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利用MAXQ3210進(jìn)行環(huán)境監(jiān)視

在MAXQ系列以及其他嵌入式微控制器中，MAXQ3210獨(dú)具特色。它把基于EEPROM的代碼和 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、壓電喇叭驅(qū)動(dòng)器、9V穩(wěn)壓器集成在低引腳數(shù)封裝內(nèi)。高性能的16位RISC核使其運(yùn)行 速度快，并且省電。由于是基于MAXQ10核， MAXQ3210不同于其他的MAXQ微控制器，它采 用的是8位累加器，而不是16位累加器。MAXQ...

2023-07-06

MAXQ3210  環(huán)境監(jiān)視

PCB 布局來(lái)減少二次諧波失真

值得一提的是，實(shí)際上，變壓器輸出不是理想的差分信號(hào)——兩個(gè)輸出之間可能存在相位和/或幅度不平衡。這些不平衡會(huì)增加二次諧波失真。可以看出，二次諧波幅度受相位不平衡的影響比幅度不平衡的影響更嚴(yán)重。

2023-07-06

PCB  諧波失真

了解壓電傳感器：壓電效應(yīng)

壓電加速度計(jì)的個(gè)關(guān)鍵方面是壓電效應(yīng)。一般來(lái)說(shuō)，壓電材料在受到機(jī)械應(yīng)力時(shí)可以產(chǎn)生電力。相反，對(duì)壓電材料施加電場(chǎng)可以使其變形并產(chǎn)生小的機(jī)械力。盡管大多數(shù)電子工程師都熟悉壓電效應(yīng)，但有時(shí)并沒(méi)有完全理解這種有趣現(xiàn)象的細(xì)節(jié)。

2023-07-06

壓電傳感器  壓電效應(yīng)

DC/DC開關(guān)電源電感下方到底是否鋪銅？

電感有交變電流，電感底部鋪銅會(huì)在地平面上產(chǎn)生渦流，渦流效應(yīng)會(huì)影響功率電感的電感量，渦流也會(huì)增加系統(tǒng)的損耗，同時(shí)交變電流產(chǎn)生的噪聲會(huì)增加地平面的噪聲，會(huì)影響其他信號(hào)的穩(wěn)定性。

2023-07-04

DC/DC開關(guān)電源  電感  鋪銅

耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品

功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時(shí)，功率MOSFET需要作為常“開”開關(guān)運(yùn)行。在VGS=0V時(shí)作為常 "開 "開關(guān)的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。

2023-07-04

功率MOSFET  浪涌保護(hù)  高壓保護(hù)

典型 RC 波形

然后，通過(guò)改變RC時(shí)間常數(shù)或輸入波形的頻率，我們可以改變電容器兩端的電壓，從而產(chǎn)生Vc和時(shí)間t之間的關(guān)系。這種關(guān)系可用于改變各種波形的形狀，以便電容器兩端的輸出波形幾乎與輸入波形相似。

2023-07-04

RC 波形

精密低功耗信號(hào)鏈：具有可配置性的獨(dú)特交流耦合解決方案

在上一博客文章中，我們討論了在存在大得多的直流偏移和低頻干擾的情況下測(cè)量小信號(hào)時(shí)，交流和直流耦合信號(hào)鏈之間的權(quán)衡。我們還表明，高通濾波器在交流耦合信號(hào)鏈中的位置很重要，會(huì)影響CMRR、輸入阻抗和前端可應(yīng)用的增益量等性能指標(biāo)。實(shí)現(xiàn)高通濾波器功能的另一種有趣方法如下圖1所示。積分器電路...

2023-07-03

低功耗信號(hào)鏈`  交流耦合

測(cè)量三種不同類型的放大器增益

放大器增益的介紹可以說(shuō)是輸出端測(cè)得的信號(hào)與輸入端測(cè)得的信號(hào)之間存在的關(guān)系。可以測(cè)量三種不同類型的放大器增益，它們是：電壓增益( Av )、電流增益( Ai ) 和功率增益( Ap )，具體取決于測(cè)量的量，下面給出了這些不同類型增益的示例。

2023-07-03

更強(qiáng)大的5G，需要更小的連接器！

我們正在加速進(jìn)入5G時(shí)代，這是一個(gè)不爭(zhēng)的事實(shí)。根據(jù)全球移動(dòng)通信系統(tǒng)協(xié)會(huì)（GSMA）的研究數(shù)據(jù)，5G連接數(shù)在2022年超過(guò)10億個(gè)，到2025年將超過(guò)20億個(gè)，屆時(shí)5G連接將占總移動(dòng)連接的五分之一以上。這一滲透速度遠(yuǎn)超之前的3G和4G。

2023-07-03

5G  連接器  Molex