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電容漏泄的測量
電容器是幾乎所有電氣設(shè)備上都會用到的主要器件。漏阻是電容器被測試的眾多電氣特征中的一個。漏阻通常被稱為“IR”（Insulation Resistance，絕緣電阻），以“兆歐－微法”表示。在其它情況下，漏泄可能被表示為特定電壓（通常為工作電壓）下的漏泄電流
2011-08-11
電容 漏阻 電阻器 二極管
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直流電源EMI濾波器的設(shè)計
本文從直流電源EMI濾波器的設(shè)計原則、網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)、參數(shù)確定方法及安裝要求的角度，介紹直流電源EMI濾波器的設(shè)計。
2011-08-10
直流電源 EMI 濾波器
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IHLP-3232CZ-01：Vishay發(fā)布小尺寸、高電流電感器用于移動設(shè)備
Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，發(fā)布采用3232外形尺寸、3.0mm超薄的新款I(lǐng)HLP?小尺寸、高電流電感器- IHLP-3232CZ-01。小尺寸的IHLP-3232CZ-01具有高效率和低至1.61mΩ的最大DCR，以及0.22μH～10.0μH的標(biāo)準(zhǔn)感值范圍。
2011-08-10
IHLP-3232CZ-01 Vishay 電感器
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電動汽車充電方案比選
目前，業(yè)界習(xí)慣于將電動汽車不能大行其道歸罪于充電站建設(shè)系統(tǒng)的空缺，而在電動汽車社會保有量極為低下的情況下，以似乎又不能投入巨資建設(shè)作為公共設(shè)施的充電站網(wǎng)絡(luò)，于是問題再一次陷入怪圈。本文嘗試對電動汽車各種充電方案進(jìn)行分析，以期尋找出實用、可行的中國電動汽車充電方案。
2011-08-10
充電 電動汽車 加油 快充電站
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智能電視靜電保護(hù)技巧
隨著更小更先進(jìn)的集成電路不斷促進(jìn)智能電視的發(fā)展，電磁兼容（EMC)的領(lǐng)域?qū)⒊霈F(xiàn)新的挑戰(zhàn)，因為這些高速信號接口在正常使用條件下會受到靜電和電纜放電事件的威脅。本文將針對智能電視上兩個最常見和最敏感的接口：HDMI與千兆以太網(wǎng)接口提供保護(hù)方案。
2011-08-10
靜電保護(hù) 智能電視 電壓 系統(tǒng)信號
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基于交/直流電源的LED驅(qū)動電路設(shè)計實例
相較于白熾燈等傳統(tǒng)光源，LED具有能效高、壽命長、指向性好等眾多優(yōu)勢，越來越受業(yè)界青睞用于通用照明市場。根據(jù)具體應(yīng)用的不同，led可能會采用不同的電源來供電，如交流線路、太陽能板、12 V汽車電池、直流電源或低壓交流系統(tǒng)，甚至是基于堿和鎳的電池或鋰離子電池等。本文就是對基于交/直流電源的...
2011-08-09
LED 驅(qū)動電路 交/直流 電源
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UPS電源的十大使用技巧
UPS電源對保護(hù)數(shù)據(jù)和機(jī)器設(shè)備不受損害有很重要的作用。因此，正確使用和維護(hù)UPS，就顯得相當(dāng)重要。其實，合理地維護(hù)和使用UPS，是需要貫穿UPS的整個生命周期的。為保證其正常運(yùn)行和延長使用壽命，在使用與維護(hù)中應(yīng)注意以下幾方面。
2011-08-09
UPS電源 UPS 蓄電池 充電
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2011西部電子論壇 解讀西部電子設(shè)計行業(yè)四大亮點
隨著國家新的“西部大開發(fā)”戰(zhàn)略的實施，中國西部迎來了新一輪的發(fā)展契機(jī)，尤其是具有自己獨(dú)特“后發(fā)優(yōu)勢”的西部電子行業(yè)也將得到快速穩(wěn)定的增長。由CNT Networks和中國（西部）電子展主辦的2011西部電子論壇，即將于8月23日-27日在成都和西安兩個西部電子重鎮(zhèn)舉辦。
2011-08-09
2011西部電子論壇 可靠性設(shè)計 工業(yè)電子 新能源 分銷
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歐姆龍與IceMos開始量產(chǎn)采用MEMS工藝技術(shù)的超結(jié)構(gòu)造MOSFET
美國IceMos Technology與歐姆龍開始量產(chǎn)采用MEMS工藝技術(shù)的超結(jié)（Super-Junction）構(gòu)造MOSFET。IceMos Technology主要負(fù)責(zé)設(shè)計和開發(fā)，歐姆龍負(fù)責(zé)生產(chǎn)。首批量產(chǎn)的是兩種產(chǎn)品。分別是耐壓為650V、最大漏電流為20A、導(dǎo)通電阻為170mΩ的產(chǎn)品和耐壓為600V、最大漏電流為20A、導(dǎo)通電阻為160mΩ的產(chǎn)品。作...
2011-08-09
MEMS工藝 n型層 p型層 MOSFET
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