-
ADI的智能工廠專業(yè)知識(shí)助您選擇合適的IO-Link從站收發(fā)器
選擇IO-Link從站收發(fā)器時(shí)，我們先要考慮該器件支持的連接器引腳功能的數(shù)量和類型。有些智能工廠器件可能只需要一個(gè)C/Q引腳來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸/切換，MAX22514非常適合此類任務(wù)。有些器件可能需要IO-Link連接，其中包括額外的數(shù)字輸入(DIN)，以傳輸來(lái)自基本傳感器或按鈕開關(guān)的信號(hào)。在這種情況下，MAX225...
2024-09-03
ADI 智能工廠 IO-Link 收發(fā)器
-
如何“榨干”SiC器件潛能？這幾種封裝技術(shù)提供了參考范例
隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長(zhǎng)，光儲(chǔ)充一體化市場(chǎng)為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢(shì)引領(lǐng)下，碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)生態(tài)正迅速發(fā)展，逐漸成為替代傳統(tǒng)硅基功率器件的有力市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)者。
2024-09-03
SiC器件 封裝技術(shù)
-
音頻變壓器的詳細(xì)的知識(shí)
除了升高或降低信號(hào)電壓外，變壓器還具有另一個(gè)非常有用的特性，即隔離。由于變壓器的初級(jí)和次級(jí)繞組之間沒有直接的電氣連接，因此變壓器的輸入和輸出電路之間提供了完全的電氣隔離。連接在放大器和揚(yáng)聲器之間的音頻變壓器也可以利用這種隔離特性。
2024-09-03
音頻變壓器
-
單級(jí)小信號(hào) RF 放大器設(shè)計(jì)
幾乎所有的電子電路都依賴于放大器，放大器電路會(huì)放大它們接收到的輸入信號(hào)?；镜姆糯笃麟娐酚呻p極結(jié)型晶體管組成，晶體管偏置使器件在有源區(qū)運(yùn)行。晶體管的有源區(qū)用于放大目的。當(dāng)晶體管偏置為有源區(qū)時(shí)，施加在輸入端子上的輸入信號(hào)會(huì)使輸出電流出現(xiàn)波動(dòng)。波動(dòng)的輸出電流流過(guò)輸出電阻，產(chǎn)生經(jīng)過(guò)...
2024-09-02
單級(jí)小信號(hào) RF 放大器
-
深入了解數(shù)字音頻接口TDM在軟硬件配置中的問題
在 PCB 板內(nèi)的音頻設(shè)計(jì)時(shí)，很多時(shí)候都是以模擬信號(hào)作為前后輸入輸出，但是板內(nèi)更多是以數(shù)字信號(hào)為主，例如我們可以看到各種 aux、同軸、蓮花口等信號(hào)輸入。只要音頻需要進(jìn)行處理，一般都是需要轉(zhuǎn)成數(shù)字信號(hào)來(lái)進(jìn)行的，比如當(dāng)我們?cè)谟?FPGA、DSP、單片機(jī)等系統(tǒng)時(shí)。大多數(shù)情況下，簡(jiǎn)單 2 通道的實(shí)現(xiàn)在...
2024-09-02
數(shù)字音頻 接口 TDM 軟硬件配置
-
適用于電化學(xué)傳感器的運(yùn)算放大器
電化學(xué)氣體檢測(cè)元件需要恒定的偏置才能正常準(zhǔn)確地運(yùn)行，這可能會(huì)消耗大量功率。當(dāng)器件處于空閑或休眠模式時(shí)，正常的 電源管理系統(tǒng)往往會(huì)試圖讓這些器件都保持關(guān)斷狀態(tài)。然而， 電化學(xué)傳感器需要數(shù)十分鐘甚至幾個(gè)小時(shí)才能穩(wěn)定下來(lái)。因 此，檢測(cè)元件及其偏置電路必須處于“始終接通”狀態(tài)。此 外，對(duì)于...
2024-08-30
電化學(xué)傳感器 運(yùn)算放大器
-
雙色LED點(diǎn)陣顯示器行、列引腳的識(shí)別與檢測(cè)
雙色點(diǎn)陣顯示器有共陽(yáng)型和共陰型兩種類型。圖13—20所示是8×8雙色點(diǎn)陣顯示器的電路結(jié)構(gòu)，圖13—20（a）為共陽(yáng)型點(diǎn)陣顯示器，有8行16列，每行的16個(gè)LED（兩個(gè)LED組成一個(gè)發(fā)光點(diǎn)）的正極接在一根行公共線上，有8根行公共線，每列的8個(gè)LED的負(fù)極接在一根列公共線上，共有16根列公共線，共陽(yáng)型點(diǎn)陣顯示器...
2024-08-30
雙色LED 點(diǎn)陣顯示器
-
什么是IGBT的退飽和（desaturation）？ 什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)？
這要從IGBT的平面結(jié)構(gòu)說(shuō)起。IGBT和MOSFET有類似的器件結(jié)構(gòu)，MOS中的漏極D相當(dāng)于IGBT的集電極C，而MOS的源極S相當(dāng)于IGBT的發(fā)射極E，二者都會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象。下圖所示是一個(gè)簡(jiǎn)化平面型IGBT剖面圖，以此來(lái)闡述退飽和發(fā)生的原因。柵極施加一個(gè)大于閾值的正壓VGE，則柵極氧化層下方會(huì)出現(xiàn)強(qiáng)反型層，形成...
2024-08-30
IGBT 退飽和
-
當(dāng)輸入和輸出電壓接近時(shí)，為什么難以獲得穩(wěn)定的輸出電壓？
本文旨在解決DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器的功率級(jí)設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題，重點(diǎn)關(guān)注功率晶體管和自舉電容。降壓轉(zhuǎn)換器用于演示忽視功率晶體管時(shí)序規(guī)范的影響，以及移除自舉電容時(shí)會(huì)發(fā)生什么情況。功率晶體管具有最小導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間要求，以確保FET柵極電容正確充電和放電，從而保證晶體管完全導(dǎo)通和關(guān)斷。如果忽...
2024-08-28
輸入電壓 輸出電壓 DC-DC 開關(guān)穩(wěn)壓器
- 協(xié)同創(chuàng)新，助汽車行業(yè)邁向電氣化、自動(dòng)化和互聯(lián)化的未來(lái)
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流
- 用于模擬傳感器的回路供電（兩線）發(fā)射器
- 應(yīng)用于體外除顫器中的電容器
- 將“微型FPGA”集成到8位MCU，是種什么樣的體驗(yàn)？
- 能源、清潔科技和可持續(xù)發(fā)展的未來(lái)
- 博瑞集信推出高增益、內(nèi)匹配、單電源供電 | S、C波段驅(qū)動(dòng)放大器系列
- 探索工業(yè)應(yīng)用中邊緣連接的未來(lái)
- 解構(gòu)數(shù)字化轉(zhuǎn)型：從策略到執(zhí)行的全面思考
- 意法半導(dǎo)體基金會(huì)：通過(guò)數(shù)字統(tǒng)一計(jì)劃彌合數(shù)字鴻溝
- 使用手持頻譜儀搭配高級(jí)軟件：精準(zhǔn)捕獲隱匿射頻信號(hào)
- 為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET？
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
