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解讀耦合電感 SEPIC 轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢
單端初級電感轉(zhuǎn)換器 (SEPIC) 能夠通過一個大于或者小于調(diào)節(jié)輸出電壓的輸入電壓工作。除能夠起到一個降壓及升壓轉(zhuǎn)換器的作用以外，SEPIC 還具有最少的有源組件、一個簡易控制器和鉗位開關(guān)波形，從而提供低噪聲運行?？词欠袷褂脙蓚€磁繞組，是我們識別 SEPIC 的一般方法。這些繞組可繞于共用鐵芯上，...
2012-07-03
耦合電感 SEPIC 轉(zhuǎn)換器
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走向環(huán)保：提高反向轉(zhuǎn)換器效率
插到墻上電源插座的普通墻上適配器每年要花去用戶大約 3 美元。通過“能源之星”計劃，北美許多國家正致力于降低該費用，以及減少制造該電源所帶來的污染。許多墻上適配器和其他低功耗隔離式電源都使用了反向轉(zhuǎn)換器，因為其結(jié)構(gòu)簡單、成本較低。但是，反向轉(zhuǎn)換器并非以高效率見長，低輸出電壓時更是如...
2012-07-03
反向 轉(zhuǎn)換器 效率
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高頻率、高輸入電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計挑戰(zhàn)
DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計頻率越來越快，目的是減小輸出電容和電感的尺寸，以節(jié)省電路板空間。正因如此，現(xiàn)在市場上出現(xiàn)越來越多工作在高輸入電壓下的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其可提供線壓瞬態(tài)保護，更低的占空比使更快頻率下難以達到更低的電壓。許多電源集成電路制造廠商（IC）正在積極推銷高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器，聲稱可...
2012-07-02
電壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
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Vishay Siliconix功率MOSFET在4.5V時導(dǎo)通電阻僅為9.4 m?
日前，Vishay宣布推出新款8V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻，4.5V時導(dǎo)通電阻僅為9.4 m?。
2012-06-29
TrenchFET 功率MOSFET N溝道器件
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更高的集成度、更低的成本需要更深入的系統(tǒng)理解
行業(yè)分析師們一致認為未來系統(tǒng)的發(fā)展趨勢是移動便攜、“綠色”節(jié)能，以及在終端設(shè)備中集成更多的傳感器。這種發(fā)展趨勢，要求模數(shù) (ADC) 轉(zhuǎn)換器和數(shù)模 (DAC) 轉(zhuǎn)換器具有更多的通道數(shù)、更高的速度和性能，同時還要求更低的功耗預(yù)算、更小的尺寸以及更低的成本。
2012-06-29
集成度 成本 系統(tǒng)
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高可靠性醫(yī)療設(shè)備電源選型參考與應(yīng)用實例
一臺醫(yī)療設(shè)備在醫(yī)院是否能夠發(fā)揮其最大效能，除了與機器本身的技術(shù)性能有直接的關(guān)系外，還和供電電源的質(zhì)量有著極其重要的關(guān)系。電源品質(zhì)的好壞，將直接影響醫(yī)療設(shè)備的運行穩(wěn)定性和可靠性，甚至導(dǎo)致重大醫(yī)療設(shè)備事故和造成巨大的經(jīng)濟損失。為此，深圳中電華星電子技術(shù)有限公司針對目前醫(yī)療設(shè)備市場...
2012-06-28
醫(yī)療電子 電源選型
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Vishay新款MLCC的Q值可達2000以上 適合高頻和微波應(yīng)用
Vishay宣布推出新系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)--- VJ HIFREQ。器件具有高自振、大于2000的高Q值、小于0.05%的低介質(zhì)損耗角，可在高頻商用應(yīng)用中工作。
2012-06-27
MLCC 高Q值 Vishay 高頻
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羅姆超低IR肖特基勢壘二極管降低車載、電源設(shè)備的功耗達40％
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都）近日面向車載、電源設(shè)備，開發(fā)出高溫環(huán)境下亦可使用的超低IR肖特基勢壘二極管“RBxx8系列”。與傳統(tǒng)的車載用整流二極管相比，可降低約40%的功耗，非常有助于電動車（EV）和混合動力車（HEV）等要求更低功耗的電路節(jié)能。
2012-06-27
羅姆 二極管 RBxx8系列
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電裝推出輸出功率密度高達60kW/L的SiC逆變器
由電裝與豐田汽車及豐田中央研究所的共同研發(fā)，采用SiC功率元件制成的逆變器，其輸出功率密度高達60kW/L。該試制品通過將功率半導(dǎo)體材料由原來的Si改為SiC，同時功率元件內(nèi)部通過采用自主開發(fā)的構(gòu)造實現(xiàn)了低電阻化，從而降低了電力損耗。
2012-06-26
SiC逆變器 電裝
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