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解析功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載
文章介紹了采用表面貼裝封裝設(shè)計(jì)LITTLEFOOT?功率MOSFET的過程。它描述了功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載，公共柵極驅(qū)動(dòng)器以及磁盤驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用以及公共柵極級(jí)的驅(qū)動(dòng)電容性負(fù)載。
2021-08-27
功率MOSFET 驅(qū)動(dòng)電感
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【技術(shù)大咖測(cè)試筆記系列】之四：使用數(shù)字萬用表測(cè)量電源瞬態(tài)恢復(fù)時(shí)間
簡(jiǎn)單地說，瞬態(tài)恢復(fù)時(shí)間是施加負(fù)載后電源恢復(fù)到設(shè)定電平所需的時(shí)間長度。不設(shè)計(jì)電源的人一般會(huì)想當(dāng)然，我們?cè)诠ぷ髦胁还苡玫氖悄姆N電路，可能只有在電源性能劣化到影響工作時(shí)才會(huì)注意到它。電源和人有點(diǎn)兒像，如果你問的問題比他知道的多，那么他可能會(huì)達(dá)不到你的預(yù)期。
2021-08-27
數(shù)字萬用表 電源瞬態(tài)恢復(fù)時(shí)間
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小小蜂鳴器，驅(qū)動(dòng)電路可大有學(xué)問
蜂鳴器是電路設(shè)計(jì)中常用的器件，廣泛用于工業(yè)控制報(bào)警、機(jī)房監(jiān)控、門禁控制、計(jì)算機(jī) 等電子產(chǎn)品作預(yù)警發(fā)聲器件，驅(qū)動(dòng)電路也非常簡(jiǎn)單，然而很多人在設(shè)計(jì)時(shí)往往隨意設(shè)計(jì)，導(dǎo) 致實(shí)際電路中蜂鳴器不發(fā)聲、輕微發(fā)聲和亂發(fā)聲的情況發(fā)生。
2021-08-26
蜂鳴器 驅(qū)動(dòng)電路
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什么樣的PCB才能承受住100 A的電流？
通常的PCB設(shè)計(jì)電流都不會(huì)超過10 A，甚至5 A。尤其是在家用、消費(fèi)級(jí)電子中，通常PCB上持續(xù)的工作電流不會(huì)超過2 A。但是最近要給公司的產(chǎn)品設(shè)計(jì)動(dòng)力走線，持續(xù)電流能達(dá)到80 A左右，考慮瞬時(shí)電流以及為整個(gè)系統(tǒng)留下余量，動(dòng)力走線的持續(xù)電流應(yīng)該能夠承受100 A以上。
2021-08-25
PCB 電流
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使用噪音濾波器的音頻線解決指南
若不采取對(duì)策，智能手機(jī)的揚(yáng)聲器、耳機(jī)等音頻線等線路中會(huì)輻射出電磁噪音。該噪音會(huì)對(duì)內(nèi)置天線造成干擾，從而使接收靈敏度降低，因此一般情況下會(huì)插入片式磁珠抑制噪音。然而，片式磁珠雖然可有效抑制噪音，但對(duì)于音頻線可能會(huì)造成聲音失真等問題。
2021-08-25
噪音濾波器 音頻線
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如何提高示波器的測(cè)量分辨率
在我們?nèi)粘Ｊ褂檬静ㄆ鞯臅r(shí)候，有時(shí)候會(huì)需要進(jìn)行高分辨率測(cè)量，這個(gè)時(shí)候就可以把數(shù)字示波器看作一個(gè)整體系統(tǒng)，充分利用這套系統(tǒng)來改善測(cè)量結(jié)果，而不僅僅只是將數(shù)字示波器當(dāng)成簡(jiǎn)單的模數(shù)轉(zhuǎn)換器。
2021-08-25
示波器 穩(wěn)壓器
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基于壓電主動(dòng)傳感技術(shù)中功率放大器的應(yīng)用
本實(shí)驗(yàn)將利用壓電陶瓷傳感器，通過模型試驗(yàn)，對(duì)基于時(shí)間反演技術(shù)的螺栓球節(jié)點(diǎn)連接區(qū)健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法進(jìn)行驗(yàn)，時(shí)間反演聚焦信號(hào)的峰值只與該信號(hào)在結(jié)構(gòu)上傳遞時(shí)所經(jīng)過的傳播路徑的傳遞函數(shù)有關(guān)，當(dāng)螺栓球節(jié)點(diǎn)內(nèi)部螺栓發(fā)生損壞或未安裝到位（受損狀態(tài)）時(shí)，相當(dāng)于傳遞函數(shù)發(fā)生改變，聚焦信號(hào)的峰值也...
2021-08-24
功率放大器 壓電主動(dòng)傳感技術(shù)
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如何解決高頻信號(hào)傳輸領(lǐng)域存在的阻抗失配現(xiàn)象
在高頻領(lǐng)域，信號(hào)或電磁波必須沿著具有均勻特征阻抗的傳輸路徑傳播。一旦阻抗失配或不連續(xù)現(xiàn)象，一部分信號(hào)被反射回發(fā)送端，剩余部分電磁波將繼續(xù)被傳輸?shù)浇邮斩恕?/p>
2021-08-24
高頻信號(hào)傳輸 阻抗失配
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微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對(duì)器件性能的影響：對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
2021-08-23
負(fù)載效應(yīng) DRAM
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