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V850E2/PJ4-E:瑞薩電子推出全新微控制器系列
全球領(lǐng)先的高級半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩電子”)宣布開發(fā)出了一款全新32位微控制器(MCU)V850E2/PJ4-E,該器件采用片上旋變解碼器。這款全新微控制器可提高汽車控制系統(tǒng)的性能并降低其系統(tǒng)成本,其中包括HEV/EV的電機控制及其他汽車應(yīng)用等。
2012-02-15
V850E2/PJ4-E 瑞薩電子 微控制器
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電路設(shè)計中三極管和mos管的區(qū)別
我們在做電路設(shè)計中三極管和MOS管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別 工作性質(zhì):1.三極管用電流控制,MOS管屬于電壓控制.2、成本問題:三極管便宜,MOS管貴。3、功耗問題:三極管損耗大。
2012-02-14
電路設(shè)計 三極管 mos管 雙極晶體管
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電動汽車充電電池性能退化原因何在
電池的性能退化一方面是使用和老化的自然結(jié)果,另一方面則由于缺乏維護、苛刻的使用環(huán)境以及不良的充電操作等等加速其劣化。下面將探討充電電池各種難以克服的問題、其原因及彌補這些問題的方法。
2012-02-14
電動汽車 充電電池
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HOMSEMI中低壓MOSFET全面升級8英寸0.18μm Trench工藝
2011年12月,廣州成啟半導(dǎo)體有限公司宣布,HOMSEMI中低壓MOSFET全面使用8英寸、0.18μm、Trench工藝晶圓。成啟半導(dǎo)體表示,這次產(chǎn)品升級已經(jīng)過一年準備和試產(chǎn),將使Power MOSFET的原胞密度提高、RDS(ON)降低、QG降低,提高整機效率,同時獲得更好的成本控制能力,這意味著,HOMSEMI成為國內(nèi)一線分...
2012-02-13
HOMSEMI Power MOSFET Trench MOSFET
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晶閘管在高壓軟起動中的選型及應(yīng)用
晶閘管電機軟起動器的出現(xiàn),彌補了傳統(tǒng)軟起動器的各種不足,很好地降低了電機的起動電流,降低了配電容量,延長了電機及相關(guān)設(shè)備的使用壽命。起動參數(shù)可視負載調(diào)整,易于維護。本文介紹晶閘管電機軟起動器工作原理,晶閘管的選型及晶閘管的保護設(shè)計。
2012-02-13
晶閘管 電機 軟起動 過壓 過流
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線性穩(wěn)壓器的短路保護電路設(shè)計
一個高可靠性的線性穩(wěn)壓器通常需要有限流保護電路,以防止因負載短路或者過載對穩(wěn)壓器造成永久性的損壞。在限流型保護電路的基礎(chǔ)上,設(shè)計改進了一個短路保護電路,確保短路情況下,關(guān)斷功率MOS管。本文分別定性和定量地分析了這種短路保護電路的工作過程和原理,同時給出基于TSMCO.18μm CMOS工藝的...
2012-02-13
線性穩(wěn)壓器 限流保護電路 短路保護 短路保護電路
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鉛蓄電池再遭嚴打 鋰電池受益直接出位
去年由于血鉛等各種污染問題嚴重,整個鉛蓄電池行業(yè)迎來一場較大的整頓風(fēng)暴,整個行業(yè)中眾多企業(yè)在行業(yè)整頓中紛紛落馬,市場對于鋰電池的關(guān)注度瞬間上升,業(yè)內(nèi)極為看好鋰電池等新能源電池的發(fā)展前景,但是由于種種優(yōu)勢因素的存在,行業(yè)集中度進一步提供之后,為僅存的大型鉛蓄電池提供了更佳的競爭...
2012-02-13
鉛蓄電池 鋰電池 鋰離子電池 環(huán)保
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我國LED電源產(chǎn)業(yè)還未成熟 系統(tǒng)化集成化將成發(fā)展趨勢
由于LED產(chǎn)業(yè)在最近幾年得到了飛躍式發(fā)展,已逐漸從政府機關(guān)照明方向轉(zhuǎn)向民用照明,得益于國家近期出臺一些列鼓勵發(fā)展LED產(chǎn)業(yè)的政策,但由此也帶來了很多問題,LED驅(qū)動電源的問題便暴露出來,。LED 驅(qū)動電源市場與下游行業(yè),特別是大功率LED 路燈的發(fā)展密切相關(guān),但隨著 LED 各項性能參數(shù)的不斷提升...
2012-02-13
LED產(chǎn)業(yè) LED 路燈 LED驅(qū)動電源 LED照明
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安森美半導(dǎo)體推出降低待機能耗的突破性電源產(chǎn)品
應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN) 持續(xù)開發(fā)創(chuàng)新技術(shù)及產(chǎn)品,使公司能夠為市場提供豐富的電源半導(dǎo)體方案。
2012-02-13
安森美半導(dǎo)體 待機能耗 電源
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