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基于小華HC32F460的10萬RPM高速風筒方案
電吹風已是我們生活必備的小工具，高速風筒以其高效速干、體積小質(zhì)量輕等優(yōu)勢讓使用者獲得更好的使用體驗，本篇將帶大家了解高速風筒的特點及兩款基于小華MCU的方案，歡迎來聊。
2022-06-16
小華HC32F460 風筒方案 立功科技
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SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
隨著制備技術(shù)的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應用領域的發(fā)展，更是不容小覷。
2022-06-15
SiC MOSFET 驅(qū)動電壓
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25kW SiC直流快充設計指南(第六部分)：用于電源模塊的柵極驅(qū)動系統(tǒng)
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
2022-06-15
直流快充 電源模塊 柵極驅(qū)動
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。
2022-06-15
SiC MOSFET 門極電壓
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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐，現(xiàn)以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能，...
2022-06-15
SiC FET 高壓市場 解決方案
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新推出的同步SAR模數(shù)轉(zhuǎn)換器的片內(nèi)校準優(yōu)勢
本文評估在電阻模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)前面的外部電阻的影響。這些系列的同步采樣ADC包括一個高輸入阻抗電阻可編程增益放大器(PGA)，用于驅(qū)動ADC和縮放輸入信號，允許直接連接傳感器。但是，有幾個原因?qū)е略谠O計期間，我們最終會在模擬輸入前面增加外部電阻。以下部分從理論上解釋預期的增益誤差，該誤差...
2022-06-14
SAR 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 ADI
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手機無線充電器壞了
對于手邊的一款外部引線斷裂的蘋果手機無線充電器進行拆卸，觀察其內(nèi)部電路工藝設計。但是由于電路上主要芯片型號文字顯示不清，故此對于其主要工作原理尚不清楚。
2022-06-14
手機 無線充電器
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功率半導體冷知識：功率器件的功率密度
功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導體重要的設計目標。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力，實現(xiàn)方法是：
2022-06-13
功率器件 功率密度
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25kW SiC直流快充設計指南(第五部分)：控制算法、調(diào)制方案和反饋
在本系列文章的第一至第四部分中[1-4]，我們從硬件角度分享并廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
2022-06-13
直流快充 設計指南 控制算法
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