【導讀】電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個數(shù)等進行計算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設計時，如果有一個完整的電源平面鋪到管腳上，是最理想的狀態(tài)，并且在電源入口加大電容儲能，每個管腳上加一個100nF~10nF的小電容濾波。
1、DDR系統(tǒng)的三種電源
對于電源電壓，DDR SDRAM系統(tǒng)要求三個電源，分別為VDDQ、VTT和VREF。
A、主電源VDD和VDDQ
主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給內(nèi)核供電。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。
有的芯片還有專門的VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。
電源設計時，需要考慮電壓、電流是否滿足要求。
電源的上電順序和電源的上電時間，單調(diào)性等。
電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個數(shù)等進行計算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設計時，如果有一個完整的電源平面鋪到管腳上，是最理想的狀態(tài)，并且在電源入口加大電容儲能，每個管腳上加一個100nF~10nF的小電容濾波。
到了DDR5，電壓從1.2V將會變到1.1V，下降了8.3%，這是幾代DDR總線以來下降比例最少的一次。說明電子技術的發(fā)展，對于低功耗的設計難度越來越大。這么低的電壓，其抗干擾設計就會更加的難。對于電源完整性和信號完整性的設計要求就越來越嚴苛。
B、參考電源Vref
參考電源Vref要求跟隨VDDQ，并且Vref=VDDQ/2，所以可以使用電源芯片提供，也可以采用電阻分壓的方式得到。由于Vref一般電流較小，在幾個mA~幾十mA的數(shù)量級，所以用電阻分壓的方式，即節(jié)約成本，又能在布局上比較靈活，放置的離Vref管腳比較近，緊密的跟隨VDDQ電壓，所以建議使用此種方式。需要注意分壓用的電阻在100Ω~10kΩ均可，需要使用1%精度的電阻。Vref參考電壓的每個管腳上需要加10nF的電容濾波，并且每個分壓電阻上也并聯(lián)一個電容較好。
Vref此處的電流并不大，通過分壓，可以選擇阻值稍大的電阻。所以需要靠近芯片放置，放置走線過長，被其他大電流信號干擾。
C、用于匹配的電壓VTT(Tracking Termination Voltage)
VDDQ是一種高電流電源DDR芯片的內(nèi)核、I/O和存儲器邏輯供電，而Vref是一種低電流、精確的參考電壓，它在邏輯高電平（1）和邏輯低電平（0）之間提供一個閾值，以適應I/O電源電壓的變化。通過提供一個適應電源電壓的精確閾值，VREF實現(xiàn)了比固定閾值和終端和驅(qū)動正常變化情況下更大的噪聲裕度。
VTT是改善信號質(zhì)量，最常見的規(guī)格是0.49到0.51倍VDDQ，VTT為匹配電阻上拉到的電源，VTT=VDDQ/2。
DDR的設計中，根據(jù)拓撲結構的不同，有的設計使用不到VTT，如控制器帶的DDR器件比較少的情況下。如果使用VTT，則VTT的電流要求是比較大的，所以需要走線使用銅皮鋪過去。并且VTT要求電源即可以吸電流，又可以灌電流才可以。一般情況下可以使用專門為DDR設計的產(chǎn)生VTT的電源芯片來滿足要求。很多情況下，也采用上下拉電阻實現(xiàn)吸電流和灌電流的功能，即戴維南電路。
而且，每個拉到VTT的電阻旁一般放一個10nF~100nF的電容，整個VTT電路上需要有uF級大電容進行儲能。
由于VTT電源必須在 1/2 VDDQ提供和吸收電流，因此如果沒有通過分流來允許電源吸收電流，那么就不能使用一個標準的開關電源。而且，由于連接到VTT的每條數(shù)據(jù)線都有較低的阻抗，因而電源就必須非常穩(wěn)定。在這個電源中的任何噪聲都會直接進入數(shù)據(jù)線。
VTT 被用來從DDR控制器IC中獲取電壓，給數(shù)據(jù)總線和地址總線提供電源,VTT不直接應用在DDR器件上，而是在系統(tǒng)電源上（VTT和終端電阻都被集成到 DDR CONTROLLER上），因此不需要在電路圖中額外標出。它的值通常設定大致等于VREF的值（在VREF上下0.04V浮動），并且隨著VREF的變 化而變化。對于DDR1 SDRAM應用中的地址總線控制信號和數(shù)據(jù)總線信號都有端接電阻。需要一個沒有任何的噪聲或者電壓變化的參考電壓(VREF)，用作DDR SDRAM輸入接收器，VREF也等于1/2 VDDQ。VREF的變化將會影響存儲器的設置和保持時間。
2、為什么需要VTT
為了符合DDR的要求并保證最優(yōu)的性能，VTT和VREF需要在電壓、溫度和噪聲容限上進行嚴密的控制以便跟蹤1/2 VDDQ。
在實際電路中，對于VREF的電壓采取電阻分壓的方式取得，如下圖所示：
其中電容為去耦電容。
DDR顆粒的接收端比較特殊，它是一個差分放大器，其中的一個PIN腳連接Vref是固定，另一個PIN接在DDR控制器的發(fā)送端，發(fā)送端發(fā)送過來的信號，只要比Vref高，高過一定的門限，接受端就認為1，只要比Vref低，低于一定的門限，接收端就認為0。我們知道DDR的速率(電平的切換)是很快的，同時一個控制器會下掛很多顆粒，這就導致總線上的電流(電荷)來不及泄放和補充，這就需要將VTT在VOUT為高的時候，吸收電流，在VOUT為低的時候補充電流；
以DDR2為例，當VOUT為高電平的時候，VOUT＝1V8，VTT＝0V9，電流b向處于增加的趨勢，當VOUT為0，VTT＝0V9，電流a向處于增加趨勢；
一般DDR VTT的拓撲結構
3、VTT電源工作原理
其中VFB為電壓反饋端，SW為電壓輸出端；
結合DDR拓撲圖來看，當VOUT為低的時候，由于a方向的電流處于增大的趨勢，電感L會產(chǎn)生臨時反向電動勢，來抑制電流變化，這樣導致VTT電壓變小，上管導通，來補償這個電流，直至流經(jīng)電感的電流等于新的電流；
當VOUT為高的時候，由于b方向的電流處于增大的趨勢，電感L會產(chǎn)生臨時的反向電動勢，來抑制電流變化，這樣導致VTT處的電源變大，進而導致Vsense變大，上管關閉，下管導通，吸收電流；
4、戴維南電路代替VTT
在一些設計中，在使用DDR顆粒的情況下，已經(jīng)基本全部不使用VTT電源，全部采用電阻上下拉的戴維南電路（用上下拉電阻替代VTT電源），只有在使用內(nèi)存條的情況下才使用VTT電源。需要進行信號完整性仿真之后，確定上下拉電阻的阻值。這個阻值一般比較小，雖然降低了設計復雜度，但是增大了整個系統(tǒng)的功耗。
一般情況下，DDR的數(shù)據(jù)線都是一驅(qū)一的拓撲結構，且DDR2和DDR3內(nèi)部都有ODT做匹配，所以不需要拉到VTT做匹配即可得到較好的信號質(zhì)量。DDR2的地址和控制信號線如果是多負載的情況下，會有一驅(qū)多，并且內(nèi)部沒有ODT，其拓撲結構為走T型的結構，所以常常需要使用VTT進行信號質(zhì)量的匹配控制。DDR3可以采用Fly-by方式走線。
4、VTT電流預估
例如：VTT（0.6V）作為地址線/控制線（共25根）的上拉電源 ，上拉電阻39.2歐姆，最大電流計算公式：（0.6V/39.2）*25 = 0.38A。
最大電流就是所有信號同為高，或者同為低的時候，所有的信號線都是灌電流或者拉電流。如果有高有底，則會相互抵消，VTT的輸出電流沒有那么大。
（來源：硬件十萬個為什么）
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