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Vishay推出三款采用不同封裝的的500V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型500V電壓的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，將該公司的6.2代N溝道平面FET技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封裝上。
2009-08-03
SiHP18N50C SiHF18N50C SiHG20N50C MOSFET 分立器件 Vishay
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OLED驅(qū)動電源解決方案
本文將討論各種OLED技術(shù)和適當(dāng)?shù)钠珘弘娫垂?yīng)電路,而關(guān)于OLED技術(shù)和驅(qū)動方法的選擇,也會影響電源供應(yīng)電路的需求。工程師所面臨的挑戰(zhàn)為如何選擇最適當(dāng)?shù)碾娫垂?yīng)電路,以便支持電池供電型可攜式裝置,以及特定OLED顯示器的需求。
2009-08-03
OLED驅(qū)動 被動矩陣 TPS65130 OLED顯示器
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2009-2013我國年太陽能光伏市場預(yù)測
2008年，我國太陽能電池產(chǎn)量約占世界總產(chǎn)量的三分之一，連續(xù)兩年成為世界第一大太陽能電池生產(chǎn)國。然而，我國光伏產(chǎn)品長期依賴海外市場，已成為障礙我國光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的隱患，開啟國內(nèi)市場是發(fā)展光伏產(chǎn)業(yè)的必然選擇。
2009-08-01
光伏 太陽能
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SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前，Vishay 宣布推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V，同時(shí)該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當(dāng)中最低的。
2009-07-31
SiR494DP Vishay MOSFET 分立器件
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可控硅直流穩(wěn)壓電源和開關(guān)電源原理簡介
可控硅直流穩(wěn)壓電源，以其強(qiáng)大的輸出功率，晶體管線性直流電源和開關(guān)電源無法取代。晶體管線性直流電源以其精度高，性能優(yōu)越而被廣泛應(yīng)用。開關(guān)電源因省去了笨重的工頻變壓器而使體積和重量都有不同程度的減少，減輕，也被廣泛地應(yīng)用在許多輸出電壓、輸出電流較為穩(wěn)定的場合。
2009-07-31
可控硅電源 晶體管電源 開關(guān)電源優(yōu)缺點(diǎn)
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開關(guān)變壓器第十二講 電源鐵芯的設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)
防止開關(guān)變壓器鐵芯出現(xiàn)磁飽和最簡單的另一種方法是采用反磁場，在變壓器鐵芯中安裝永久磁鐵，或在變壓器的初、次級線圈上另外增加一反向直流，并且此直流一般需要用扼流圈電感隔離，或用恒流源供電。由于在變壓器的初、次級線圈上另外增加一反向直流會降低開關(guān)電源的工作效率，以及增加成本，目前...
2009-07-29
電源鐵芯
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得可正面導(dǎo)線改進(jìn)方案將在EU PVSEC展示
得可太陽能將利用今年的歐洲太陽能光伏展，展示標(biāo)準(zhǔn)印刷工藝如何開發(fā)以產(chǎn)生明顯的能效優(yōu)勢。9月21至25日在德國漢堡舉行的展會上，得可的資深工藝開發(fā)專家Tom Falcon將發(fā)表關(guān)于硅太陽能電池正面導(dǎo)線印刷面積比改進(jìn)的新論文。
2009-07-29
EU PVSEC 太陽能 正面導(dǎo)線改進(jìn) 歐洲太陽能光伏展 硅太陽能電池 正面導(dǎo)線印刷面積比
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SiT9002AI：SiTime公司推出降低EMI高達(dá)16dB的差分振蕩器
SiTime公司推出降低EMI高達(dá)16dB的差分振蕩器SiT9002AI
2009-07-28
SiT9002AI 振蕩器 SiTime
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電動汽車和混合動力汽車面臨三大難關(guān)
在汽車行業(yè)的未來發(fā)展方向上，電動汽車和油電混合動力汽車正成為一個(gè)明顯的趨勢。目前看來技術(shù)上比較可行的解決方案是混合動力，下一步就是純電動汽車，再下一步可能就是完全脫離電動的燃料電池汽車，燃料電池可能是最終的解決方案。
2009-07-28
電動汽車 混合動力 燃料電池
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