【導(dǎo)讀】碳化硅（SiC）技術(shù)能在大幅提高當(dāng)前電力系統(tǒng)效率的同時降低其尺寸、重量和成本，因此市場需求不斷攀升。但是SiC解決方案并不是硅基解決方案的直接替代品，它們并非完全相同。為了實(shí)現(xiàn)SiC技術(shù)的愿景，開發(fā)人員必須從產(chǎn)品質(zhì)量、供貨情況和服務(wù)支持等各個方面仔細(xì)評估多家產(chǎn)品和供應(yīng)商，并了解如何優(yōu)化不同SiC功率組件到其最終系統(tǒng)的集成。
不斷擴(kuò)展的應(yīng)用范圍
SiC技術(shù)的使用量正在急劇上升。隨著供應(yīng)商的不斷增加，產(chǎn)品的選擇范圍也日益豐富。碳化硅市場在過去三年中翻了一番，預(yù)計在未來10年內(nèi)將增長20倍，市值超過100億美元。碳化硅的應(yīng)用范圍正在從混合動力汽車和電動汽車（H/EV）的車載應(yīng)用擴(kuò)展到火車、重型車輛、工業(yè)設(shè)備和電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施中的非汽車動力和電機(jī)控制系統(tǒng)。航空航天和國防領(lǐng)域的供應(yīng)商也在不斷提升SiC的質(zhì)量和可靠性，以滿足這些行業(yè)對產(chǎn)品穩(wěn)固性的嚴(yán)格要求。
碳化硅開發(fā)計劃的一個關(guān)鍵部分是驗(yàn)證SiC器件的可靠性和穩(wěn)固性，因?yàn)椴煌?yīng)商的產(chǎn)品差異很大。隨著大家越來越看重整體系統(tǒng)，設(shè)計師還需要評估供應(yīng)商的產(chǎn)品供應(yīng)范圍。重要的是，設(shè)計師合作的供應(yīng)商要提供裸片、分立式組件和模塊選項(xiàng)等靈活解決方案，并提供全球分銷、支持以及綜合性設(shè)計模擬與開發(fā)工具。希望其設(shè)計能滿足未來需求的開發(fā)人員還需要探索新功能，如數(shù)字可編程柵極驅(qū)動器。這些驅(qū)動器可以解決早期的實(shí)現(xiàn)問題，同時支持系統(tǒng)性能一鍵“調(diào)優(yōu)”。
三項(xiàng)關(guān)鍵測試
這三項(xiàng)測試提供數(shù)據(jù)來評估SiC器件的可靠性（抗雪崩能力、短路承受能力）以及SiC MOSFET體二極管的可靠性。
足夠的抗雪崩能力至關(guān)重要，因?yàn)榧幢闶菬o源器件的輕微故障也可能導(dǎo)致瞬態(tài)電壓峰值超過額定擊穿電壓，從而最終導(dǎo)致設(shè)備或整個系統(tǒng)發(fā)生故障。具有足夠抗雪崩能力的SiC MOSFET減少了對緩沖電路的需求，可延長應(yīng)用壽命。頂級產(chǎn)品可以提供高達(dá)25焦耳/平方厘米（J/cm2）的UIS性能。即使經(jīng)過100,000次重復(fù)的UIS（RUIS）測試，這些器件的參數(shù)退化也很小。
第二項(xiàng)關(guān)鍵測試是短路耐受時間（SCWT），或者說軌到軌短路條件下設(shè)備發(fā)生故障前的極長耐受時間。測試結(jié)果應(yīng)接近功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的IGBT，其中大多數(shù)擁有5到10微秒（μs）SCWT。足夠長的SCWT能使系統(tǒng)有機(jī)會在不損壞系統(tǒng)的情況下解決故障問題。
第三個關(guān)鍵指標(biāo)是SiC MOSFET本征體二極管的正向電壓穩(wěn)定性。不同供應(yīng)商之間該指標(biāo)差異很大。如果沒有適當(dāng)?shù)钠骷O(shè)計、加工和材料，該二極管的導(dǎo)電性在運(yùn)行期間可能會降低，從而使導(dǎo)通狀態(tài)漏源電阻（RDS(on)）增加。圖1顯示了這種差異。在俄亥俄州立大學(xué)進(jìn)行的一項(xiàng)研究中，對三家供應(yīng)商的MOSFET進(jìn)行了評估。一方面，供應(yīng)商B的所有器件在正向電流方面都出現(xiàn)了衰退，而另一方面，供應(yīng)商C的MOSFET中未觀察到衰退現(xiàn)象。
圖1：SiC MOSFET的正向特性，顯示了不同供應(yīng)商的體二極管在衰退方面的差異。
（圖源：俄亥俄州立大學(xué)的Anant Agarwal博士和Min Seok Kang博士)
在器件可靠性得到驗(yàn)證后，下一步就是評估這些器件的生態(tài)系統(tǒng)，包括產(chǎn)品選擇的豐富度、可靠的供應(yīng)鏈和設(shè)計支持。
供應(yīng)、支持和系統(tǒng)級設(shè)計
在越來越多的SiC供應(yīng)商中，今天的SiC公司除了經(jīng)驗(yàn)和基礎(chǔ)設(shè)施不同外，還可以提供不同的器件選擇，以支持和供應(yīng)眾多要求嚴(yán)格的SiC市場，如汽車、航空航天和國防。
隨著時間的推移，電力系統(tǒng)的設(shè)計會在不同世代經(jīng)歷持續(xù)的改進(jìn)。SiC應(yīng)用也不例外。早期的設(shè)計可能對市面上各種常見的標(biāo)準(zhǔn)分立式電源產(chǎn)品都使用非常標(biāo)準(zhǔn)的通孔或表面貼裝封裝選項(xiàng)。隨著應(yīng)用數(shù)量的增加，設(shè)計師們開始關(guān)注如何縮小尺寸，降低重量和成本，因此通常會將目光轉(zhuǎn)移到集成電源模塊上，或者選擇第三方合作伙伴。這些第三方合作伙伴包括最終產(chǎn)品設(shè)計團(tuán)隊(duì)、模塊制造商和SiC芯片供應(yīng)商，他們在實(shí)現(xiàn)總體設(shè)計目標(biāo)中都起著非常關(guān)鍵的作用。
在快速增長的SiC市場上，供應(yīng)鏈問題是一個不容忽視的關(guān)鍵問題。SiC基底材料是SiC芯片制造流程中極昂貴的材料。此外，SiC制造需要高溫制造設(shè)備，而制造硅基功率產(chǎn)品和IC則不需要。設(shè)計師必須確保SiC供應(yīng)商擁有穩(wěn)定的供應(yīng)鏈模式，包括有多個分布在不同地點(diǎn)的制造工廠，以確保在發(fā)生自然災(zāi)害或重大生產(chǎn)問題時供應(yīng)始終能夠滿足需求。有許多組件供應(yīng)商還會停產(chǎn)（EOL）前代器件，迫使設(shè)計師花費(fèi)時間和資源重新設(shè)計現(xiàn)有應(yīng)用，而不是開發(fā)有助于降低最終產(chǎn)品成本和增加收入的創(chuàng)新設(shè)計。
設(shè)計支持也很重要，包括有助于縮短開發(fā)周期的模擬工具和參考設(shè)計。借助用來解決SiC器件的控制和驅(qū)動問題的解決方案，開發(fā)人員可以探索諸如增強(qiáng)型開關(guān)（Augmented Switching）等新功能，以實(shí)現(xiàn)整體系統(tǒng)方法的全部價值。圖2顯示了基于SiC的系統(tǒng)設(shè)計，它集成了數(shù)字可編程柵極驅(qū)動器，可進(jìn)一步加快生產(chǎn)速度，同時創(chuàng)造了優(yōu)化設(shè)計的新方法。
圖2：模塊轉(zhuǎn)接板與柵極驅(qū)動器核心相結(jié)合提供了一個平臺，通過增強(qiáng)型開關(guān)快速評估和優(yōu)化新的SiC功率器件。（圖源：Microchip）
優(yōu)化設(shè)計的新選項(xiàng)
數(shù)字可編程柵極驅(qū)動器可通過增強(qiáng)型開關(guān)極大限度地發(fā)揮SiC的優(yōu)勢。通過它們可以輕松配置SiC MOSFET的開啟/關(guān)閉時間和電壓水平，因此設(shè)計師可以提升開關(guān)速度和系統(tǒng)效率，同時縮短柵極驅(qū)動器開發(fā)所需的時間并降低復(fù)雜性。開發(fā)人員不必手動更改PCB，而是可以使用配置軟件一鍵優(yōu)化基于SiC的設(shè)計，在加快產(chǎn)品上市速度的同時提高效率和故障保護(hù)。
表1：使用數(shù)字可編程柵極驅(qū)動器實(shí)現(xiàn)全新的增強(qiáng)型開關(guān)技術(shù)有助于解決SiC噪聲問題，加快短路響應(yīng)速度，幫助管理電壓過沖問題，并盡量減少過熱情況。
隨著SiC應(yīng)用范圍的擴(kuò)大，早期SiC采用者已經(jīng)在汽車、工業(yè)、航空航天和國防領(lǐng)域占據(jù)了優(yōu)勢。未來的成功將繼續(xù)依賴于驗(yàn)證SiC器件可靠性和穩(wěn)固性的能力。隨著開發(fā)人員開始采用總體解決方案策略，他們將需要獲得綜合型資源組合，由完整可靠的全球供應(yīng)鏈和所有必要的設(shè)計模擬與開發(fā)工具提供支持。
借助數(shù)字可編程柵極驅(qū)動器所支持的軟件可配置設(shè)計優(yōu)化新功能，他們還將有新的機(jī)會進(jìn)行經(jīng)得起未來考驗(yàn)的投資。
來源：Mouser
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