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PXI Express：NI與BAE Systems、Phase Matrix公司共同發(fā)布PXI綜合測(cè)試儀
美國(guó)國(guó)家儀器有限公司與BAE Systems公司、Phase Matrix公司于近日共同發(fā)布了一款針對(duì)軍事和商業(yè)射頻/微波應(yīng)用的、基于PXI平臺(tái)的下一代26.5GHz綜合測(cè)試儀。這款綜合測(cè)試儀通過(guò)整合模塊化硬件與平臺(tái)軟件來(lái)創(chuàng)建用戶自定義的測(cè)試測(cè)量系統(tǒng)，它屬于虛擬儀器的一個(gè)分支。
2008-10-27
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新日光能源簽下3.34億歐元電池片協(xié)議
臺(tái)灣太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)商新日光能源科技股份有限公司日前宣布與荷蘭的光伏組件生產(chǎn)商Scheuten Solar Technology GmbH簽署了一份長(zhǎng)期合約。
2008-10-24
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電源準(zhǔn)諧振變換器的研究
準(zhǔn)諧振變換（Quasi-resonant Converters）是一種成熟的技術(shù)，在電源消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域已獲得了廣泛應(yīng)用。本文闡述了準(zhǔn)諧振反激變換器和降壓變換器，介紹了它們提高電源效率的工作原理。
2008-10-14
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀(jì)末出現(xiàn)的一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)集于一身：輸入阻抗高，開(kāi)關(guān)頻率高，工作電流大等，在變頻器、開(kāi)關(guān)電源，弧焊電源等領(lǐng)域得到廣泛地應(yīng)用。M57962L采用+15V、- 10V雙電源供電，由于采用- 10V關(guān)斷電壓，能更可靠關(guān)斷，同時(shí)具有封閉性軟關(guān)斷功能，從而使IGBT更加安全的工作。
2008-10-11
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汽車安全傳感器市場(chǎng)商機(jī)無(wú)限
汽車的安全性已經(jīng)成為企業(yè)和消費(fèi)者最為關(guān)心的問(wèn)題。如今的汽車企業(yè)，為了滿足消費(fèi)者對(duì)產(chǎn)品安全性日益苛刻的要求，開(kāi)始想方設(shè)法地將最尖端的科技運(yùn)用到汽車上。除了底盤控制系統(tǒng)和安全氣囊等傳統(tǒng)的安全配置以外，一些新興的汽車電子安全產(chǎn)品開(kāi)始得到了普及。比如TPMS（汽車輪胎壓力監(jiān)測(cè)系統(tǒng)）、倒車?yán)走_(dá)、具有遠(yuǎn)程故障診斷和道路救援功能的Telematics（移動(dòng)信息系統(tǒng)）以及一些智能化識(shí)別系統(tǒng)等等。
2008-09-05
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EG-2102CA/EG-2121CA HCSL：Epson Toyocom SAW振蕩器
Epson Toyocom公司開(kāi)發(fā)研制出適用于PCI Express 、FB-DIMM (Fully Buffered DIMM) 、HCSL（高速電流驅(qū)動(dòng)邏輯、High-speed Current Steering Logic） 輸出的低抖動(dòng) 、低相位噪音 的表面聲波（SAW）振蕩器：EG-2102CA HCSL與EG-2121CA HCSL。
2008-09-02
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賽維LDK與印度光伏老大簽5年供應(yīng)合同
剛剛成為全球最大硅片生產(chǎn)商的賽維LDK太陽(yáng)能有限公司(下稱“賽維LDK”)昨日宣布，公司近日與印度的XL Telecom & Energy公司簽訂了為期5年的太陽(yáng)能多晶硅片供應(yīng)合同。后者是印度最大的太陽(yáng)能企業(yè)。
2008-08-20
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CLIK-Mate：Molex 2.00mm SMT連接器系列
Molex推出新系列的2.00mm間距SMT線到板連接器，設(shè)計(jì)用于需要牢固的電氣接觸的應(yīng)用。CLIK-Mate連接器采用可以聽(tīng)到卡接聲的主動(dòng)式鎖定機(jī)構(gòu)，該連接器額定電流為3.0安培，可以在各種最終用戶產(chǎn)品中用于信號(hào)和電源連接，包括平板顯示器、游戲設(shè)備和車載系統(tǒng)。
2008-04-30
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VEMT系列：Vishay PLCC-2 封裝的新型硅NPN光電晶體管
日前，Vishay推出采用可與無(wú)鉛 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面貼裝封裝的新系列寬角光電晶體管。VEMT 系列中的器件可作為當(dāng)前 TEMT 系列光電晶體管的針腳對(duì)針腳及功能等同的器件，從而可實(shí)現(xiàn)快速輕松的替代，以滿足無(wú)鉛 (Pb) 焊接要求。
2008-04-04
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SP72x系列：Littelfuse新款ESD保護(hù)和電路保護(hù)SCR二極管
Littelfuse公司宣布拓展其適用于靜電放電保護(hù)及其它電信和數(shù)據(jù)通訊接口電路過(guò)壓保護(hù)的 SP72x 系列 SCR 二極管陣列。SP725 特別適用于對(duì)微處理器/邏輯輸入、數(shù)據(jù)總線、模擬設(shè)備輸入以及眾多其它鉗位電壓應(yīng)用的保護(hù)。
2008-01-28
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3D三維晶體管
研制成功，這項(xiàng)技術(shù)被稱為“年度最重要技術(shù)”，3-D Tri-Gate三維晶體管相比于32nm平面晶體管可帶來(lái)最多37%的性能提升，而且同等性能下的功耗減少一半，這意味著它們更加適合用于小型掌上設(shè)備。
1970-01-01
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lte是什么
LTE(Long Term Evolution,長(zhǎng)期演進(jìn))項(xiàng)目是3G的演進(jìn)，始于2004年3GPP的多倫多會(huì)議。LTE并非人們普遍誤解的4G技術(shù)，而是3G與4G技術(shù)之間的一個(gè)過(guò)渡，是3.9G的全球標(biāo)準(zhǔn),它改進(jìn)并增強(qiáng)了3G的空中接入技術(shù)，采用OFDM和MIMO作為其無(wú)線網(wǎng)絡(luò)演進(jìn)的唯一標(biāo)準(zhǔn)。在20MHz頻譜帶寬下能夠提供下行326Mbit/s與上行86Mbit/s的峰值速率。改善了小區(qū)邊緣用戶的性能，提高小區(qū)容量和降低系統(tǒng)延遲。
1970-01-01
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