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巧用降壓芯片生成負(fù)電壓及Vishay功率IC產(chǎn)品介紹

發(fā)布時(shí)間:2023-09-26 來源:Arrow 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】電子電路中負(fù)電壓需求有幾種,一種是隔離式的負(fù)電壓,在電力、通訊等對(duì)抗干擾性能要求較高的場(chǎng)合,需要隔離前端電源輸入的干擾,這個(gè)時(shí)候可以基于變壓器添加繞組來產(chǎn)生負(fù)電壓,或者也可以采用隔離式的電源模塊輸出負(fù)電壓給系統(tǒng)供電。另一種是非隔離式的負(fù)電壓,通過正輸入電壓,使用Charge Pump, Buck-Boost, Buck, Sepic 等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)電壓芯片等來產(chǎn)生負(fù)電源。


本文介紹基于Vishay SiP12109 COT BUCK拓?fù)涞耐浇祲恨D(zhuǎn)換器產(chǎn)生負(fù)電壓, 通過簡(jiǎn)單修改電路的參考節(jié)點(diǎn),內(nèi)部低端 MOSFET 產(chǎn)生電流斜坡反饋,無需補(bǔ)償,外部組件僅需功率電感、輸入電容去耦和自舉電容器,遠(yuǎn)比線性調(diào)節(jié)器的效率更高,原理如下圖所示。


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圖1 a) 同步降壓  b) 負(fù)輸出降壓


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圖2 負(fù)輸出降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)


電路的控制與標(biāo)準(zhǔn)降壓轉(zhuǎn)換器的控制是相同的,但是感應(yīng)器從VOUT 到 0V 的節(jié)點(diǎn)連接變化上存在著關(guān)鍵的差異,導(dǎo)致電路電流的改變,隨之會(huì)產(chǎn)生負(fù)輸出電壓,芯片輸出的 0V 現(xiàn)在變成負(fù)輸出電壓。         


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圖3 - 圖2的節(jié)點(diǎn)波形模擬


上圖MOSFET 驅(qū)動(dòng)器波形可以參見圖 3,它與標(biāo)準(zhǔn)降壓轉(zhuǎn)換器類似,LX 電壓波形范圍介于 -3.3V 到 +12V 之間, IM1和IM2電流波形對(duì)應(yīng)的是M1和M2分別導(dǎo)通時(shí)的電流波形。         


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圖4 參考原理圖


圖4為參考原理圖,整體設(shè)計(jì)技術(shù)規(guī)格如下所示:VIN = 12V,VOUT = -3.3V,F(xiàn)sw= 600khz,Iout = 3A,Vripple = 150mV,Vin_ripple = 100mV。


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圖5 測(cè)試條件下的效率測(cè)量


可見,對(duì)于需要負(fù)電源而且系統(tǒng)中只有正電源輸入時(shí),Vishay的同步降壓調(diào)節(jié)器可以提供簡(jiǎn)單和高效的方法,效率能超過 90%。


Vishay 同步降壓電源芯片有一系列產(chǎn)品組合,分為 DrMOS、microBUCK、microBRICK 三個(gè)系列,對(duì)應(yīng)不同的組件集成組合,如下圖所示。


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圖6 Power IC集成示意圖


紅框所示DrMOS系列是將柵極驅(qū)動(dòng)器和MOSFET工藝集成在一起,藍(lán)框 microBUCK系列在DrMOS基礎(chǔ)上優(yōu)化集成了PWM 控制器,而綠框microBRICK系列則是在microBUCK 基礎(chǔ)上進(jìn)一步集成了外圍的電感器件,極大縮小了外圍器件數(shù)量。


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圖7 Vishay DrMOS 功率級(jí)產(chǎn)品路線圖


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圖8  microBuck和microBRICK最新產(chǎn)品路線圖


最新的DrMOS 采用了第 4 代/第 4.5 代的 MOSFET 工藝,與上一代的 DrMOS 器件相比,DrMOS 效率提升了 3%,工作溫度減低超過 50℃,而占板面積卻壓縮了 33%,提升了整體的功率密度效益。microBUCK可以支持 4.5V~60V很寬的輸入電壓范圍,支持單相最高輸出電流達(dá) 40A應(yīng)用,在效率方面也很出色,在峰值功率時(shí)的效率高達(dá) 98.5%。microBRICK模塊巧妙地利用了電感固有的特性,通過創(chuàng)新的3D 封裝絕招,使電感成為優(yōu)化高功率密度模塊散熱性能的,消除了 PCB 電感器與開關(guān)節(jié)點(diǎn)之間的互連電阻,減少了總損耗,保持了高效率的優(yōu)勢(shì),使設(shè)計(jì)人員可以擴(kuò)展以實(shí)現(xiàn)成本和性能的最佳組合。



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