-
BLL6H1214-500：NXP L波段雷達(dá)應(yīng)用RF輸出功率器件
恩智浦半導(dǎo)體擴(kuò)張其業(yè)界領(lǐng)先的RF Power 晶體管產(chǎn)品線，近日推出最新的針對(duì)L波段雷達(dá)應(yīng)用的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS)晶體管，該晶體管在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間帶來(lái)達(dá)500W的突破性的RF輸出功率。
2008-11-25
-
汽車電子：從喧囂回歸理性
在此次72屆電子展上，第六屆汽車電子論壇和汽車電子展區(qū)吸引了眾多元器件供應(yīng)商和整機(jī)廠商的關(guān)注，新的產(chǎn)品應(yīng)用讓設(shè)計(jì)工程師對(duì)汽車電子設(shè)計(jì)思路和應(yīng)用有了新的認(rèn)識(shí)。雖然目前國(guó)內(nèi)汽車電子企業(yè)研發(fā)主要集中在汽車娛樂(lè)和導(dǎo)航系統(tǒng)，但未來(lái)必然會(huì)參與動(dòng)力、安全等核心系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)，設(shè)計(jì)工程師需要深刻的理解基礎(chǔ)電子元器件在汽車上的應(yīng)用，對(duì)傳感器、執(zhí)行器、電容、電阻、ESD保護(hù)以及功率器件的知識(shí)融會(huì)貫通，才能更好地和電子元器件供應(yīng)商合作，進(jìn)行同步開(kāi)發(fā)。
2008-11-20
-
汽車電子功率MOSFET
經(jīng)過(guò)數(shù)年的發(fā)展，如今汽車內(nèi)部的功率器件和設(shè)計(jì)考慮事項(xiàng)在廣度方面已取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。本文將介紹和討論幾種推動(dòng)汽車電子功率器件變革的新型應(yīng)用。還將探討實(shí)現(xiàn)當(dāng)前汽車電子系統(tǒng)功率MOSFET的一些發(fā)展?fàn)顩r。這些發(fā)展將有助于促進(jìn)汽車電子行業(yè)向前。
2008-11-05
-
功率器件熱設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算
本文主要探討電子設(shè)備熱失效的問(wèn)題，通過(guò)對(duì)功率器件發(fā)熱原理的分析和散熱的計(jì)算，得出散熱方式的設(shè)計(jì)和散熱器的選擇。
2008-10-24
-
IGBT 在不間斷電源中的應(yīng)用
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為UPS 功率設(shè)計(jì)的首選，只有對(duì)IGBT的特性充分了解和對(duì)電路進(jìn)行可靠性設(shè)計(jì)，才能發(fā)揮IGBT 的優(yōu)點(diǎn)。本文介紹UPS 中的IGBT 的應(yīng)用情況和使用中的注意事項(xiàng)。
2008-10-16
-
IGCT門極驅(qū)動(dòng)電路的原理分析
在目前的中電壓大功率應(yīng)用領(lǐng)域，占主導(dǎo)地位的功率半導(dǎo)體器件有晶閘管、GTO和IGBT等，這些傳統(tǒng)的功率器件在實(shí)用方面都存在一些缺陷。ABB半導(dǎo)體公司率先提出了一種新型功率半導(dǎo)體器件—IGCT。它的關(guān)鍵思想是將改進(jìn)結(jié)構(gòu)的GTO與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū)動(dòng)電路集成在一起，再與其門極驅(qū)動(dòng)器在外圍以低電感方式連接。在性能上明顯優(yōu)于目前廣泛使用的GTO和IGBT器件。著重對(duì)IGCT門極驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)和原理進(jìn)行了介紹和分析。
2008-10-14
-
IGBT驅(qū)動(dòng)電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀(jì)末出現(xiàn)的一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)集于一身：輸入阻抗高，開(kāi)關(guān)頻率高，工作電流大等，在變頻器、開(kāi)關(guān)電源，弧焊電源等領(lǐng)域得到廣泛地應(yīng)用。M57962L采用+15V、- 10V雙電源供電，由于采用- 10V關(guān)斷電壓，能更可靠關(guān)斷，同時(shí)具有封閉性軟關(guān)斷功能，從而使IGBT更加安全的工作。
2008-10-11
-
汽車電子功率MOSFET
過(guò)去，選擇60V還是55V往往是最大的設(shè)計(jì)問(wèn)題之一，而經(jīng)過(guò)數(shù)年的發(fā)展，如今汽車內(nèi)部的功率器件和設(shè)計(jì)考慮事項(xiàng)在廣度方面已取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。隨著電子系統(tǒng)針對(duì)娛樂(lè)、儀表板、動(dòng)力傳動(dòng)控制、安全性、車廂和穩(wěn)定性控制以至車身及便利性控制等不斷發(fā)展，一般汽車中的功率器件數(shù)目已是數(shù)以百計(jì)，并且正在急劇增加之中。選擇正確的器件現(xiàn)已成為一項(xiàng)艱巨的挑戰(zhàn)，需面對(duì)許多不同的技術(shù)選項(xiàng)，以達(dá)致所需的性能和成本目標(biāo)。
2008-09-28
-
中國(guó)功率器件市場(chǎng)增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)
在中國(guó)中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場(chǎng)的80%以上。IGBT銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場(chǎng)銷售額保持著較快的增長(zhǎng)，是中國(guó)功率器件市場(chǎng)中的新興產(chǎn)品。
2008-09-24
-
電子元器件：終端市場(chǎng)未來(lái)價(jià)格壓力加大
半導(dǎo)體：08年上半年國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)收入增長(zhǎng)10.4％，增速創(chuàng)近5年來(lái)的新低，2007年全球分立式功率器件和模塊市場(chǎng)增長(zhǎng)9.3％，未來(lái)五年年均增長(zhǎng)8-9％。
2008-09-24
-
電子元件技術(shù)網(wǎng)互動(dòng)精彩回放
本期《電子元件技術(shù)網(wǎng)互動(dòng)精彩回放》的內(nèi)容，是網(wǎng)友在線互動(dòng)的濃縮，其中有電路保護(hù)專家、電源模塊專家、功率器件專家的精彩解答，也有業(yè)內(nèi)資深工程師的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，同樣還有電子元件技術(shù)網(wǎng)CEO和各位分析師的話......
1970-01-01
- 是否存在有關(guān) PCB 走線電感的經(jīng)驗(yàn)法則？
- 一文看懂電壓轉(zhuǎn)換的級(jí)聯(lián)和混合概念
- 第12講：三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)
- 準(zhǔn) Z 源逆變器的設(shè)計(jì)
- 貿(mào)澤電子持續(xù)擴(kuò)充工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品陣容
- 低功耗嵌入式設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介
- 如何通過(guò)基本描述找到需要的電容？
- 聯(lián)發(fā)科與NVIDIA合作 為NVIDIA 個(gè)人AI超級(jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)NVIDIA GB10超級(jí)芯片
- 國(guó)產(chǎn)工業(yè)核心零部件崛起背后，華丞電子的智慧與突破
- 歐盟新規(guī)實(shí)施：新車必須安裝
- 破局時(shí)效，跨越速運(yùn)領(lǐng)航零擔(dān)快運(yùn)新征途
- 瑞典名企Roxtec助力構(gòu)建安全防線
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
