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可節(jié)省燃油的非接觸式動(dòng)力轉(zhuǎn)向扭矩傳感器
TT electronics公司的新型非接觸式動(dòng)力轉(zhuǎn)向扭矩傳感器使用較少的電流，并較現(xiàn)有的解決方案更小和更輕，能夠幫助客戶實(shí)現(xiàn)更加緊湊、可靠和高效的電子動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)。
2012-12-06
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薄膜電容原理
薄膜電容（Film Capacitor）器又稱塑料薄膜電容（Plastic Film Capacitor）,薄膜電容器是以金屬箔當(dāng)電極，以塑料薄膜為電介質(zhì)。而依塑料薄膜的種類又被分別稱為聚乙酯電容(又稱Mylar電容)，聚丙烯電容(又稱PP電容)，聚苯乙烯電容(又稱PS電容)和聚碳酸電容。
2012-12-06
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有機(jī)發(fā)光二極管是什么？
有機(jī)發(fā)光二極管（Organic Light-Emitting Diode，簡(jiǎn)稱OLED）與 TFT-LCD“薄膜晶體管液晶顯示器”（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display）是不同類型的產(chǎn)品。部分國(guó)外又稱 OELD 為有機(jī)電激發(fā)光顯示（Organic Electroluminesence Display, OELD）。 有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）:有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）是一種薄膜多層器件，由碳分子或聚合物組成。它們的構(gòu)成是：1）金屬箔、薄膜或平板（剛性或彈性）平臺(tái)；2）電極層；3）活性物質(zhì)層；4）反電極層；5）保護(hù)層。至少一個(gè)電極必須是透明的。OLED具有自發(fā)光性、廣視角、高對(duì)比、低耗電、高反應(yīng)速率、全彩化、制程簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，OLED顯示器的種類可分單色、多彩及全彩等種類，而其中以全彩制作技術(shù)最為困難，OLED顯示器依驅(qū)動(dòng)方式的不同又可分為被動(dòng)式（Passive Matrix，PMOLED）與主動(dòng)式（active matrix，AMOLED）。
2012-12-06
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光伏是什么意思？
光伏(PV or photovoltaic)是太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)(photovoltaic power system)的簡(jiǎn)稱。是一種利用太陽(yáng)電池半導(dǎo)體材料的光伏效應(yīng)，將太陽(yáng)光輻射能直接轉(zhuǎn)換為電能的一種新型發(fā)電系統(tǒng)，有獨(dú)立運(yùn)行和并網(wǎng)運(yùn)行兩種方式。
2012-12-06
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電子功率控制
電子功率控制EPC(Electronic Power Control)全稱發(fā)動(dòng)機(jī)電子功率控制系統(tǒng)，很多人也叫它ETC(Electronic Throttle Control)電子節(jié)氣門。該系統(tǒng)由一些傳感器、控制器等元件組成。當(dāng)某傳感器出現(xiàn)故障或感知到不正常的情況時(shí)，控制系統(tǒng)就會(huì)根據(jù)設(shè)置好的程序采取相應(yīng)的措施。
2012-12-05
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主流供應(yīng)商專家共話智能手機(jī)差異化創(chuàng)新設(shè)計(jì)
2013年將進(jìn)入LTE智能手機(jī)開(kāi)發(fā)高峰期，預(yù)計(jì)英特爾、高通、英飛凌和ST- Ericsson將成為主要的LTE平臺(tái)解決方案供應(yīng)商，相變存儲(chǔ)器和SSD將成為L(zhǎng)TE智能手機(jī)的主流存儲(chǔ)解決方案。該如何選擇和利用這些平臺(tái)開(kāi)發(fā)出有獨(dú)特賣點(diǎn)的差異化產(chǎn)品？ ST-Ericsson和Micron等主流供應(yīng)商專家，將于12月15日下午在第四屆智能手機(jī)設(shè)計(jì)工作坊上，從平臺(tái)、芯片組、存儲(chǔ)器、電源管理和測(cè)試方面深度分析移動(dòng)互聯(lián)下智能手機(jī)創(chuàng)新的差異化解決方案。
2012-12-04
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探測(cè)距離能超1米的接近傳感器，明年3月量產(chǎn)
Vishay推出集成了紅外發(fā)射器、光電二極管、信號(hào)處理IC和16位ADC的接近傳感器，器件采用4.85mm x 2.35mm x 0.83mm封裝，待機(jī)電流只有1.5μA，如使用集成的發(fā)射器驅(qū)動(dòng)來(lái)驅(qū)動(dòng)，探測(cè)距離可超過(guò)1米，同時(shí)可極大降低功耗。
2012-12-04
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無(wú)線射頻技術(shù)
根據(jù)小編所知無(wú)線射頻身份識(shí)別系統(tǒng)之英文名稱為Radio Frequency Identification System，簡(jiǎn)稱RFID。無(wú)線射頻識(shí)別（RFID）是通過(guò)一種無(wú)線電訊號(hào)和微芯片標(biāo)簽識(shí)別特定目標(biāo)并讀寫相關(guān)數(shù)據(jù)的通訊技術(shù)。 它利用RFID電子標(biāo)簽（RFID Tags）來(lái)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)和遠(yuǎn)程讀取數(shù)據(jù)。 RFID電子標(biāo)簽?zāi)軌虮粦?yīng)用于任何物體，通過(guò)無(wú)線電波對(duì)物體進(jìn)行身份識(shí)別。 有一些電子標(biāo)簽甚至能夠在幾米之外進(jìn)行讀取。
2012-12-04
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手機(jī)射頻電路分析
隨著電路集成技術(shù)日新月異的發(fā)展，射頻電路也趨向于集成化、模塊化，這對(duì)于小型化移動(dòng)終端的開(kāi)發(fā)、應(yīng)用是特別有利的。目前手機(jī)的射頻電路是以RFIC為中心結(jié)合外圍輔助、控制電路構(gòu)成的。射頻電路中各典型功能模塊的分析是我們討論的主要內(nèi)容。
2012-12-04
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0.8mm x 0.8mm封裝的芯片級(jí)功率MOSFET
Vishay推出采用業(yè)內(nèi)最小芯片級(jí)MICRO FOOT封裝的新款Vishay Siliconix功率MOSFET，器件具有0.8mm x 0.8mm封裝，在4.5V下導(dǎo)通電阻低至43m?，可使便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕。
2012-12-03
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C&K開(kāi)發(fā)出智能手機(jī)用IP68等級(jí)30萬(wàn)次壽命微型開(kāi)關(guān)
如果你正在設(shè)計(jì)超薄智能手機(jī)，但又不希望犧牲開(kāi)關(guān)的性能和信號(hào)質(zhì)量，那么推薦你考慮C&K Components最新開(kāi)發(fā)出的頂部驅(qū)動(dòng)的KLT系列pico開(kāi)關(guān)，與現(xiàn)有的KMT系列nano開(kāi)關(guān)相比，尺寸大幅縮小，封裝等級(jí)高達(dá)IP68，開(kāi)關(guān)壽命高達(dá)30萬(wàn)次，實(shí)為不可多得的理想之選。
2012-12-03
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rfid射頻識(shí)別技術(shù)
RFID(RadioFrequencyIdentification)是一種無(wú)線射頻識(shí)別技術(shù)，它是自動(dòng)識(shí)別技術(shù)的一種。從概念上來(lái)講，RFID類似于條碼掃描，對(duì)于條碼技術(shù)而言，它是將已編碼的條形碼附著于目標(biāo)物并使用專用的掃描讀寫器利用光信號(hào)將信息由條形磁傳送到掃描讀寫器；而RFID則使用專用的RFID讀寫器及專門的可附著于目標(biāo)物的RFID標(biāo)簽，利用頻率信號(hào)將信息由RFID標(biāo)簽傳送至RFID讀寫器。
2012-12-03
- 增強(qiáng)視覺(jué)傳感器功能：3D圖像拼接算法幫助擴(kuò)大視場(chǎng)
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