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GaN壓力來(lái)襲，降低成本是SiC器件大規(guī)模商用的前提
受限于價(jià)格過(guò)高等因素，迄今為止各種SiC功率器件產(chǎn)品系列的實(shí)際應(yīng)用都很少。隨著降低環(huán)境負(fù)荷的要求日益提高，傳統(tǒng)Si材料功率器件的局限性越來(lái)越突出。新一代材料SiC功率器件具有體積小、高效率、高耐溫等優(yōu)點(diǎn)，受到越來(lái)越多的重視，研發(fā)生產(chǎn)日益活躍。然而，SiC器件何時(shí)才會(huì)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用，成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。
2012-12-13
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MOS晶體管
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC。MOS柵極控制晶閘管充分地利用晶閘管良好的通態(tài)特性、優(yōu)良的開(kāi)通和關(guān)斷特性，可望具有優(yōu)良的自關(guān)斷動(dòng)態(tài)特性、非常低的通態(tài)電壓降和耐高壓，成為將來(lái)在電力裝置和電力系統(tǒng)中有發(fā)展前途的高壓大功率器件。目前世界上有十幾家公司在積極開(kāi)展對(duì)MCT的研究。 MOS柵控晶閘管主要有三種結(jié)構(gòu)：MOS場(chǎng)控晶閘管（MCT）、基極電阻控制晶閘管(BRT)及射極開(kāi)關(guān)晶閘管(EST)。
2012-12-13
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MCM的電磁兼容性研究
對(duì)MCM功率電源而言，由于其工作在幾百kHz的高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài)，故易成為干擾源。電磁兼容性EMC（Electro Magnetic Compatibility），是指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中符合要求運(yùn)行并不對(duì)其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無(wú)法忍受的電磁干擾的能力。
2012-12-12
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淺析電源網(wǎng)格
集成電路電源分配系統(tǒng)的用途是提供晶體管執(zhí)行芯片邏輯功能所需的電壓與電流。在0.13微米以下工藝技術(shù)時(shí)，IC設(shè)計(jì)師不能再想當(dāng)然地認(rèn)為VDD和VSS網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)是正確的，必須進(jìn)行詳盡的分析才能確認(rèn)他們的電源分配方法是否真的具有魯棒性。
2012-12-12
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什么是電磁感應(yīng)？
電磁感應(yīng)（Electromagnetic induction）現(xiàn)象是指放在變化磁通量中的導(dǎo)體，會(huì)產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)。電磁感應(yīng)現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)，乃是電磁學(xué)領(lǐng)域中最偉大的成就之一。它不僅揭示了電與磁之間的內(nèi)在聯(lián)系，而且為電與磁之間的相互轉(zhuǎn)化奠定了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)，為人類(lèi)獲取巨大而廉價(jià)的電能開(kāi)辟了道路，在實(shí)用上有重大意義。
2012-12-12
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山一電機(jī)0.3mm間距FPC連接器月出貨量超10KK
日本山一電機(jī)(YAMAICHI)這幾年在中國(guó)市場(chǎng)經(jīng)營(yíng)得很成功，目前0.3mm間距FPC連接器每月出貨量超10KK，SIM卡和MicroSD卡連接器月出貨量也超1KK，它的成功秘訣在哪？請(qǐng)看下文獨(dú)家報(bào)道。
2012-12-11
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通用阻抗變換器應(yīng)用于電路設(shè)計(jì)中
一個(gè)單端口有源電路一般包括低成本運(yùn)放、電阻和電容,GIC將容抗轉(zhuǎn)換為感抗,因而可以替代濾波器中以RLC傳輸函數(shù)描述的電感。另外,GIC輸入阻抗方程的靈活性允許進(jìn)行虛擬阻抗的設(shè)計(jì),這在實(shí)際元器件中是不存在的,例如依賴(lài)頻率的電阻。GIC是30年前推出的,已廣泛應(yīng)用于交流電路和有源濾波電路。
2012-12-11
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如何改善功率因素（PFC）和電源的性能
如何改善功率因素(PFC)和電源的性能呢？這里介紹一種利用前沿調(diào)制的方法來(lái)提高功率因素和電源的性能。本文主要講解什么是前沿調(diào)制(PWM)，以及它是如何通過(guò)減少升壓電容器(IC)中的高頻RMS電流來(lái)提高效率的。
2012-12-10
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鎳鎘電池和鎳氫電池的區(qū)別
鎳鎘電池NiCd電池正極板上的活性物質(zhì)由氧化鎳粉和石墨粉組成，石墨不參加化學(xué)反應(yīng)，其主要作用是增強(qiáng)導(dǎo)電性。負(fù)極板上的活性物質(zhì)由氧化鎘粉和氧化鐵粉組成，氧化鐵粉的作用是使氧化鎘粉有較高的擴(kuò)散性，防止結(jié)塊，并增加極板的容量。鎳氫電池NiMH電池正極板材料為NiOOH，負(fù)極板材料為吸氫合金。電解液通常用30％的 KOH水溶液，并加入少量的NiOH。
2012-12-10
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高效DC/DC轉(zhuǎn)換器是所有便攜式設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)
電源管理IC或DC/DC轉(zhuǎn)換器是便攜式設(shè)計(jì)的最重要元器件之一。為便攜式電子設(shè)備開(kāi)發(fā)電源電路要求設(shè)計(jì)工程師通過(guò)最大程度地提高功率和降低整個(gè)系統(tǒng)的功耗來(lái)延長(zhǎng)電池使用壽命，這推動(dòng)器件本身的尺寸變得更小，從而有益于在設(shè)計(jì)終端產(chǎn)品時(shí)獲得更高靈活性。
2012-12-07
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什么是本征半導(dǎo)體？
本征半導(dǎo)體（intrinsic semiconductor)）指的是完全不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷，僅依賴(lài)本征載流子導(dǎo)電的半導(dǎo)體材料。實(shí)際半導(dǎo)體不能絕對(duì)地純凈，本征半導(dǎo)體一般是指導(dǎo)電主要由材料的本征激發(fā)決定的純凈半導(dǎo)體。更通俗地講，完全純凈的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體或I型半導(dǎo)體。
2012-12-07
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Molex具有競(jìng)爭(zhēng)力價(jià)格的電纜組件，可快速交付定制長(zhǎng)度
Molex加快用于網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的光學(xué)快速轉(zhuǎn)換電纜組件定購(gòu)，并提供具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的Quick-Turn電纜組件以滿(mǎn)足網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的要求，同時(shí)快速交付小至中等批量定制光纖可以客戶(hù)的定購(gòu)需求。
2012-12-06
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- PNP 晶體管：特性和應(yīng)用
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