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如何通過(guò)合適的柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)達(dá)到最大化SiC的性能
電動(dòng)汽車革命即將來(lái)臨。汽車公司拼命地尋求技術(shù)優(yōu)勢(shì)，驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車的電力電子設(shè)備正在迅速發(fā)展。諸如碳化硅（SiC）之類的寬禁帶FET技術(shù)有望顯著提高效率，減輕系統(tǒng)重量并減小電池體積。在汽車設(shè)計(jì)中，SiC兌現(xiàn)了這些承諾，并推動(dòng)了下一代電動(dòng)汽車的創(chuàng)新。
2021-02-18
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IIC為何需要用開漏輸出和上拉電阻？
最近在調(diào)ICM20602模塊(一個(gè)六軸陀螺儀和加速度計(jì)), 使用IIC通信協(xié)議, 這個(gè)過(guò)程中遇到一個(gè)困擾我很長(zhǎng)時(shí)間的問(wèn)題。IIC協(xié)議正確, 但是一直讀取失敗.最后發(fā)現(xiàn)因?yàn)闆](méi)配置GPIO為開漏輸出。
2021-02-16
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升壓變流器的幾點(diǎn)調(diào)試經(jīng)驗(yàn)
DC/DC 變流器IC可能在整個(gè)產(chǎn)品系統(tǒng)的并不起眼，但它們對(duì)產(chǎn)品的穩(wěn)定可靠工作至關(guān)重要。盡管TI 提供詳細(xì)的規(guī)格書和應(yīng)用文檔幫助客戶在系統(tǒng)上正確地實(shí)現(xiàn)變流器IC的功能，在實(shí)際應(yīng)用中依然因?yàn)榉N種原因?qū)е?span id="f99f7fbh9" class='red'>IC不正常工作問(wèn)題，例如啟動(dòng)異常，輸出電壓不穩(wěn)定，紋波過(guò)大甚至IC損壞等等。大部分時(shí)候，引起IC異常工作的原因并不復(fù)雜，簡(jiǎn)單的調(diào)試可以快速地定位并解決問(wèn)題。這篇文章介紹幾點(diǎn)針對(duì)升壓變流器的調(diào)試經(jīng)驗(yàn)。
2021-02-16
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新ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 CDM測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)概覽
元件充電模式(CDM) ESD被認(rèn)為是代表ESD充電和快速放電的首要實(shí)際ESD模型，能夠恰如其分地表示當(dāng)今集成電路(IC)制造和裝配中使用的自動(dòng)處理設(shè)備所發(fā)生的情況。到目前為止，在制造環(huán)境下的器件處理過(guò)程中，IC的ESD損害的最大原因是來(lái)自充電器件事件，這一點(diǎn)已廣為人知。1
2021-02-09
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為系統(tǒng)安全選擇電壓檢測(cè)器、監(jiān)控器和復(fù)位IC：第1部分
電信、工業(yè)和航空電子應(yīng)用中的電源電壓可能由于許多原因而變化，例如線路和負(fù)載瞬變；停電；或低電量。電壓檢測(cè)器和監(jiān)控器/復(fù)位集成電路（IC）提供了與這些問(wèn)題相關(guān)的電源電壓偏差的預(yù)指示，以幫助保護(hù)系統(tǒng)。
2021-02-09
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為系統(tǒng)安全選擇電壓檢測(cè)器、監(jiān)控器和復(fù)位IC：第2部分
在本系列的第一部分中，我定義了電壓檢測(cè)器和監(jiān)控器/復(fù)位IC，并解釋了不同的輸出類型及一些基本設(shè)備。由于設(shè)計(jì)變得更加復(fù)雜，可能需要更高級(jí)的設(shè)備來(lái)成功監(jiān)視電壓。在本期中，我將重點(diǎn)介紹電壓檢測(cè)器和監(jiān)控器/復(fù)位IC中的各種功能，以幫助設(shè)計(jì)人員選擇正確的電路。
2021-02-09
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物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)需要高集成度和小尺寸功率轉(zhuǎn)換器件
在功率譜的中低端存在一些不太大的功率轉(zhuǎn)換要求，這在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備之類的應(yīng)用中很常見。這些應(yīng)用需要使用能夠處理適度電流水平的功率轉(zhuǎn)換IC。電流通常在數(shù)百毫安范圍，但如果板載功率放大器為了傳輸數(shù)據(jù)或視頻而存在峰值功率需求，那么電流量可能更高。因此，隨著支持眾多物聯(lián)網(wǎng)器件的無(wú)線傳感器的激增，業(yè)界對(duì)專門用于空間和散熱受限器件的小型、緊湊、高效功率轉(zhuǎn)換器的需求在不斷增加。
2021-02-08
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如何準(zhǔn)確地測(cè)量芯片的電源噪聲
隨著5G、車聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的飛速發(fā)展，信號(hào)的傳輸速度越來(lái)越快，集成電路芯片的供電電壓隨之越來(lái)越小。早期芯片的供電通常是5V和3.3V，而現(xiàn)在高速IC的供電電壓已經(jīng)到了2.5V、1.8V或1.5V，有的芯片的核電壓甚至到了1V。芯片的供電電壓越小，電壓波動(dòng)的容忍度也變得越苛刻。對(duì)于這類供電電壓較小的高速芯片的電壓測(cè)試用電源噪聲表示，測(cè)求要求從±5%到 ±-1.5%，乃至更低。
2021-02-05
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集成電路是如何被發(fā)明的？
也許上天有意要人類發(fā)明出集成電路（IC：Integrated Circuit），幾乎在同時(shí)，兩組人在個(gè)不知曉對(duì)方發(fā)明工作的情況下，獨(dú)立設(shè)計(jì)出幾乎相同的集成電路。
2021-02-05
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開關(guān)IC控制器的去耦旁路設(shè)計(jì)
旁路和去耦是指防止有用能量從一個(gè)電路傳到另一個(gè)電路中，并改變?cè)肼暷芰康膫鬏斅窂剑瑥亩岣唠娫捶峙渚W(wǎng)絡(luò)的品質(zhì)。它有三個(gè)基本概念：電源、地平面，元件和內(nèi)層的電源連接。
2021-02-05
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接收器IC混合式混頻器、頻率合成器和IF放大器
無(wú)線基站曾經(jīng)封裝在采用氣候控制技術(shù)的大型空間中，但現(xiàn)在卻可以裝在任意地方。隨著無(wú)線網(wǎng)絡(luò)服務(wù)提供商試圖實(shí)現(xiàn)全域信號(hào)覆蓋，基站組件提供商面臨壓力，需要在更小的封裝中提供更多的功能。
2021-02-03
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采用具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET
人們普遍認(rèn)為，SiCMOSFET可以實(shí)現(xiàn)非?？斓拈_關(guān)速度，有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制，在實(shí)際應(yīng)用中并不總是能發(fā)揮SiC元器件的全部潛力。在本文中，我們首先討論傳統(tǒng)封裝的一些局限性，然后介紹采用更好的封裝形式所帶來(lái)的好處。最后，展示對(duì)使用了圖騰柱（Totem-Pole）拓?fù)涞?.7kW單相PFC進(jìn)行封裝改進(jìn)后獲得的改善效果。
2021-02-03
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