【導讀】在《什么是 LDO 噪聲？第一部分》中，我們談到了什么是噪聲、如何分類，并介紹了安森美半導體提供的超低噪聲低壓降穩(wěn)壓器。今天，我們將進一步詳細談談什么是積分噪聲。
積分噪聲值由噪聲譜密度函數(shù)的積分導出。然而，用函數(shù)表示任何一條曲線并將其積分非常復雜。將測量曲線分割成小部分更容易。如果每部分的頻差 fn+1 – fn 趨于0，則所有貢獻之和等于函數(shù)的積分。
在實際測量中，實現(xiàn) fn+1 – fn 的零頻差是不可能的，但有可能使其接近于零。噪聲譜密度測量有多個點，使我們能夠獲得較好精度的積分噪聲和檢測振蕩峰。在我們的例子中，我們有6,400點在10赫茲至100千赫的頻率范圍內(nèi)。噪聲譜密度曲線由6,399個區(qū)間插值，表示為 VNOISE,AVG,n 。
下圖顯示 NCP110 LDO 穩(wěn)壓器的噪聲譜密度。如果我們將 NCP110 LDO 穩(wěn)壓器的測量值插入到最后的方程中，我們將得到積分噪聲的結(jié)果，如下表所示。雖然噪聲譜密度曲線由于 COUT 值較高而移動到一個較低的頻率，但積分噪聲增加。為什么會這樣呢？如下圖所示，您可看到這是因為與 IOUT 和 COUT 相關的峰值移動到 10 Hz 至 100 kHz 的范圍內(nèi)，在此范圍內(nèi)計算積分噪聲。
為什么不選一些輸出電容值高的 LDO？如您所見，在輸出電容值升高，輸出電流降低時，與輸出電流和輸出電容有關的峰值，會上升并移動到有用的頻率范圍 10 Hz 至 100 kHz。
高輸出電容值，例如 10 uF，改善瞬態(tài)響應。更好的瞬態(tài)響應可能是使用高輸出電容值的一個原因。在本例中，NCP110 在使用較高的輸出電容值時具有振鈴 (超過一個下沖) 和較長的對瞬態(tài)事件的穩(wěn)定時間，但它仍然穩(wěn)定。振鈴使峰值增大，積分噪聲也增加，如下表所示。NCP110 LDO 穩(wěn)壓器是為 1 uF 較低的輸出電容值而設計，附加電容改善了系統(tǒng)的瞬態(tài)響應，但影響了系統(tǒng)的噪聲性能。
積分噪聲是一種表示 LDO 在特定頻率范圍內(nèi)產(chǎn)生多少噪聲的方法。了解如何測量這種噪聲和系統(tǒng)級設計選擇的影響在設計干凈的電源時很重要。請繼續(xù)關注下一篇關于電源抑制比 (PSRR) 的文章，我們將談談如何測量及對系統(tǒng)級設計的影響。同時，請查看我們的 NCP110 數(shù)據(jù)表，以了解有關本主題的更多信息。
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