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ML610Q380：羅姆推出單芯片低功耗家電用微控制器
羅姆集團(tuán)旗下的LAPIS Semiconductor Co., Ltd.開(kāi)發(fā)出一款單芯片的低功耗微控制器“ML610Q380系列”產(chǎn)品，此產(chǎn)品將以往用于家電的控制IGBT的PWM電路和LCD驅(qū)動(dòng)器等微控制器功能、以及高音質(zhì)、低功耗的語(yǔ)音播放功能集于一枚芯片，這在業(yè)內(nèi)尚屬首家。由于以往用于家電的微控制器沒(méi)有語(yǔ)音播放功能，因此想追加語(yǔ)音功能時(shí)，語(yǔ)音合成功能和功放需要由不同的芯片組成。而使用本LSI產(chǎn)品，不僅可以芯片一體化，而且可以替換掉以往用于家電的微控制器，輕松實(shí)現(xiàn)語(yǔ)音功能，是需要語(yǔ)音輸出的家用電器和遙控器的最佳選擇。
2012-04-13
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高能效設(shè)計(jì)——中國(guó)北車(chē)永濟(jì)IGBT性能探秘
我國(guó)電傳動(dòng)系統(tǒng)的龍頭企業(yè)——北車(chē)永濟(jì)于2012年4月10日出席了由CNT Networks、中國(guó)電子展組委會(huì)和China Outlook Consulting在深圳舉辦的第九屆高能效設(shè)計(jì)研討會(huì)。
2012-04-11
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高能效設(shè)計(jì)研討會(huì)聚焦新能源/新能源汽車(chē)四大設(shè)計(jì)熱點(diǎn)
在科技部發(fā)布的《十二五科技發(fā)展規(guī)劃》中，新能源系統(tǒng)和新能源汽車(chē)是十二五規(guī)劃的產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)之一。同時(shí)，積極利用新能源，發(fā)展新能源汽車(chē)也符合國(guó)際社會(huì)對(duì)節(jié)能減排的環(huán)保訴求。為了幫助新能源系統(tǒng)和新能源汽車(chē)廠商提高設(shè)計(jì)能力，CNT Networks攜手中國(guó)電子展、China Outlook Consulting召開(kāi)高能效設(shè)計(jì)研討會(huì)，聚焦新能源和新能源汽車(chē)，講解動(dòng)力電池管理、IGBT應(yīng)用、薄膜電容和超級(jí)電容應(yīng)用、MCU應(yīng)用、逆變器設(shè)計(jì)和系統(tǒng)測(cè)試等技術(shù)要點(diǎn)。
2012-04-10
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聚焦電池管理與元器件替換 突破新能源/新能源汽車(chē)效率瓶頸
在科技部發(fā)布的《十二五科技發(fā)展規(guī)劃》中，新能源系統(tǒng)和新能源汽車(chē)是十二五規(guī)劃的產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)之一。同時(shí)，積極利用新能源，發(fā)展新能源汽車(chē)也符合國(guó)際社會(huì)對(duì)節(jié)能減排的環(huán)保訴求。高能效設(shè)計(jì)研討會(huì)聚焦新能源和新能源汽車(chē)的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題，通過(guò)動(dòng)力電池管理、IGBT應(yīng)用、薄膜電容和超級(jí)電容應(yīng)用、系統(tǒng)測(cè)試四大技術(shù)熱點(diǎn)的分享幫助工程師解決設(shè)計(jì)難題。
2012-04-09
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650V:飛兆半導(dǎo)體IGBT提高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的效率和系統(tǒng)可靠性
太陽(yáng)能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員面臨提高能效，滿足散熱法規(guī)，同時(shí)減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)了一系列針對(duì)光伏逆變器應(yīng)用的650V IGBT產(chǎn)品，幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這一行業(yè)挑戰(zhàn)。
2012-03-29
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IGBT模塊的作用
對(duì)IGBT的特性及使用時(shí)的注意事項(xiàng)進(jìn)行了探討，提出了選擇和安裝過(guò)程中應(yīng)該注意的方面。
2012-03-15
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IGBT整流器功率因數(shù)控制方法及CT損壞對(duì)整流器的影響
IGBT整流器是一種電壓型PWM整流器，具有能量雙向流動(dòng)、恒定直流電壓控制，以及高功率因數(shù)控制（cosφ≈1.0）等特點(diǎn)。使用該類(lèi)型整流器除了實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)節(jié)省電能外，還能夠減少電網(wǎng)諧波，省去電網(wǎng)側(cè)無(wú)功補(bǔ)償svc裝置。本文介紹IGBT整流器功率因數(shù)控制的方法及CT損壞對(duì)整流器的影響。
2012-02-29
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基于EXB841的IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開(kāi)關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點(diǎn)，近年來(lái)在各種電能變換裝置中得到了廣泛應(yīng)用。但是，IGBT的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路影響IGBT的通態(tài)壓降、開(kāi)關(guān)時(shí)間、快開(kāi)關(guān)損耗、承受短路電流能力及du/dt等參數(shù)，并決定了IGBT靜態(tài)與動(dòng)態(tài)特性。因此設(shè)計(jì)高性能的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù)。
2012-02-21
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逆變H橋IGBT單管驅(qū)動(dòng)+保護(hù)詳解
本文給逆變器的后級(jí)H橋電路換上IGBT管，從IGBT的驅(qū)動(dòng)電路、電流采集電流和保護(hù)機(jī)制三個(gè)角度，深入了解IGBT的相關(guān)特性，發(fā)現(xiàn)采用峰值電流保護(hù)的措施能讓逆變H橋電路中的IGBT不會(huì)炸。
2012-02-07
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大功率變流器系統(tǒng)H橋低感疊層母線排設(shè)計(jì)
本文從實(shí)際出發(fā)，針對(duì)80kva/400a變流系統(tǒng)h橋母線排提出一種新的優(yōu)化設(shè)計(jì)方案，從igbt布局，母排結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，緩沖吸收電路選擇等方面全方位保證母排電感參數(shù)達(dá)到最優(yōu)，在實(shí)際應(yīng)用中有很好的可行性和可靠性。
2012-02-07
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AUIR0815S：IR推出超低輸出阻抗車(chē)用柵極驅(qū)動(dòng)IC
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出車(chē)用IC ── AUIR0815S，具備超過(guò)10 A 的高輸出電流，能夠驅(qū)動(dòng)逆變器級(jí)的大型 IGBT 和 MOSFET，適用于混合動(dòng)力汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)中的動(dòng)力系統(tǒng)。
2012-02-02
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UCC27524/UCC27210(1)：TI推出高效率可靠MOSFET驅(qū)動(dòng)器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出3款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步壯大其MOSFET驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣營(yíng)。UCC27210與UCC27211是業(yè)界首批120 V啟動(dòng)高低側(cè)雙通道輸出MOSFET驅(qū)動(dòng)器，可在解決驅(qū)動(dòng)器輸入-10 V直流電(VDC)抗擾度問(wèn)題的同時(shí)，提供高達(dá)4 A的輸出電流。此外，TI還面向二次側(cè)同步整流器MOSFET及IGBT電源開(kāi)關(guān)推出了業(yè)界速度最快的5 A雙通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器UCC27524。
2012-01-17
- 是否存在有關(guān) PCB 走線電感的經(jīng)驗(yàn)法則？
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