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了解為高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設(shè)計供電方案的挑戰(zhàn)
了解為當(dāng)今高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設(shè)計供電方案的關(guān)鍵挑戰(zhàn),是設(shè)計一個滿足每位設(shè)計工程師要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的優(yōu)化的電源系統(tǒng)方案的關(guān)鍵要素。電源系統(tǒng)設(shè)計人員需要知道不同應(yīng)用中的電源方案有何不同,比方說,一個800萬像素(MP)的相機與一個5000萬像素的相機的電源方案有何不同...
2022-09-15
CMOS 圖像傳感器 供電方案
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安森美獲蔚來“守望獎”
中國上?!?022年9月13日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),在蔚來于2022年7月30日舉行的合作伙伴大會上獲其授予“守望獎”。作為蔚來體系中值得信賴的關(guān)鍵技術(shù)供應(yīng)商,安森美通過多種渠道確保對蔚來的供貨支持,包括專職負責(zé)順利生產(chǎn)和交付流程的小組。
2022-09-14
安森美 蔚來 SiC模塊
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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度變頻器ACS180系列
變頻器是各行業(yè)中至關(guān)重要的節(jié)能設(shè)備,ABB傳動一直致力于用先進的產(chǎn)品和技術(shù),創(chuàng)新的解決方案為客戶創(chuàng)造價值,提高生產(chǎn)效能水平,助力變頻器產(chǎn)業(yè)升級。
2022-09-14
ABB IGBT7 變頻器
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電源應(yīng)用問題之應(yīng)用環(huán)境分析
本文簡述開關(guān)電源常見的應(yīng)用環(huán)境,分析各種典型環(huán)境因素對電源產(chǎn)品的主要影響機理,推薦與應(yīng)用環(huán)境相匹配的金升陽電源產(chǎn)品,提升電源在不同應(yīng)用環(huán)境中的可靠性。
2022-09-14
開關(guān)電源 應(yīng)用環(huán)境 金升陽
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開啟大功率無線充電新時代
無線充電技術(shù)包括感應(yīng)、磁諧振、電容、射頻輻射、激光、聲波和其他新興技術(shù)。感應(yīng)耦合技術(shù)處于領(lǐng)先地位 [1],因此,其相關(guān)標(biāo)準(zhǔn) Qi 在無線充電領(lǐng)域應(yīng)用最為廣泛。
2022-09-14
無線充電 WLC1115 發(fā)射器
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碳化硅MOS 四引腳封裝在應(yīng)用中的優(yōu)勢
瑞森半導(dǎo)體科技有限公司經(jīng)過多年研發(fā),推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品,目前已得到市場和客戶認可,廣泛應(yīng)用于高端服務(wù)器電源、太陽能逆變、UPS電源、電機驅(qū)動、儲能、充電樁等領(lǐng)域。
2022-09-14
碳化硅 MOS TO-247封裝
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深入剖析高速SiC MOSFET的開關(guān)行為
本文探討了影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的關(guān)鍵因素,包括器件特性、工作條件和外部電路;解釋了開關(guān)損耗的主要影響因素,并確定了影響器件行為和使用的重要因素,這些因素可以顯著提升SiC MOSFET在功率電路中的開關(guān)性能。
2022-09-13
SiC MOSFET 開關(guān)
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常見的觸摸開關(guān),你了解多少?
觸摸開關(guān)是一種公認的電氣開關(guān),與同類機械開關(guān)一樣通過手動操作接通或斷開電路。這種開關(guān)最初在20世紀(jì)80年代初是用作鍵盤和鍵盤的薄膜或絲網(wǎng)印刷開關(guān)的,由于其性能不盡如人意且缺乏觸覺反饋,在推廣之處遇到了阻力。然而,在20世紀(jì)80年代末,在設(shè)計中納入金屬拱頂?shù)陌姹精@得了更廣泛的普及,這要...
2022-09-13
觸摸開關(guān) DigiKey
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一文詳解數(shù)字晶體管的原理
數(shù)字晶體管(Digital Transistor),英文名為Bias Resistor Transistor,是帶電阻的晶體管,有的僅在基極上串聯(lián)一只電阻,一般稱為R1,有的在基極與發(fā)射極之間還并聯(lián)一只電阻R2。電阻R1有多種電阻,類似標(biāo)準(zhǔn)電阻系列配制,電阻R2情況類似R1。電阻R1與電阻R2可按多種方式搭配,因此數(shù)字晶體管的品種...
2022-09-09
數(shù)字晶體管 原理
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