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安森美斥資1.15億美元收購碳化硅JFET技術(shù)，強化AI數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品組合
安森美（onsemi，納斯達克股票代碼：ON）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。
2024-12-10
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授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 是Same Sky（原CUI Devices）電子元器件和創(chuàng)新解決方案的全球授權(quán)代理商。Same Sky是全球知名的互連、音頻、熱管理、運動、繼電器、傳感器和開關(guān)解決方案制造商。貿(mào)澤有9500多種Same Sky創(chuàng)新產(chǎn)品開放訂購，其中5500多種有現(xiàn)貨庫存。
2024-12-10
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貿(mào)澤電子攜手安森美和Würth Elektronik推出新一代太陽能和儲能解決方案
專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 攜手安森美 (onsemi) 和 Würth Elektronik為持續(xù)增長的太陽能逆變器市場提供豐富的解決方案。
2024-12-09
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（六）——瞬態(tài)熱測量
功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-09
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（五）——功率半導體熱容
功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-06
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雷諾旗下安培與意法半導體簽署碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議，合作開發(fā)電動汽車電源控制系統(tǒng)
雷諾集團旗下純智能電動汽車制造公司安培 (Ampere) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 今天宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動，雷諾集團與意法半導體簽署了一份從 2026 年開始為安培長期供應(yīng)碳化硅 (SiC) 功率模塊的供貨協(xié)議，該協(xié)議是雷諾集團與意法半導體為安培超高效電動汽車逆變器開發(fā)電源控制系統(tǒng) (powerbox) 的合作計劃的一部分。功率模塊是電源控制系統(tǒng)的關(guān)鍵元件，安培和意法半導體合作優(yōu)化功率模塊，確保電驅(qū)系統(tǒng)具有很強的性能和競爭力，同時充分發(fā)揮安培在電動汽車技術(shù)方面的特長和意法半導體在先進功率元器件研制領(lǐng)域的獨到之處。
2024-12-05
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面對電動汽車和數(shù)據(jù)中心兩大主力應(yīng)用市場，SiC和GaN該如何發(fā)力？
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是寬禁帶（WBG）半導體材料，由于其獨特性，使其在提高電子設(shè)備的效率和性能方面起著至關(guān)重要的作用，特別是在DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/AC逆變器領(lǐng)域。
2024-12-04
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貿(mào)澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢所面臨的挑戰(zhàn)。
2024-12-03
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應(yīng)用于SiC器件時必須考慮到這一點。
2024-12-02
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開拓創(chuàng)新，引領(lǐng)醫(yī)療植入物與醫(yī)療保健解決方案的發(fā)展潮流
憑借超過40年的專業(yè)經(jīng)驗和卓越的可靠性，瑞士微晶（Micro Crystal）生產(chǎn)的組件能夠滿足苛刻的醫(yī)療應(yīng)用需求。特別是，其推出的首款全陶瓷封裝的實時時鐘模塊（RTC），不僅具有超低時間保持功耗，還具備防氦特性。
2024-11-28
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貿(mào)澤電子深入探討以人為本的工業(yè)5.0新變革
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布新一期Empowering Innovation Together (EIT) 技術(shù)系列，重點介紹新興的工業(yè)5.0格局。在這個工業(yè)化的新階段，人類、環(huán)境和社會等因素都將作為重要的方面，體現(xiàn)在未來工廠車間的先進技術(shù)、機器人和智能機器中。
2024-11-28
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創(chuàng)實技術(shù)electronica 2024首秀：加速國內(nèi)分銷商海外拓展之路
作為全球規(guī)模最大、最具影響力的電子元器件展會，備受矚目的2024德國慕尼黑國際電子元器件博覽會（electronica 2024）于2024年11月12-15日，在德國·慕尼黑展覽中心盛大舉行?？萍既招略庐?，電子元器件作為信息技術(shù)的基石，正再一次引領(lǐng)全球半導體產(chǎn)業(yè)的新一輪變革。時隔2年之久，疊加全球科技和經(jīng)濟大變局，展示面積近17,000平方米的electronica 2024，吸引了來自超50個國家和地區(qū)的3,000多家參展廠商齊聚，成為史上規(guī)模之最。
2024-11-26
- 協(xié)同創(chuàng)新，助汽車行業(yè)邁向電氣化、自動化和互聯(lián)化的未來
- 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流
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