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112W長串LED boost驅動器的全陶瓷電容方案

發(fā)布時間:2017-05-08 來源:Jim Christensen 責任編輯:wenwei

【導讀】本參考設計利用MAX16834構建一個長串LED的大功率驅動器。LED電流由數(shù)字電位器調節(jié),能夠在驅動多達20個串聯(lián)LED (總共75V)時提供高達1.5A的電流。為延長工作壽命,輸入和輸出去耦電容均采用陶瓷電容。本參考設計采用MAX16834構建112.5W boost LED驅動器,用于驅動長串LED。這些長串LED被廣泛用于路燈和停車場照明。
 
輸入電壓:24VDC ±5% (1.49A) 
 
VLED配置:兩串并聯(lián),每串由19只WLED組成,5Ω電阻用于電流平衡。每串電流為750mA,在75V驅動下提供1.5A的電流。
調光:50µs (最小值)導通脈沖,200:1最高調光比,100Hz調光頻率。
 
注:本設計已經(jīng)過驗證。但并未進行詳細測試,有些細節(jié)問題尚需進一步測試。
 
112W長串LED boost驅動器的全陶瓷電容方案
圖1. LED驅動器電路板
 
112W長串LED boost驅動器的全陶瓷電容方案
圖2. LED驅動器原理圖
 
112W長串LED boost驅動器的全陶瓷電容方案
圖3. LED驅動器布局
 
112W長串LED boost驅動器的全陶瓷電容方案
圖4. 材料清單
 
112W長串LED boost驅動器的全陶瓷電容方案
圖5. 設計表格提供了MOSFET和電感的峰值電流和RMS電流。欲索取設計表格,請聯(lián)系Maxim在當?shù)劁N售機構。
 
112W長串LED boost驅動器的全陶瓷電容方案
圖6. 開關MOSFET的電壓和檢流電阻的電壓
 
112W長串LED boost驅動器的全陶瓷電容方案
圖7. 輸出電壓(交流耦合)和開關MOSFET檢流電阻的電壓
 
112W長串LED boost驅動器的全陶瓷電容方案
圖8. 漏極電壓上升時間
 
112W長串LED boost驅動器的全陶瓷電容方案
圖9. 漏極電壓下降時間
 
112W長串LED boost驅動器的全陶瓷電容方案
圖10. LED電壓(交流耦合)和電流紋波
 
112W長串LED boost驅動器的全陶瓷電容方案
圖11. LED電壓(交流耦合)和MOSFET檢流電壓
 
112W長串LED boost驅動器的全陶瓷電容方案
圖12. 大約150µs的調光脈沖
 
112W長串LED boost驅動器的全陶瓷電容方案
圖13. 大約50µs的調光脈沖
 
112W長串LED boost驅動器的全陶瓷電容方案
圖14. LED串開路OVP 
 
112W長串LED boost驅動器的全陶瓷電容方案
圖15. 預測電感的溫升。計算器來自Coilcraft®提供的設計支持工具。
 
電路說明

概述
 
本參考設計用于為長串LED提供高壓boost電流源,長串LED的應用不僅限于路燈和停車場照明。長串LED允許采用高性價比的LED驅動方案,另外,由于各個LED具有相同電流,可以很好地控制亮度變化。本設計采用24V輸入,可提供高達75V的LED驅動輸出,可驅動1.5A LED燈串(或多串并聯(lián))。測量到的輸入功率為115.49W,輸出功率為111.6W,具有96.6%的效率。
 
PCB
 
MAX16834 boost設計的印制電路板(PCB)采用通用的兩層板(圖1和圖3)。有些PCB功能要求為可選項,測試時并沒有組裝這些電路,原理圖(圖2)中將其標注為“no-pop”。電路板在IC下方布設接地島,通過單點連接至功率地,以確保低噪聲特性。由于很多路燈生產(chǎn)廠商沒有適當焊接設備焊接其它形式的封裝,例如TQFN封裝,因此本設計采用了TSSOP封裝IC。圖4給出本設計的材料清單。
 
拓撲
 
設計采用工作在200kHz連續(xù)模式的boost調節(jié)器。圖5所示表格給出了MOSFET和電感的RMS電流和峰值電流。連續(xù)模式設計能夠保持較小的MOSFET電流和電感電流。然而,由于MOSFET (Q1)導通期間電流流過輸出二極管(D2),輸出二極管的反向恢復損耗較大,并可能導致更大的關斷噪聲。從圖6電路波形可以看出,占空比為69%時,MOSFET的導通時間大約為3.4µs,關斷時間大約為1.5µs。一旦MOSFET關斷,漏極電壓將上升到輸出電壓與肖特基二極管壓降之和。
 
MOSFET驅動
 
由于采用連續(xù)模式設計,MOSFET和電感峰值電流低于工作在非連續(xù)模式下的數(shù)值。但是,由于在導通和關斷期間都有電流流過MOSFET,MOSFET在兩次轉換期間存在較大的開關損耗。MAX16834以足夠強的驅動能力使MOSFET在5ns內完全導通,在10ns內完全關斷(圖8和圖9),保持較低的溫升。如果設計中存在EMI問題,則改變MOSFET柵極的串聯(lián)電阻R5,以調整開關時間。如果這一變化引起功耗過大,可以增加另一個MOSFET Q2,與Q1并聯(lián),以降低溫升。
 
輸出電容
 
驅動器的輸入和輸出電容可以采用陶瓷電容。陶瓷電容具有更小尺寸,工作更可靠,但容值有限,尤其是在設計中要求200V的額定電壓。圖5中,設計表格顯示驅動器需要一個5.4µF電容以滿足輸出紋波電壓的要求;為降低成本和空間,本電路采用4個1.2µF電容(共4.8µF)。輸出電壓開關紋波為2.88V (圖10和圖11),紋波電流為182mA,是輸出電流的12%,略大于10%目標參數(shù),但仍然能夠滿足要求。
 
調光
 
MAX16834提供很好的調光。當PWMDIM (第12引腳)為低電平時,將發(fā)生三個動作:第一,開關MOSFET Q1的柵極驅動(NDRV,第15引腳)變?yōu)榈碗娖?,避免額外的能量傳送到LED串;第二,調光MOSFET Q4的柵極驅動(DIMOUT,第20引腳)變?yōu)榈碗娖?,降低LED串電流并保持輸出電容電壓固定;最后,為保持補償電容處于穩(wěn)態(tài)電壓,COMP (第5引腳)變?yōu)楦咦钁B(tài),以確保IC在PWMDIM返回高電平時立即以正確的占空比啟動。每個動作都允許極短的PWM導通時間,因此可提供較高的調光比。
 
縮短導通時間主要受限于電感的充電時間,參見圖12和圖13,可以看到電流能夠很好地跟隨DIM脈沖。在電流脈沖的起始位置有衰減,主要是由于電感電流的爬升(大約12µs或2–3個開關周期)。觀察波形,可以看出需要大約40µs至50µs的時間電壓才能完全恢復并建立。如果DIM導通脈沖小于50µs,輸出電壓將在下個關斷脈沖的起始處沒有足夠的時間。在提高DIM占空比之前,將一直持續(xù)這種現(xiàn)象。因此,滿載(1.5A)時,DIM導通脈沖不應低于50µs。這意味著100Hz DIM頻率下,調光比為200:1。降低最小導通脈沖的唯一途徑是提高輸出電容,這將提高系統(tǒng)的成本,而且在通用照明中并不需要。如果降低LED電流,最小導通時間可隨之降低,調光比增大。陶瓷電容表現(xiàn)為壓電效應,調光期間會出現(xiàn)一定的音頻噪聲。不過,通過適當電路板布局,可以最大程度地降低噪聲。
 
OVP
 
圖14中,LED串開路,MAX16834的過壓保護(OVP)電路在重新啟動之前將首先關斷驅動器400ms。因為輸出電容較小,電感儲能可能產(chǎn)生的過沖,因此采用了107V峰值電壓設置(高于83V設計值)。
 
電路調整及其它輸入、輸出
 
R15是線性數(shù)字電位器,可以在0A至1.7A之間任意調節(jié)LED電流。MAX16834具有一個輸入(SYNC),用于同步控制器的開關頻率。UVEN輸入允許外部控制驅動器(通/斷)。REFIN輸入端的低阻信號源可以優(yōu)先于電位器設置,控制驅動器電流。例如,微控制器經(jīng)過緩沖的DAC可以通過REFIN直接控制LED電流。出現(xiàn)故障(例如OVP)時,F(xiàn)LT#輸出低電平。一旦解除故障,信號變?yōu)楦唠娖?,該信號并不閉鎖。
 
溫升
 
測量效率為96.63% (VIN = 24.01V、I_IN = 1.49A、PIN = 115.49W、VLED = 74.9V、I_LED = 1.49A、POUT = 111.60W)。由于電路的頻率較高,驅動器元件并不發(fā)熱。溫度最高的元件為調光MOSFET Q4,溫升大約41°C。這一溫升是由于小尺寸PCB布局造成的,可以通過增大漏極附近的覆銅面積改善。電感尺寸較大,具有23°C的溫升,高于預期的7°C (圖15)。電感似乎吸收了部分MOSFET熱量,因為它們共用大面積覆銅焊盤。
 
溫度測量
 
以下溫度是在實際LED負載測試中得到的:
 
112W長串LED boost驅動器的全陶瓷電容方案
 
上電步驟
 
  1. 在LED+和LED-之間連接最多20只串聯(lián)LED,同時串聯(lián)安培表以測量電流(注:如果LED的正向導通電壓完全匹配并且/或者增加串聯(lián)均衡電阻,可以采用并聯(lián)架構)。
  2. 在VIN和GND之間連接24V、6A電源。
  3. 在連接器J2插入短路器。
  4. 打開24V電源。
  5. 調節(jié)R15將電流設置為0至1.5A。
  6. 如果需要調光,則在DIM IN和GND之間連接PWM信號(0V至3.3V)。
  7. 按照上述內容調節(jié)PWM占空比,實現(xiàn)調光。
 
本文轉載自Maxim。
 
 
 
 
 
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