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機(jī)電繼電器的特性及其在信號(hào)切換中的選型和應(yīng)用
本文介紹了機(jī)電繼電器(EMR)在信號(hào)切換中的應(yīng)用，強(qiáng)調(diào)了其出色的導(dǎo)通和關(guān)斷性能、輸入/輸出隔離功能以及多極配置帶來(lái)的靈活性和多功能性。文章以 Omron Electronic Components 的產(chǎn)品為例，介紹了如何選擇和應(yīng)用 EMR，包括繼電器類(lèi)型、區(qū)別、配置、射頻性能、功耗以及可靠性等方面的考慮。
2024-12-28
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為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET？
如今，數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。
2024-12-28
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2025存儲(chǔ)前瞻：用存儲(chǔ)加速AI，高性能SSD普適化
縱觀2024年，存儲(chǔ)技術(shù)升級(jí)已經(jīng)給AI計(jì)算、云端應(yīng)用帶來(lái)了諸多便利，從年初鎧俠首款量產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)UFS 4.0推動(dòng)行業(yè)發(fā)展，到RM、PM和XG系列SSD與HPE攜手登陸國(guó)際空間站，再到推出容量高達(dá)2Tb的第八代BiCS FLASH? QLC，展示下一代前瞻性的光學(xué)結(jié)構(gòu)SSD，鎧俠與合作伙伴一起，不僅滿(mǎn)足了時(shí)下的存儲(chǔ)應(yīng)用需求，并已經(jīng)為未來(lái)存儲(chǔ)鋪墊全新的技術(shù)可行性。
2024-12-27
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NeuroBlade在亞馬遜EC2 F2 實(shí)例上加速下一代數(shù)據(jù)分析
數(shù)據(jù)分析加速領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者NeuroBlade宣布其已經(jīng)與亞馬遜云科技（AWS）最新發(fā)布的Amazon Elastic Compute Cloud (Amazon EC2) F2實(shí)例實(shí)現(xiàn)集成，該實(shí)例采用了AMD FPGA與EPYC CPU技術(shù)。此次合作通過(guò)NeuroBlade創(chuàng)新的數(shù)據(jù)分析加速技術(shù)，為云原生數(shù)據(jù)分析工作負(fù)載帶來(lái)了前所未有的性能和效率。
2024-12-27
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熱烈祝賀 Andrew MENG 晉升為 ASEAN（東盟）市場(chǎng)經(jīng)理！
我們非常高興地宣布，Micro Crystal 瑞士微晶中國(guó)臺(tái)灣銷(xiāo)售與市場(chǎng)經(jīng)理 Andrew MENG 榮升為 ASEAN（以下簡(jiǎn)稱(chēng)為東盟）市場(chǎng)經(jīng)理！這一重要晉升不僅是對(duì) Andrew 在職業(yè)生涯中卓越表現(xiàn)的高度認(rèn)可，也是 Micro Crystal 瑞士微晶全力布局東盟市場(chǎng)的重要一步。
2024-12-26
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-25
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貿(mào)澤電子持續(xù)擴(kuò)充工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品陣容
專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 持續(xù)擴(kuò)充其來(lái)自業(yè)界知名制造商和解決方案供應(yīng)商的工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品陣容，幫助客戶(hù)奠定工業(yè)5.0發(fā)展的基礎(chǔ)。
2024-12-25
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第12講：三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)
三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了高耐壓SiC MOSFET，并將其產(chǎn)品化，率先將其應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)鐵路車(chē)輛的變流器中，是一家在市場(chǎng)上擁有良好業(yè)績(jī)記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)。
2024-12-22
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芝識(shí)課堂【CMOS邏輯IC的使用注意事項(xiàng)】—深入電子設(shè)計(jì)，需要這份指南（一）
當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，CMOS邏輯IC因其低功耗、高集成度和良好的噪聲抑制能力而得到廣泛應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮CMOS邏輯IC的性能優(yōu)勢(shì)，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定可靠運(yùn)行，必須嚴(yán)格遵守一系列使用注意事項(xiàng)。從本期芝識(shí)課堂起，芝子將向大家奉上一份詳細(xì)的設(shè)計(jì)指南，幫助大家更好地避免潛在的設(shè)計(jì)陷阱和故障。
2024-12-13
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第11講：三菱電機(jī)工業(yè)SiC芯片技術(shù)
1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車(chē)等領(lǐng)域。目前，1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET的技術(shù)開(kāi)發(fā)概要。
2024-12-12
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如何選擇有效的ESD保護(hù)二極管
ESD 保護(hù)器件的目的是將數(shù)千伏的 ESD 輸入降低至受保護(hù) IC 的安全電壓，并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過(guò)去幾年中沒(méi)有變化，但保護(hù) IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過(guò)去，IC 設(shè)計(jì)對(duì) ESD 更加穩(wěn)健，并且可以處理更高的電壓，因此選擇能夠滿(mǎn)足 IEC61000-4-2 4 級(jí)要求的任何保護(hù)二極管就足夠了。
2024-12-12
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意法半導(dǎo)體和ENGIE在馬來(lái)西亞簽訂可再生能源發(fā)電供電長(zhǎng)期協(xié)議
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM) 于11月7日宣布與BKH Solar Sdn Bhd太陽(yáng)能發(fā)電公司簽訂為期21年的購(gòu)電協(xié)議(PPA)。BKH Solar Sdn Bhd是全球著名的低碳能源服務(wù)公司ENGIE Renewable SEA Pte Ltd (ENGIE) 和馬來(lái)西亞迅速崛起的太陽(yáng)能開(kāi)發(fā)商Conextone energy Sdn Bhd的合資公司。
2024-12-10
- 協(xié)同創(chuàng)新，助汽車(chē)行業(yè)邁向電氣化、自動(dòng)化和互聯(lián)化的未來(lái)
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流
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