìn)型柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器
為了滿足全球各地的能效標(biāo)準(zhǔn)要求，太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員需要具備更低功耗和更快開關(guān)速度的性能更高的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發(fā)出一款輸出電流為3A的高速M(fèi)OSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器產(chǎn)品FOD3184。該器件適用于工作頻率高達(dá)250kHz的功率 MOSFET和IGBT的高頻驅(qū)動(dòng)，相比常用的FOD3120柵極驅(qū)動(dòng)器，新器件的傳輸遲延時(shí)間縮短了50%，功耗降低了13%。
2010-11-19
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SiZ710DT：Vishay Siliconix推出低導(dǎo)通電阻MOSFET器件用于筆記本電腦
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出首款采用PowerPAIR? 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對稱雙通道TrenchFET?功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的導(dǎo)通電阻減小43%，同時(shí)具有更高的最大電流并提高效率...
2010-11-19
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