-
大熱的氮化鎵功率技術(shù)，“劍走偏鋒”的創(chuàng)新高壓器件
氮化鎵技術(shù)擁有低功耗、小尺寸等特性設計上的獨特優(yōu)勢，其優(yōu)勢以及成熟規(guī)?；a(chǎn)能力使其近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術(shù)趨勢論壇上，這個主題受到國內(nèi)媒體的集體“圍觀”。
2016-02-25
-
泰克圖形源表儀器2461具備最高脈沖源和阱性能，滿足高功率器件測量應用需求
近日，泰克科技公司宣布，發(fā)布一款簡便易用的圖形源測量單元(SMU)儀器--Keithley 2461，新器件用以優(yōu)化和分析高功率材料、器件和模塊的特性。
2016-01-14
-
提高晶閘管dV/dt耐受性的設計訣竅，你知道嗎？
晶閘管(SCR)是一種半導體開關(guān)器件。早在1956年，Moll等人就發(fā)表了這種開關(guān)器件的理論基礎(chǔ)。盡管低功率器件在當代開關(guān)領(lǐng)域已基本銷聲匿跡，并被高壓雙極結(jié)型晶體管(BJT)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)及絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等所取代，但它們在兆瓦級開關(guān)器件領(lǐng)域仍無可替代，例如2kA、1.2kV的SCR就被應用于機車驅(qū)動器中，或用來控制鋁材生產(chǎn)廠中的電爐等。
2015-12-07
-
飛一般的速度，帶你體驗全球最快的功率開關(guān)
穩(wěn)壓器和DC-DC電源內(nèi)的硅功率器件不久將會被GaN FET代替。與硅MOSFET相比，其開關(guān)速度要快得多，且RDS(on)更低。這將能增強電源的電源效率，為大家?guī)硪嫣帯Ｈ绻谠O計帶有GaN器件的電源電路，您需要掌握該器件的開關(guān)速度。為測量這一速度，示波器、探頭和互連的速度必須足夠快，以盡量減少其對測量產(chǎn)生的影響。
2015-11-24
-
嵌入式設計必讀：電路設計之三極管基礎(chǔ)電路設計寶典
在嵌入式電路中經(jīng)常使用IO口來控制某些電路的開關(guān)功能，此時可把三極管用作開關(guān)器件。在使用時需要利用開關(guān)三極管如9014和9015等小功率器件，此時的三極管處于飽和狀態(tài)。本文用實例來說明該類電路的特點。
2015-09-09
-
三星CSP封裝工藝日趨完善 推出3款倒裝芯片新品
近日，三星電子在廣州國際照明展會上展出3款倒裝芯片新品。其中包括：大功率器件LM301A、倒裝COB、第二代CSPLED。三星表示，第二代CSPLED器件可降低熱阻，三星電子將參加9日至12日在中國廣州舉行的國際照明博覽會，公開主要技術(shù)戰(zhàn)略及新產(chǎn)品。三星參加這次中國廣州展覽會的意義非凡，因為中國市場作為全球照明市場的橋頭堡，隨著LED照明需求的增加，飛速增長。
2015-06-11
-
【原創(chuàng)】盤點感應加熱電源的基礎(chǔ)知識
感應加熱電源憑借著可局部加熱、操作簡單、加熱速度快的優(yōu)勢占據(jù)市場，在功率器件方面很多感應加熱電源已采用IGBT，性能方面大幅度提升，但感應加熱電源仍存在一些問題，本文就來介紹感應加熱電源的性能問題以及獨特優(yōu)點。
2015-06-05
-
專家精講：功率器件氮化鎵的發(fā)展趨勢及應用
工程師福音，全新領(lǐng)域的功率器件氮化鎵，電阻方面可實現(xiàn)更高的輸出電流，并且不會增加元件的數(shù)量、成本及復雜性并降低功率密度，是不是很炫？到底是如何實現(xiàn)的，將來如何發(fā)展？看本文詳解！
2015-05-29
-
GaN功率器件價格向MOSFET看齊，在哪些領(lǐng)域能夠替代？
現(xiàn)如今，部分GaN功率器件逐漸向MOSFET功率管看齊，怎么做到這一點的？但是GaN功率器件在業(yè)界內(nèi)經(jīng)常取代MOSFET功率器件，那么在哪些應用領(lǐng)域能夠取代。
2015-05-12
-
大功率LED芯片制造技巧，只需五點輕松搞定
要想獲得大功率器件，一個大功率大LED面板芯片是少不了的。然而大功率的LED芯片制造并不容易，小編總結(jié)了五個常用的技巧幫你攻克LED大功率芯片的制造難題。
2015-04-24
-
百科全書大講壇：細說SSR固態(tài)繼電器的二三事
固態(tài)繼電器簡稱SSR，是由分立電子器件、電力電子功率器件、微電子電路器件一起構(gòu)成的無觸點開關(guān)。固態(tài)繼電器用隔離器件就實現(xiàn)了控制端與負載端的隔離。本文就SSR固態(tài)繼電器的工作原理和常見問題，細說繼電器的二三事。
2015-03-25
-
全球最快的功率開關(guān)，究竟有多快？帶你一測究竟
相信再過不久，GaN FET 將會取代穩(wěn)壓器和DC-DC電源內(nèi)的硅功率器件。然而與硅MOSFET相比，開關(guān)速度相對要快上許多，且RDS（ON)更低。要想設計帶有GAN器件的電源電路，必須要掌握器件的開關(guān)速度。
2015-02-28
- 是否存在有關(guān) PCB 走線電感的經(jīng)驗法則？
- 一文看懂電壓轉(zhuǎn)換的級聯(lián)和混合概念
- 第12講：三菱電機高壓SiC芯片技術(shù)
- 準 Z 源逆變器的設計
- 貿(mào)澤電子持續(xù)擴充工業(yè)自動化產(chǎn)品陣容
- 低功耗嵌入式設計簡介
- 如何通過基本描述找到需要的電容？
- 意法半導體公布2024年第四季度及全年財報和電話會議時間安排
- IGBT 模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應用中提供更高能效
- 看完CES看CITE 2025開年巨獻“圳”聚創(chuàng)新
- 傳感器和轉(zhuǎn)換器的設計應用
- 原來為硅MOSFET設計的DC－DC控制器能否用來驅(qū)動GaNFET?
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
