-
晶圓代工競(jìng)逐高階制程 半導(dǎo)體設(shè)備大廠(chǎng)受惠
晶圓代工搶攻高階制程市占率，積極擴(kuò)充產(chǎn)能，臺(tái)積電、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)與三星電子(Samsung Electronics)皆大手筆添購(gòu)設(shè)備，帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)再現(xiàn)產(chǎn)業(yè)循環(huán)高峰，包括應(yīng)用材料(Applied Materials)、艾斯摩爾(ASML)等接單暢旺，不僅走出2009年金融海嘯虧損陰霾，2010年?duì)I收亦可望創(chuàng)佳績(jī)。
2010-07-28
-
MIMO技術(shù)在3G中的設(shè)計(jì)應(yīng)用
人們對(duì)移動(dòng)通信空口帶寬的需求不斷增加，為此，LTE選擇了MIMO等技術(shù)以實(shí)現(xiàn)高帶寬的目標(biāo)。本文介紹了MIMO技術(shù)在3G中的設(shè)計(jì)應(yīng)用
2010-07-27
-
全球智能手機(jī)第二季出貨同比增43%達(dá)6000萬(wàn)部
市場(chǎng)調(diào)研公司Strategy Analytics日前發(fā)表最新研究報(bào)告稱(chēng)，今年第二季度全球智能手機(jī)出貨量同比增長(zhǎng)了43%，達(dá)6000萬(wàn)部，運(yùn)營(yíng)商提高購(gòu)機(jī)補(bǔ)貼、頂級(jí)廠(chǎng)商之間的競(jìng)爭(zhēng)以及低成本智能手機(jī)的推廣普及推動(dòng)了全球智能手機(jī)市場(chǎng)的快速發(fā)展
2010-07-27
-
Vishay推出新款PIN光敏二極管和NPN平面光敏三極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， 推出通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的新款VEMD25x0X01高速硅PIN光敏二極管和VEMT25x0X01 NPN平面光敏三極管，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。
2010-07-26
-
Avago Technologies強(qiáng)調(diào)新隔離柵驅(qū)動(dòng)中的IGBT保護(hù)
Avago Technologies，今日宣布推出2.5A最大輸出驅(qū)動(dòng)ACPL-H342和ACPL-K342光隔離IGBT柵驅(qū)動(dòng)，該產(chǎn)品帶有嵌入式米勒箝位、軌至軌輸出電壓、欠壓鎖存(UVLO)電路和保護(hù)免受IGBT跨導(dǎo)和電流“直通”的影響，以便保證電源逆變器和電機(jī)控制應(yīng)用程序安全有效。
2010-07-26
-
Vishay推出使用壽命長(zhǎng)達(dá)10000小時(shí)的新系列牛角式功率鋁電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列4接線(xiàn)端、牛角式功率鋁電容器 --- 095 PLL-4TSI。電容器具有17種大尺寸外形，電壓等級(jí)從350V至450V，在85℃下的使用壽命長(zhǎng)達(dá)10,000小時(shí)。
2010-07-26
-
IR 推出SOT-23功率MOSFET產(chǎn)品系列
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出全新HEXFET?功率MOSFET系列。
2010-07-23
-
Vishay推出業(yè)界首類(lèi)具有75V電壓等級(jí)的固鉭貼片電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首類(lèi)具有高達(dá)75V的工業(yè)電壓等級(jí)的固鉭貼片電阻器 --- T97和597D，增強(qiáng)了該公司TANTAMOUNT? 高可靠性電容器的性能，擴(kuò)大其在高壓固鉭貼片電容器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2010-07-23
-
DALI電子鎮(zhèn)流器的調(diào)光
本文主要介紹了采用DALI（Digitally addressable lighting interface）調(diào)光控制協(xié)議的可調(diào)光電子鎮(zhèn)流器的DALI控制軟件特點(diǎn)與使用。該軟件具有針對(duì)單個(gè)電子鎮(zhèn)流器、成組電子鎮(zhèn)流器和廣播式對(duì)所有聯(lián)網(wǎng)電子鎮(zhèn)流器調(diào)光控制的功能，可以對(duì)每個(gè)電子鎮(zhèn)流器的工作狀態(tài)實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確控制和監(jiān)控，具有使用效果好、方便的優(yōu)點(diǎn)。
2010-07-22
-
Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。
2010-07-20
-
羅德與施瓦茨推出業(yè)界首款達(dá)30 GHz的實(shí)時(shí)頻譜分析儀
R&S FSVR 實(shí)時(shí)頻譜儀是業(yè)界第一款將完整的信號(hào)分析、頻譜測(cè)量功能與實(shí)時(shí)頻譜分析功能完美結(jié)合的測(cè)試儀表。在實(shí)時(shí)頻譜儀模式下，R&S FSVR能輕松地檢測(cè)各種偶發(fā)、超短瞬變信號(hào)。無(wú)論是研發(fā)LTE、WiMAX?、WLAN、 Bluetooth? 和RFID等民用通信系統(tǒng)，還是開(kāi)發(fā)雷達(dá)和跳頻通信等射頻系統(tǒng)，F(xiàn)SVR的無(wú)死區(qū)實(shí)時(shí)檢測(cè)能力都成為其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。由于R&S FSVR是在R&S FSV的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)的，因此能提供信號(hào)分析和頻譜測(cè)量的全部功能，并且測(cè)試速度較業(yè)界同類(lèi)頻譜儀快多達(dá)5倍。
2010-07-19
-
LUMEX大功率LED產(chǎn)品新增加2瓦特，3瓦特和5瓦特的TITANBRITE系列
律美發(fā)布2瓦特，3瓦特，5瓦特TitanBrite系列的大功率LED系列產(chǎn)品。此LED系列使用表面粘貼技術(shù)并可分別提供58lm，210lm和300lm光通量。與其他同類(lèi)的大功率LED相比，Titanbrite LED提高了30%的散熱效果和60%的抗靜電能力。此優(yōu)化能力可使用客戶(hù)的應(yīng)用設(shè)計(jì)體積減小，增加客戶(hù)產(chǎn)品的集成度，降低成本。
2010-07-16
- 貿(mào)澤與Cinch聯(lián)手發(fā)布全新電子書(shū)深入探討惡劣環(huán)境中的連接應(yīng)用
- 自耦變壓器的構(gòu)造和操作
- 電感器輸出，運(yùn)算放大器輸入：二階有源濾波器簡(jiǎn)介
- ESR 對(duì)陶瓷電容器選擇的影響（上）
- 步進(jìn)電機(jī)中的脈寬調(diào)制與正弦控制
- 基于射頻無(wú)線(xiàn)電力傳輸供電的無(wú)電池資產(chǎn)跟蹤模塊的先進(jìn)監(jiān)控系統(tǒng)
- ESR 對(duì)陶瓷電容器選擇的影響（下）
- 深化綠色承諾，ST與彭水共繪可持續(xù)發(fā)展新篇章
- 基于SiC的高電壓電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
- 如何更好對(duì)微控制器和輸出外設(shè)進(jìn)行電氣隔離？
- 意法半導(dǎo)體公布2024年第四季度及全年財(cái)報(bào)和電話(huà)會(huì)議時(shí)間安排
- IGBT 模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應(yīng)用中提供更高能效
- 車(chē)規(guī)與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車(chē)模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
