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橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時(shí)
在功率開關(guān)器件最常見的應(yīng)用中，包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測(cè)試電路相同的橋式結(jié)構(gòu)。對(duì)于橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為，在Tech Web基礎(chǔ)知識(shí)SiC功率元器件的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作”和這篇文章所依據(jù)的應(yīng)用指南“橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極電壓的行為”中，介紹了相互影響的動(dòng)作情況。
2022-11-16
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讓電動(dòng)汽車牽引逆變器設(shè)計(jì)更靈活，成本更優(yōu)的反激控制器
在全球氣候變暖和和雙碳的背景下，以電能驅(qū)動(dòng)車輛的交通方式在未來出行將占據(jù)主要地位。牽引逆變器（Traction Inverter）作為新能源汽車中重要的信號(hào)和能量傳遞部件，將動(dòng)力電池輸出的直流電逆變?yōu)槿嘟涣麟婒?qū)動(dòng)電機(jī)，同時(shí)接收來自整車控制器和控制機(jī)構(gòu)（制動(dòng)踏板、油門踏板、換擋機(jī)構(gòu)）的信息對(duì)電機(jī)的工作加以控制。德州儀器可在此應(yīng)用中提供符合AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的反激控制器電源方案。
2022-11-11
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Interlock互鎖電路在不同驅(qū)動(dòng)器下的實(shí)現(xiàn)
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變電源等應(yīng)用中，橋式電路是最基本的拓?fù)?，典型三相橋式逆變電路如下圖1所示。而橋式電路中的任一橋臂，其上下管一般采用180°導(dǎo)通方式，即上下管互補(bǔ)開關(guān)，為避免上下管直通，可采用插入死區(qū)的方式把上下管導(dǎo)通時(shí)刻錯(cuò)開。但是，實(shí)際應(yīng)用中微控制器可能因?yàn)槌绦蝈e(cuò)亂或上電過程中IO默認(rèn)高電平等原因，使得上下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)同時(shí)為高電平（有效電平），從而上下管發(fā)生同時(shí)導(dǎo)通（Shoot Through），這將可能帶來燒壞功率模塊的嚴(yán)重后果。Interlock即互鎖電路就是針對(duì)該工況而設(shè)計(jì)的，可有效提高系統(tǒng)可靠性。
2022-11-09
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基于DRV824X-Q1系列的TEC控制系統(tǒng)
在聚合酶鏈?zhǔn)椒磻?yīng)（Polymerase chain reaction, PCR）設(shè)備中，需要通過控制試管內(nèi)的溫度使得管內(nèi)的DNA進(jìn)行高溫變性（將DNA解螺旋為雙鏈DNA）、低溫退火（將引物與模板DNA進(jìn)行互補(bǔ)配對(duì)）、中溫延伸（在恒溫的作用下進(jìn)行擴(kuò)增）。圖1展示了NDA復(fù)制的溫度控制周期。
2022-11-09
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貿(mào)澤與ST合作推出新電子書，探討響應(yīng)式邊緣人工智能的未來
2022年11月3日 – 專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與STMicroelectronics (ST) 合作推出新電子書《Intelligence at the Edge》（邊緣智能），探討部署在邊緣的人工智能 (AI) 與機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 的新發(fā)展。書中來自貿(mào)澤和ST的主題專家深入分析了邊緣AI和ML開發(fā)的挑戰(zhàn)和應(yīng)用，其精選文章涵蓋智能傳感器、嵌入式神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和響應(yīng)式AI等主題。
2022-11-03
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2022年“創(chuàng)造未來”設(shè)計(jì)大賽圓滿成功
2022年11月1日 – 全球電子元器件授權(quán)分銷商和“創(chuàng)造未來”設(shè)計(jì)大賽贊助商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 向2022年大賽獲勝團(tuán)隊(duì)表示祝賀，特別頒獎(jiǎng)晚宴將于11月份舉行。這是SAE International 公司旗下的SAE Media Group主辦的第20屆年度大賽，由貿(mào)澤與其重要供應(yīng)商Intel?和Analog Devices, Inc共同贊助。
2022-11-01
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[技術(shù)淺談 TechTalk] TVS簡介
PN結(jié)二極管具有正向?qū)?，反向關(guān)斷的特性，通過不同的材料、摻雜、外延以及工藝的改進(jìn)使其廣泛應(yīng)用于電力電子行業(yè)功率變換與電路保護(hù)，TVS二極管具有響應(yīng)速度快、漏電流小、鉗位電壓穩(wěn)以及無壽命衰減的特性，從小到信號(hào)線靜電防護(hù)，大到電力系統(tǒng)抗雷擊浪涌，TVS都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。本章對(duì)TVS工作機(jī)理與核心參數(shù)展開分析，供產(chǎn)品選型參考。
2022-10-31
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ADI和Keysight Technologies強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手 共推相控陣技術(shù)加速部署
中國，北京–2022年10月17日–Analog Devices, Inc (Nasdaq: ADI)和Keysight Technologies, Inc. (NYSE: KEYS)宣布合作，共同加速相控陣技術(shù)的推廣與部署。相控陣技術(shù)能夠簡化與創(chuàng)建衛(wèi)星通信、雷達(dá)和相控陣系統(tǒng)相關(guān)的開發(fā)工作，是實(shí)現(xiàn)無處不在的連接和泛在檢測(cè)的關(guān)鍵。
2022-10-18
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瑞薩電子完成對(duì)Steradian的收購
2022 年 10 月 17 日，日本東京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，截至2022年10月17日已完成對(duì)提供4D成像雷達(dá)解決方案的無晶圓半導(dǎo)體公司Steradian Semiconductors Private Limited（“Steradian”）的收購。
2022-10-18
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測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)：一般測(cè)量方法
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2022-10-11
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助推電動(dòng)汽車發(fā)展的新動(dòng)力：Soitec 的 SmartSiC?
如果說人類世界當(dāng)前面臨的最緊迫危機(jī)是如何降低二氧化碳排放量，以減緩已經(jīng)造成的災(zāi)難性環(huán)境破壞以及人口損害，那么，在當(dāng)前的地球溫室氣體排放中，交通業(yè)的“貢獻(xiàn)”最大，傳統(tǒng)上它已被視為重要的污染源。
2022-10-11
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貿(mào)澤推出各種Microchip創(chuàng)新MCU解決方案，為嵌入式系統(tǒng)工程師提供更多支持
2022年9月21日 – 專注于引入新品并提供海量庫存?的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 持續(xù)為嵌入式系統(tǒng)工程師提供一系列支持資源。作為Microchip Technology解決方案的全球授權(quán)分銷商，貿(mào)澤備有其新一代MCU、混合信號(hào)、模擬和閃存IP解決方案，以降低各類應(yīng)用的產(chǎn)品開發(fā)風(fēng)險(xiǎn)并加快上市。貿(mào)澤還為工程師提供了電子書等豐富的Microchip資源，為設(shè)計(jì)提供支持。
2022-10-01
- 貿(mào)澤與Cinch聯(lián)手發(fā)布全新電子書深入探討惡劣環(huán)境中的連接應(yīng)用
- 自耦變壓器的構(gòu)造和操作
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