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硬核隔離,精準(zhǔn)同步

發(fā)布時間:2022-11-24 來源:芯源系統(tǒng) 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】對于常見的適配器、充電器等 ACDC 類電源產(chǎn)品來說,把可觸碰的輸出端口和 AC 輸入側(cè)的高壓可靠地隔離開來,是涉及到人身安全的頭等大事。 


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傳統(tǒng)的反激變換器方案通常采用光耦隔離,將位于副邊的輸出電壓和負(fù)載的調(diào)節(jié)信號通過光耦傳遞到原邊,以控制反激的主 MOSFET 開關(guān)。


但是,隨著快充技術(shù)的迅速發(fā)展,適配器的功率等級不斷提升,對功率密度的追求也越來越高。在這些新的需求下,傳統(tǒng)的光耦隔離方案遇到了瓶頸。


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圖1. 基于光耦的傳統(tǒng)反激方案


在大功率高功率密度的適配器設(shè)計中,為了保證效率和散熱性能,同步整流是必不可少的。


但是,在傳統(tǒng)的反激方案中,光耦是原副邊之間的信息傳遞唯一通道,而這個光耦僅僅傳遞了關(guān)于輸出功率調(diào)節(jié)的慢速模擬信號,是沒有辦法實現(xiàn)原副邊開關(guān)管的實時同步的。在這種情況下,同步整流只能通過檢測副邊繞組的電壓變化來控制開關(guān)。


眾所周知,這種方法的弊端在連續(xù)電流模式下尤為明顯。由于同步整流的關(guān)斷時刻邏輯上在原邊開通時刻之后,原副邊必然存在一定的共通時間。如果這個共通時間持續(xù)過長,反激電路的主功率回路中會產(chǎn)生過大的反向電流,并在同步整流關(guān)斷后通過漏感放電造成很高的電壓尖峰。這個過高的電壓尖峰不僅增加了同步整流開關(guān)管的選型難度,還犧牲了效率和產(chǎn)品整體的可靠性。


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圖2. 傳統(tǒng)反激方案中由于原副邊共通而造成的高電壓尖峰


MPX2002/3 創(chuàng)新性地運用了電容隔離技術(shù),將反激控制器和同步整流控制器集成到了同一顆芯片中。


芯片中所使用的隔離電容可以承受 4500Vrms 以上的高壓,能夠?qū)崿F(xiàn) IEC、UL 等相關(guān)安規(guī)認(rèn)證中的加強(qiáng)絕緣等級,而且同樣的隔離技術(shù)在工業(yè)和信息領(lǐng)域中的信號隔離和隔離式驅(qū)動芯片當(dāng)中也有應(yīng)用。因此,這種技術(shù)可以提供非??煽康母綦x性能。


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圖3. 基于 MPX2002/3 的反激方案


在此基礎(chǔ)上,得益于電容隔離技術(shù)的高速通訊能力, MPX2002/3 內(nèi)部同時實現(xiàn)了輸出功率調(diào)節(jié)和原副邊開關(guān)管實時同步的功能。在原邊主開關(guān)管和副邊同步整流管之間始終能夠保證大約 30ns 的死區(qū)時間,從而有效地避免了原副邊共通所造成的過高的電壓尖峰。


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圖4. 基于 MPX2002/3 的反激方案中的原副邊死區(qū)及受抑制的電壓尖峰


因此,MPX2002/3 有助于實現(xiàn)更加高效并且可靠性更好的反激方案,尤為適合高功率密度適配器的設(shè)計。


而這樣的 MPX2002/3 還有一項獨特的隱藏功能,這里先賣個關(guān)子,我們將在下期文章中繼續(xù)介紹。


來源:芯源系統(tǒng)



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