【導(dǎo)讀】噪音是幾乎所有系統(tǒng)設(shè)計(jì)中固有的、通常不可避免的考慮因素。雖然有些噪音來(lái)自外部，不在電路設(shè)計(jì)者的直接控制范圍內(nèi)，但也是由電路本身產(chǎn)生的。在許多情況下，設(shè)計(jì)者必須盡量減少噪音源，特別是電源軌上的噪音，因?yàn)檫@種噪音可能影響敏感的模擬和數(shù)字電路。
噪音是幾乎所有系統(tǒng)設(shè)計(jì)中固有的、通常不可避免的考慮因素。雖然有些噪音來(lái)自外部，不在電路設(shè)計(jì)者的直接控制范圍內(nèi)，但也是由電路本身產(chǎn)生的。在許多情況下，設(shè)計(jì)者必須盡量減少噪音源，特別是電源軌上的噪音，因?yàn)檫@種噪音可能影響敏感的模擬和數(shù)字電路。
其結(jié)果不太嚴(yán)重時(shí)，可能會(huì)造成電路性能不穩(wěn)定，分辨率和精度降低，以及出現(xiàn)更高的誤碼率 (BER)。但在最壞的情況下，其結(jié)果可能會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)完全失靈，或出現(xiàn)頻繁或間歇性的性能問(wèn)題，這兩種缺陷都很難解決。
開(kāi)關(guān)式 DC/DC 穩(wěn)壓器及其輸出軌道有兩個(gè)主要的噪音問(wèn)題：紋波和輻射噪音。電路中產(chǎn)生的噪音要符合電磁兼容性 (EMC) 的監(jiān)管規(guī)定，在各個(gè)頻段必須低于規(guī)定的水平。
設(shè)計(jì)師面臨的挑戰(zhàn)是了解內(nèi)部噪音及其來(lái)源，并將其"從設(shè)計(jì)中清除"或以其他方式減輕影響。本文以 Monolithic Power Systems, Inc. 的 DC/DC 穩(wěn)壓器為例，討論在盡量減少穩(wěn)壓器噪音問(wèn)題時(shí)需要作出的選擇。
首先是噪音源和類型
最容易觀察到的噪音，也是能直接影響電路性能的噪音就是開(kāi)關(guān)頻率下的紋波。這種紋波通常在 10 - 20 mV 的范圍內(nèi)（圖 1 ）。雖然這種紋波在本質(zhì)上不是隨機(jī)的，但仍然是一種會(huì)造成系統(tǒng)性能影響的噪音表現(xiàn)。這種紋波的毫伏水平對(duì)于工作電壓為 5 V 伏及以上的高電壓數(shù)字集成電路來(lái)說(shuō)通常不會(huì)帶來(lái)任何問(wèn)題，但對(duì)于工作電壓低于 3 V 的低電壓數(shù)字電路來(lái)說(shuō)，就是一個(gè)不可忽略的問(wèn)題。電源軌上的波紋也是精密模擬電路和元件的一個(gè)主要問(wèn)題，這就是為什么這類設(shè)備的電源抑制比 (PSRR) 規(guī)格至關(guān)重要。
圖 1：直流電源軌上的波紋是穩(wěn)壓器開(kāi)關(guān)動(dòng)作所致，它會(huì)影響電路的基本性能或精度結(jié)果。（圖片來(lái)源：Monolithic Power Systems, Inc.）
DC/DC 穩(wěn)壓器的開(kāi)關(guān)動(dòng)作也會(huì)輻射出射頻 (RF) 噪音。即使 DC 電源軌上的毫伏紋波是可以容忍的，但也存在電磁輻射會(huì)削弱 EMC 的問(wèn)題。這種噪音有一個(gè)已知的基本頻率，在幾千赫茲到幾兆赫茲 (MHz) 之間，具體取決于開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器，而且這種噪音還有許多諧波。
最常被引用的 EMC 相關(guān)監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)包括 CISPR 22 和 CISPR 32，《信息技術(shù)設(shè)備 - 無(wú)線電干擾特性 - 限制和測(cè)量方法》（CISPR 是“國(guó)際無(wú)線電干擾專門委員會(huì)”的英文縮寫）。此外，還有主要源自 CISPR 22 產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的歐洲標(biāo)準(zhǔn) EN 55022，規(guī)定了在精心定義的條件下進(jìn)行的各項(xiàng)測(cè)試。
CISPR 22 已被歐洲共同體的大多數(shù)成員采納使用。雖然美國(guó)的 FCC 第 15 部分和 CISPR 22 已經(jīng)做到了相對(duì)和諧，但還是有一些區(qū)別。CISPR 22/EN 55022 已被 CISPR 32/EN 55032“吸收”，這是一個(gè)新的多媒體設(shè)備 (MME) 產(chǎn)品系列標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)作為符合 EMC 指令的協(xié)調(diào)標(biāo)準(zhǔn)，現(xiàn)已生效。
主要用于住宅環(huán)境的設(shè)備必須符合 B 類限制，所有其他設(shè)備必須符合 A 類標(biāo)準(zhǔn)（圖 2）。為北美市場(chǎng)設(shè)計(jì)的產(chǎn)品必須符合聯(lián)邦通信委員會(huì) (FCC) 第 15 部分 B 子部分第 15.109 節(jié)規(guī)定的非故意輻射器的限制要求。因此，即使直流穩(wěn)壓器輻射的電噪音不會(huì)對(duì)產(chǎn)品本身產(chǎn)生不利影響，但在滿足各種監(jiān)管要求方面，該噪音仍有可能高到不可接受。
圖 2：這是 CISPR 32/EN 55032 提供的眾多圖表之一，它定義了各類消費(fèi)產(chǎn)品的發(fā)射限制與頻率的關(guān)系。（圖片來(lái)源：Academy of EMC，《EMC 標(biāo)準(zhǔn)》）
處理 EMC 問(wèn)題是一個(gè)復(fù)雜的主題，沒(méi)有簡(jiǎn)單的解決方案。此外，這些輻射的測(cè)量和允許限值是電路工作頻率、距離、功率水平和應(yīng)用等級(jí)的一個(gè)函數(shù)。由于這些原因，查閱許多技術(shù)資源，甚至是咨詢能夠提供指導(dǎo)和專業(yè)知識(shí)的顧問(wèn)都是很有意義的。
也就是說(shuō)，設(shè)計(jì)者有三種基本策略來(lái)盡量減少噪音，在滿足相應(yīng)的噪音要求的同時(shí)避免電路性能問(wèn)題：
· 使用一個(gè)低壓差穩(wěn)壓器 (LDO)。
· 在開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器上添加外部濾波器，以減少負(fù)載在直流電源軌上產(chǎn)生的噪音。
· 選擇一個(gè)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器模塊。這種模塊嵌入了原本在穩(wěn)壓器 IC 外部的元器件，如電感或電容。由此產(chǎn)生的模塊旨在提供并保證低噪音軌，因此需要最少的外部濾波或者不需要外部濾波。
從 LDO 開(kāi)始
由于 LDO 架構(gòu)沒(méi)有時(shí)鐘或開(kāi)關(guān)，因此其固有 EMC 噪音低且沒(méi)有輸出電源軌紋波；每年有數(shù)以億計(jì)的 LDO 投入使用。當(dāng)在合適的設(shè)計(jì)中使用時(shí)，該器件將會(huì)是一種有效的解決方案。
例如，Monolithic Power Systems 的 MP20075 LDO 專門針對(duì)雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 2/3/3L/4 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SDRAM) 的有源總線端接（圖 3）。該 LDO 采用 8 引腳 MSOP 外殼，可在 1.05 - 3.6 V 之間的用戶可設(shè)置電壓范圍內(nèi)灌入和拉出高達(dá) 3 A 的電流，并具有精確的 VREF/2 跟蹤電壓，以實(shí)現(xiàn)精確端接。
圖 3：MP20075 LDO 可拉出或灌入高達(dá) 3 A 的電流，并針對(duì)各類 DDR SRAM 的端接需求進(jìn)行了優(yōu)化。（圖片來(lái)源：Monolithic Power Systems）
MP20075 的集成分壓器跟蹤參考電壓 (REF)，可確保準(zhǔn)確的 VTT 和 VTTREF 輸出電壓，而開(kāi)爾文檢測(cè)則有助于實(shí)現(xiàn) VTT 的 ±30 mV 和 VTTREF 的 ±18 mV 精度。此外，與大多數(shù) LDO 一樣，純模擬的閉環(huán)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)輸出負(fù)載的瞬態(tài)響應(yīng)非?？?，只需幾微秒的時(shí)間（圖 4）。這種瞬態(tài)響應(yīng)在高速電路中往往是至關(guān)重要的，例如本 LDO 的設(shè)計(jì)目標(biāo)：DDR SRAM 端接。
圖 4：LDO 的模擬閉環(huán)設(shè)計(jì)有助于其對(duì)負(fù)載瞬態(tài)需求作出非?？焖俚捻憫?yīng)；這種性能對(duì)于 DDR SRAM 端接等應(yīng)用來(lái)說(shuō)是必要的。（圖片來(lái)源：Monolithic Power Systems）
盡管 LDO 的固有噪音低且易于使用，但也有其局限性。首先，它的效率遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，這又帶來(lái)了兩個(gè)明顯的問(wèn)題：其自身發(fā)熱會(huì)增加系統(tǒng)熱負(fù)荷，而效率降低則會(huì)影響電池供電型便攜式設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間。鑒于此，LDO 常用于輸出電流高達(dá)約 1 A - 3 A（如 MP20075 所示）的應(yīng)用，因?yàn)槌^(guò)該電流范圍時(shí)，其效率造成的不利影響往往會(huì)更加嚴(yán)重。
LDO 還有一個(gè)固有局限：LDO 只能提供降壓調(diào)節(jié)，不能將未經(jīng)調(diào)節(jié)的輸入直流電源提升到其額定值以上。如果需要升壓模式輸出，則自動(dòng)忽略將 LDO 作為 DC/DC 穩(wěn)壓器。
微調(diào)布局，增加一些過(guò)濾功能
當(dāng)使用開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器時(shí)，無(wú)論是升壓還是降壓模式運(yùn)行，其開(kāi)關(guān)動(dòng)作是一個(gè)固有、不可避免的噪音源。當(dāng)穩(wěn)壓器在固定頻率工作時(shí)，增加輸出濾波功能會(huì)比較容易。我們來(lái)看一下 MP2145 器件，這是一款 5.5 V、6 A 同步降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，采用 12 引線、2×3 mm QFN 封裝，具有完整的 20 mΩ 和 12 mΩ MOSFET（圖 5）。
圖 5：MP2145 是一款 5.5 V、6 A 同步降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，在其 2×3 mm QFN 封裝中含有完整的 20 mΩ 和 12 mΩ MOSFET。（圖片來(lái)源：Monolithic Power Systems）
像 MP2145 這樣的同步降壓轉(zhuǎn)換器由一個(gè)輸入電容器 CIN、兩個(gè)開(kāi)關(guān)（S1 和 S2，含體二極管）、一個(gè)儲(chǔ)能功率電感器 (L) 和多個(gè)輸出電容器 (COUT) 組成。輸出電容器 (COUT) 置于輸出端，用于在穩(wěn)態(tài)下平滑輸出電壓。這些器件構(gòu)成了一級(jí)濾波器，并通過(guò)為高頻電壓分量提供一個(gè)返回至接地的低阻抗路徑來(lái)減少輸出電壓紋波。通常情況下，這樣的并聯(lián)輸出電容器可以有效地將輸出電壓紋波降低至 1 mV。
為了進(jìn)一步減少輸出電壓紋波，需要二級(jí)輸出濾波器，其電感電容 (LC) 濾波器與一級(jí)輸出電容器串聯(lián)（圖 6）。濾波電感 (Lf) 在預(yù)期的高頻范圍內(nèi)具有電阻性，以熱能的形式耗散噪音能量。該電感器與增加的并聯(lián)電容器組合成一個(gè)低通 LC 濾波網(wǎng)絡(luò)。
圖 6：在 MP2145 等開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的輸出端增加二級(jí) LC 濾波器可以減少輸出紋波。（圖片來(lái)源：Monolithic Power Systems）
供應(yīng)商的數(shù)據(jù)表和應(yīng)用說(shuō)明給出了該濾波器的電感、電容和阻尼電阻元件的規(guī)格計(jì)算公式和指南。他們還指定了關(guān)鍵的次級(jí)參數(shù)，如最大電感直流電阻 (DCR) 和飽和電流，以及最大的電容器等效串聯(lián)電阻 (ESR)。典型的電感值為 0.22 μH 至 1μH。
這些元器件的布局對(duì)于實(shí)現(xiàn)盡可能高的性能也是至關(guān)重要的。如果對(duì)布局考慮不周，會(huì)導(dǎo)致線路或負(fù)載調(diào)節(jié)不良、紋波增加以及其他穩(wěn)定性問(wèn)題。MP2145 的輸入電容 (Cin) 應(yīng)盡可能靠近 IC 引腳（圖 7）。
圖 7：MP2145 的輸入電容（此處為 Cin，見(jiàn)右下角；圖 5 原理圖中為 C1）應(yīng)盡可能靠近第 8 個(gè)引腳（電源輸入引腳）和第 10/11/12 個(gè)引腳（電源 GND 引腳）。（圖片來(lái)源：Monolithic Power Systems）
模塊能保證性能
模塊使得 DC/DC 穩(wěn)壓器的實(shí)施提升到更高的系統(tǒng)集成水平。這樣，這些模塊就能最大限度地減少或消除與外部元器件的選擇和放置位置相關(guān)的擔(dān)憂，并提供可保證的規(guī)格。模塊增加了元件，主要是在某種程度上會(huì)造成麻煩的傳統(tǒng)外部電感器。因此，模塊減少了與無(wú)源元器件的尺寸、位置和方向相關(guān)的難題，所有這些因素都會(huì)影響 EMC 和波紋相關(guān)的性能。
例如，MPM3833C 是一款降壓模塊，內(nèi)置功率 MOSFET 和一個(gè)電感器，能夠在 2.75 V 至 6 V 輸入電壓下提供高達(dá) 3 A 的連續(xù)輸出電流，同時(shí)具有出色的負(fù)載和線路調(diào)節(jié)能力（圖 8）。只需反饋電阻、輸入電容和輸出電容即可完成設(shè)計(jì)。電感器通常是最難指定和放置的外部元器件，但對(duì)于模塊來(lái)講電感器是內(nèi)部器件，因此在為了盡量減少電磁干擾 (EMI) 和紋波而需考慮合適的放置位置已不再是一個(gè)問(wèn)題了。
圖 8：MPM3833C DC/DC 模塊在其設(shè)計(jì)和性能規(guī)格中包含了具有潛在麻煩的電感器。（圖片來(lái)源：Monolithic Power Systems）
該模塊采用 QFN-18 (2.5 mm × 3.5 mm × 1.6 × mm) 超小封裝，紋波電壓為 5 mV（典型值）。其低水平輻射發(fā)射 (EMI) 符合 EN55022 B 類標(biāo)準(zhǔn)，如圖 9 所示，具體條件是 VIN= 5 V、VOUT= 1.2 V、IOUT=3 A、CO=22 pF、溫度為 25℃。
圖 9：MPM3833C DC/DC 模塊的數(shù)據(jù)表顯示，該器件很容易滿足 EN55022 B 類標(biāo)準(zhǔn)的輻射排放要求。（圖片來(lái)源：Monolithic Power Systems）
利用現(xiàn)代微型包裝技術(shù)，模塊的整體尺寸只比內(nèi)部芯片略大或略高；低矮外形正成為一個(gè)越來(lái)越重要的參數(shù)?？紤]一下 MPM3650 器件，該器件是一個(gè)內(nèi)置了電感器的全集成、1.2MHz、同步整流型降壓電源模塊（圖 10）。該器件為 0.6 V 至 1.8 V 輸出提供高達(dá) 6 A 的連續(xù)輸出電流，為 1.8 V 以上的輸出提供高達(dá) 5A 的電流，在 2.75 V 至 17 V 的寬輸入范圍內(nèi)，具有出色的負(fù)載和線路調(diào)節(jié)能力。憑借其內(nèi)部的 MOSFETS 和嵌入式電感器，QFN-24 封裝的尺寸僅為 4 mm × 6 mm × 1.6 mm。
圖 10：MPM3650 模塊采用集成電感，在不超過(guò) 1.8 V 的電壓下輸出電流可達(dá) 6 A，在 1.8 V 以上時(shí)輸出電流為 5 A，封裝尺寸為 4 mm × 6 mm × 1.6 mm。（圖片來(lái)源：Monolithic Power Systems）
模塊化方法還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)：能很好地控制紋波噪音，空載時(shí)約 20 mV 和滿載 6 A 時(shí)約 5 mV （圖 11）。這意味著在許多情況下無(wú)需添加外部濾波器，從而簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，減少了占地面積并減小了材料清單 (BOM)。
圖 11：MPM3650 模塊的規(guī)定紋波噪音在零負(fù)載時(shí)約為 20 mV，滿載時(shí)約為 5 mV。（圖片來(lái)源：Monolithic Power Systems）
對(duì) DC/DC 穩(wěn)壓器模塊進(jìn)行一些實(shí)際操作，用于評(píng)估其靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能是否符合系統(tǒng)要求，甚至超越數(shù)據(jù)表上的要求，這通常是很有用的。為了加速該過(guò)程，Monolithic Power Systems 推出 EVM3650-QW-00A 器件，這是一塊 63.5 mm × 63.5 mm × 1.6 mm 的四層 MPM3650 評(píng)估板（圖 12）。
圖 12：使用 EVM3650-QW-00A 評(píng)估板，有意向的 MPM3650 DC/DC 模塊用戶可以快速評(píng)估其在應(yīng)用中的性能。（圖片來(lái)源：Monolithic Power Systems）
評(píng)估板及其數(shù)據(jù)表有多種用途。首先，用戶能夠輕松地評(píng)估 MPS3650 在廣泛的工作條件下的許多性能屬性，其中一些屬性在數(shù)據(jù)表中不明顯或不容易找到。其次，評(píng)估板的數(shù)據(jù)表中包含了完整的原理圖、BOM 和詳細(xì)的電路板布局，因此 MPS3650 的用戶可以在自己的設(shè)計(jì)中使用這些器件，以減少風(fēng)險(xiǎn)，將不確定性降至最低（圖 13）。
圖 13：EVM3650-QW-00A 評(píng)估板包裝包括完整的原理圖、BOM 和詳細(xì)的電路板布局，以減少風(fēng)險(xiǎn)和不確定性。（圖片來(lái)源：Monolithic Power Systems）
評(píng)估板為設(shè)計(jì)者提供了一個(gè)更好地了解模塊性能的機(jī)會(huì)，可增加設(shè)計(jì)者的信心并縮短上市時(shí)間。
還有一種類型的噪音
當(dāng)設(shè)計(jì)人員談?wù)摗霸胍簟睍r(shí)，他們幾乎總是指電路中的一些電子噪音表現(xiàn)，如紋波或 EMI。然而，對(duì)于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，還有一類潛在的噪音：聲噪。對(duì)于工作時(shí)聲噪超過(guò)人類聽(tīng)覺(jué)范圍的穩(wěn)壓器，其聲噪不會(huì)造成問(wèn)題，這種頻率一般認(rèn)為是 20 kHz。然而，一些開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器確實(shí)在音頻范圍內(nèi)工作，而另一些在更高頻率下工作的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器在空載或待機(jī)期間會(huì)下降到音頻范圍，以盡量減少功耗。
這種可聞噪音是由兩個(gè)著名的物理現(xiàn)象中的一個(gè)或兩個(gè)引起的：壓電效應(yīng)和磁致伸縮效應(yīng)。在壓電效應(yīng)的情況下，由于電能通過(guò)電容器的結(jié)晶材料轉(zhuǎn)化為機(jī)械運(yùn)動(dòng)，電路的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)型電振蕩導(dǎo)致諸如陶瓷電容器等元器件與開(kāi)關(guān)時(shí)鐘同步振動(dòng)。在磁致伸縮效應(yīng)的情況下，它與壓電效應(yīng)有些相同，諸如電感或變壓器芯等磁性材料在時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)型磁化周期中會(huì)改變其形狀和尺寸。然后，受影響的電容器或電感/變壓器作為一個(gè)機(jī)械“驅(qū)動(dòng)器”，使整個(gè)電路板產(chǎn)生共振，從而放大并傳播可聽(tīng)到的振動(dòng)噪音。
由于以上一個(gè)或兩個(gè)效應(yīng)，聽(tīng)力良好的人經(jīng)常會(huì)抱怨在靠近電子設(shè)備時(shí)會(huì)聽(tīng)到持續(xù)的低音量嗡嗡聲。請(qǐng)注意，這種聲噪有時(shí)也是由 50/60 Hz 的低頻電源電路的元件產(chǎn)生的，所以即使沒(méi)有良好的高頻率聽(tīng)力的人也可能聽(tīng)到嗡嗡聲。
處理聲噪時(shí)需要采用不同于電子噪音衰減的方法和技術(shù)。
結(jié)論
LDO 為直流電軌紋波和 EMI 問(wèn)題提供了一種無(wú)噪音或低噪音解決方案，但在電流超過(guò)幾安培的情況下，通常不是一個(gè)可行的穩(wěn)壓器選項(xiàng)。帶有適當(dāng)濾波功能的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器或?qū)ｉT為低噪音性能設(shè)計(jì)的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器是一種替代方案。
完整的 DC/DC 穩(wěn)壓器模塊在其微小的封裝中集成了諸如電感器等元件，成為另一套解決方案。這種穩(wěn)壓器減少了布局和元件選擇方面的設(shè)計(jì)不確定性，同時(shí)提供了經(jīng)過(guò)充分測(cè)試和量化的子系統(tǒng)性能。
（來(lái)源：中電網(wǎng)，作者：Bill Schweber）
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