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一文掌握 GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置！
在設(shè)計(jì)開關(guān)模式電源時(shí)，主要品質(zhì)因數(shù)（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個(gè)FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關(guān)頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會(huì)增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關(guān)損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復(fù)，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
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SiC吸引力為何如此的大？在電力電子上又有哪些應(yīng)用？
據(jù)預(yù)測，采用 SiC 的功率模塊將進(jìn)入諸如可再生能源、UPS 電源、驅(qū)動(dòng)器和汽車等應(yīng)用。風(fēng)電和牽引應(yīng)用可能會(huì)隨之而來。 到 2021 年，SiC 功率器件市場總額預(yù)計(jì)將上升到 10 億美元 [1]。在某些市場，如太陽能，SiC 器件已投入運(yùn)行，盡管事實(shí)上這些模塊的價(jià)格仍然比常規(guī)硅器件高。是什么使這種材料具有足夠的吸引力，即使價(jià)格更高也心甘情愿地被接受？
2020-07-30
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安森美將為丹佛斯提供用于逆變器牽引模塊的大功率器件
2020年7月7日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)和丹佛斯宣布，公司將為丹佛斯硅動(dòng)力(Danfoss Silicon Power)供應(yīng)大功率IGBT和二極管，應(yīng)用于快速增長的電動(dòng)汽車市場的逆變器牽引模塊。
2020-07-07
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如何正確使用功率器件以滿足工業(yè)電源要求
在工業(yè)應(yīng)用中，AC/DC 電源轉(zhuǎn)換（也稱為“離線式”電源轉(zhuǎn)換）與消費(fèi)類和大眾市場設(shè)計(jì)迥然不同。通常，工業(yè)應(yīng)用的電壓、電流和功率水平相對更高，對熱應(yīng)力和電應(yīng)力的穩(wěn)健性有額外要求，對活動(dòng)和待機(jī)模式有嚴(yán)格的監(jiān)管規(guī)定，還必須監(jiān)控當(dāng)前工作狀態(tài)以形成反饋回路并進(jìn)行故障檢測。
2020-06-10
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固態(tài)繼電器和固態(tài)調(diào)壓器的區(qū)別
固態(tài)繼電器是由微電子電路，分立電子器件，電力電子功率器件組成的無觸點(diǎn)開關(guān)。用隔離器件實(shí)現(xiàn)了控制端與負(fù)載端的隔離。固態(tài)繼電器的輸入端用微小的控制信號，達(dá)到直接驅(qū)動(dòng)大電流負(fù)載。
2020-06-09
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效率媲美氮化鎵的超級硅MOSFET
半導(dǎo)體功率器件在電力電子行業(yè)有著非常廣泛的應(yīng)用，特別是近幾年來，隨著社會(huì)電子產(chǎn)業(yè)化及萬物互聯(lián)的應(yīng)用需求，更進(jìn)一步加速了電子化水平的進(jìn)程；也對電力電子系統(tǒng)提出了更高的要求和挑戰(zhàn)，如：高效率、高頻化、高密度、小體積、高可靠性及長壽命等方面。
2020-04-23
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射頻大功率器件TRL校準(zhǔn)件的設(shè)計(jì)與制作
以LDMOS（橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）為代表的射頻大功率器件已經(jīng)在民用通信市場以其優(yōu)異的性能和低廉的價(jià)格而得到越來越廣泛的應(yīng)用，對于這種射頻大功率器件的器件水平和能力評估也越來越受到關(guān)注。
2020-04-20
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致工程師系列之二：功率器件的標(biāo)定及選擇
對市場新推出的低功耗IC 及功率器件特性無法準(zhǔn)確把握？是否真正在自己的電源設(shè)計(jì)中發(fā)揮最大的作用，缺少一種簡單經(jīng)濟(jì)的評價(jià)方法。對于電源產(chǎn)品設(shè)計(jì)，大功率開關(guān)管的選擇是非常關(guān)鍵也是非常困難的。
2020-03-10
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一文秒懂功率器件，從小白變大神的進(jìn)階之路
功率器件，也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是具有處理高電壓、大電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。由于早期主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面，因此得名“電力電子器件”。
2020-02-25
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談?wù)劤Y(jié)功率半導(dǎo)體器件
超結(jié)功率半導(dǎo)體器件是一類具有超結(jié)耐壓層的重要器件，超結(jié)將PN結(jié)引入到常規(guī)“電阻型”耐壓層中，使之質(zhì)變?yōu)椤敖Y(jié)型耐壓層”，這種質(zhì)變突破傳統(tǒng)功率器件比導(dǎo)通電阻和耐壓之間的Ron,sp ∝VB2.5“硅極限”關(guān)系，使之降低到Ron,sp ∝VB1.32，甚至 Ron,sp ∝VB1.03，超結(jié)器件也因此被譽(yù)為功率半導(dǎo)體器件的“里程碑”。從耐壓層角度回顧功率半導(dǎo)體40年發(fā)展的3個(gè)里程碑，綜述了超結(jié)的發(fā)明、概念與機(jī)理、技術(shù)與新結(jié)構(gòu)，并總結(jié)超結(jié)發(fā)展歷程與趨勢。
2020-02-19
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降低開關(guān)電源輸出 “紋波與噪聲” 10大招！
紋波主要在五個(gè)方面：輸入低頻紋波、高頻紋波、寄生參數(shù)引起的共模紋波噪聲、功率器件開關(guān)過程中產(chǎn)生的超高頻諧振噪聲和閉環(huán)調(diào)節(jié)控制引起的紋波噪聲。
2020-02-11
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一文解讀碳化硅功率器件的特點(diǎn)
功率半導(dǎo)體器件作為功率變換系統(tǒng)的核心器件，目前應(yīng)用最多的仍舊是 IGBT，在很多時(shí)候還需要搭配合適的反向并聯(lián)二極管。
2020-01-08
- 是否存在有關(guān) PCB 走線電感的經(jīng)驗(yàn)法則？
- 一文看懂電壓轉(zhuǎn)換的級聯(lián)和混合概念
- 第12講：三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)
- 準(zhǔn) Z 源逆變器的設(shè)計(jì)
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- 原來為硅MOSFET設(shè)計(jì)的DC－DC控制器能否用來驅(qū)動(dòng)GaNFET?
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